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991.
对不同研究者获得的锰在渣/钢之间分配平衡的相关热力学数据进行了归纳和评估.结果表明,在温度为1 873 K下, 对组成为 (0.2%~36.8%)CaO-(4.0%~69.7%)FetO-(7.5%~31.0%)SiO2-(6.7%~25.0%)MgO-(0.5%~3.4%)P2O5-(3.4%~16.0%)MnO的炼钢渣,利用聚集电子相模型和经验公式计算MnO的活度与实验测定值相吻合,MnO的活度值为0.02~0.20,用正规溶液模型计算的结果低于实验测定值.MnO的活度受渣中FetO含量的影响不明显,随渣中MnO含量和渣碱度的增加而增大.在误差为±20%的范围内,可用经验公式和聚集电子相模型来预测与渣平衡钢中的锰含量.在炼钢温度下,碱度对锰的分配比影响较大,碱度相同的情况下,高FetO渣有较强的脱锰能力.在温度为1 623 K下,锰在渣/铁之间的分配比可以通过测定锰在渣/钢之间的分配比,再通过计算得到. 相似文献
992.
利用等度区间族覆盖数轴的简单知识,给出了有理数对实数逼近的表示方式及其应用;对带余除法公式给出了直观的证明和应用,对分析中的一些结果给出了统一的处理方法. 相似文献
993.
根据组合多面体理论及突角和理论,得出有12个正五边形和多个六边形构成的网壳,并计算了网壳中五边形边长与五边形外接球半径的比例关系,给出了相应的拟合公式,其相对误差不大于4.07%,据此,可根据工程需要进行多面体选型. 相似文献
994.
三价铬的电化学沉积 总被引:1,自引:0,他引:1
通过稳态极化曲线、循环伏安、恒电流阶跃、交流阻抗等方法,研究柠檬酸水溶液体系中Cr3 的电沉积还原反应机理,确定Cr3 电沉积的动力学参数和动力学方程.研究结果表明,Cr3 的电沉积为电化学步骤控制过程,该电化学反应分2 步进行第1 步是Cr3 获得2 个电子还原为Cr ,为控制步骤和不可逆过程;第2 步是Cr 获得1 个电子还原为金属Cr,为准可逆过程;Cr3 在电沉积过程中无前置转化反应存在,但有电活性的中间产物吸附在电极表面;阴极和阳极表观传递系数分别为0.490 和2.455;化学计量数为1;阴极反应级数为1,阳极反应级数为0;扩散系数为1.606 × 10-5 cm2/s. 相似文献
995.
于强 《四川理工学院学报(自然科学版)》2008,21(6)
若对裂尖附近的单轴应力场应用叠加原理,则可合成多轴裂尖应力场分布;由裂尖处材料微元体在合应力下的破坏应当服从第四强度理论,则导出多轴作用下的等效应力强度因子;借用Paris公式的形式,则导出了一个多轴疲劳裂纹扩展速度的等效公式;这个公式应当具有工程上的意义。 相似文献
996.
基于HFSS的双层宽带微带贴片天线的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用HFSS10电磁场仿真软件设计和仿真了一种新型宽频带双层微带贴片天线,本文中天线采用聚四氟乙烯和空气两层介质,通过增加空气介质层的厚度,同时利用圆形金属电容片补偿馈电探针引起的电感,对微带天线进行耦合馈电,仿真结果表明天线的阻抗带宽达到了23%(VSWR≤2),从而实现了宽频带微带天线的设计. 相似文献
997.
王凡彬 《安庆师范学院学报(自然科学版)》2011,17(1):79-80
针对一类三角有理函数的积分问题的被积函数的特殊结构,通过凑微分、待定系数法等方法,把被积函数改写成另一种形式,得到了求该类函数不定积分的一个公式,这种新的积分方法较为简捷,可补充进积分公式表。 相似文献
998.
在Lukasiewicz三值逻辑度量空间中定义了反射变换φ和(准)对称逻辑公式,探讨了反射变换φ的性质,证明了φ保持逻辑等价关系和(准)对称逻辑公式,且为同态变换.研究了φ在商代数——Lindenbaum代数上诱导的反射变换φ*的性质.证明了φ*是自同构的等距变换,进而讨论了φ*的不动点的性态,得到了4类特殊的不动点形式[A]∨φ*([A]),[A]∧φ*([A]),[A]φ*([A])和[A]φ*([A]). 相似文献
999.
研究了不同阳极在含铬溶液、含氟溶液和铬氟混合溶液中的交流阻抗谱,旨在弄清电镀过程中阳极材料的电化学特性.结果表明,铬离子、氟离子和铬氟混合离子在溶液中聚合形式对阳极材料的电化学特性有着重要影响.碳阳极和铅合金阳极在含铬溶液中可形成感抗现象,具有较小的极化电阻,而铅氧化物阳极在含铬溶液中具有较大的极化电阻.在铬氟离子混合溶液中,碳阳极和铅合金阳极表面感抗现象消失,且碳阳极极化电阻提高,铅氧化物阳极极化电阻降低,但铅合金阳极极化电阻明显高于碳阳极和铅氧化物阳极;铅氧化物阳极的导电能力大大提高. 相似文献
1000.
热镀锌板上γ-APT硅烷自组装膜的制备及相容性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用交流阻抗谱和接触角的方法研究了γ-APT硅烷的单分子自组装膜在热镀锌钢板表面的成膜过程,以及γ-APT硅烷自组装膜和γ-GPT硅烷的相容性.实验成功制备硅烷单分子自组装膜.组装开始时硅烷分子水解生成硅醇键的一端快速吸附在锌的表面并形成了Si—O—Zn键,硅烷分子之间的硅醇键随即脱水形成Si—O—Si键,从而自组装成为有序、规律排布的单分子自组装膜,组装10 h后膜的完整性最好,随后形成连续性较差的混杂膜.经过10 h组装后的γ-APT硅烷自组装膜与γ-GPT硅烷具有良好的相容性. 相似文献