神经生长抑制因子(GIF)和小分子G蛋白Rab3a在大鼠脑组织中的定位研究

神经生长抑制因子（GIF）是金属硫蛋白家族中唯一具有明确生理功能的成员，在Alzheimer’s症脑提取物存在下，对神经细胞的生长还具有抑制作用。Rab3a为小分子G蛋白的一种，通常以一种Ca2＋依赖形式在调控神经递质释放的过程中起着十分重要的作用。目的：本文用免疫组织化学的方法验证二者间的相互作用。方法：利用酶标定和荧光标定的免疫组化方法，确定GIF和Rab3a蛋白在大鼠脑中的分布定位及其二者的共定位。结果：用ABC Kit进行酶标定测得GIF和Rab3a在鼠大脑中的主要分布区域为脑皮层、海马等部位，用荧光标定的方法确定GIF和Rab3a两蛋白能在脑组织中共定位。结论：GIF和Rab3a广泛分布于脑组织申．且二者有共定住行为。为二者问存在相互作用提供了有力的证据．     

污水厂污泥和厨余垃圾的混合中温厌氧消化

对污水厂污泥和厨余垃圾混合厌氧消化的可行性进行了研究.采用两种混合物料,其污泥和垃圾按VS之比分别为75%∶25%和50%∶50%,HRT分别采用9、12、16、20 d.实验结果表明,在所有的反应器运行过程中,进料有机负荷为1.4-4.1 g/(L.d-1)VS,没有出现如pH值降低、碱度不足和VFA积累等抑制现象.在进料VS之比为50%∶50%时,稳定性和处理效果都优于进料VS之比为75%∶25%时,当HRT为12 d时,此时VS去除率为58.6%-62.6%,甲烷产率为0.413-0.456L/gVS.     

多视点三维测量系统的全局标定方法研究

针对线结构光三维测量速度较慢和易发生遮挡问题，开发了一种多视点线结构光三维测量系统．并针对本系统提出了一种简易的基于线结构光的多目视觉三维测量系统全局标定方法，标定过程只需要一块可自由移动的共面靶标，即可将所有摄像机局部坐标系统一到光平面测量坐标系，实现多视点测量数据的自动拼接．实验表明，该方法方便易行，适合现场标定，同时满足系统精度要求．     

埋藏导体表面电磁波散射特性研究

根据几何绕射理论,利用时域有限差分方法研究了导体球表面电磁波的散射和绕射,分析了导体表面爬行波的特点,并计算了埋藏在沙土中的不同电导率金属球表面电磁波的散射特征。计算及图像分析结果表明,在介质外接收到的电磁波是多次反射波的叠加;利用散射电磁波峰值之间的关系,可以预测埋藏金属物的深度。     

2-(1-苯基-1,2-亚乙二硫基)亚甲基-3-羰基丁酸乙酯的合成及其与芳醛的缩合反应

以碳酸钾为碱,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,乙酰乙酸乙酯与二硫化碳及1,2-二溴苯乙烷一锅反应,以中等产率(40.3%)合成了Z(E)-2-(1-苯基-1,2-亚乙二硫)亚甲基-3-羰基丁酸乙酯(1).探讨了1在碱性(乙醇钠)条件下与芳醛的缩合反应.结果表明,1在碱性的条件下发生缩合反应的同时也进行了酯的水解反应,得到了2Z(E),4E-2-(1-苯基-1,2-亚乙二硫)亚甲基-3-羰基-5-芳基-4-戊烯酸(2).     

天津滨海新区环境设施地域性研究

分析天津市滨海新区环境设施的现状,总结出目前存在的问题,探讨如何优化设计才能更好的体现出环境设施的地域特色,塑造出符合天津滨海地区独特的人文历史、地理环境的环境设施。总结出符合天津滨海地区地域特色的环境设施设计所应遵循的原则。     

∧-稳1定秩条件下EU（M,I,T）的正规性

本文在A．bak和唐国平在[1]中引入的∧-稳定秩条件下证明了子群EU（M，I，T）在酉群U（M）中的正规性，     

相变蓄能材料的包覆与性能测试

本实验用硅酸钠、二氧化硅为主要原料,氟硅酸钠为添加材料的复合浆体材料对相变蓄能材料进行了包覆,制备具有固定外观形状的固-液相变材料。实验采用不同实验配方进行包覆后,选择具有较好表观特征的配方进行力学性能测试,测试结果表明,以硅酸钠10ml,二氧化硅3g为主要原料,氟硅酸钠2g,氧化镁1g,盐酸1ml为添加材料配比的复合浆体材料是良好的包覆材料,包覆后的相变材料的维氏硬度为573(kg/mm2)。     

数字电路的故障检测技术

本文根据数字电路的特点,介绍了数字电路故障的特征以及故障诊断的主要任务,着重介绍和分析了检测和排除故障的基本方法,以及在检测过程中应注意的问题。     

ZnO纳米线在外加电场下的生长及场发射性能

在外加电场条件下,利用化学气相沉积法制备出了长径比为400:1的四角状ZnO纳米线.利用多功能场发射测试仪对ZnO纳米线进行了场发射特性测试,研究了外加电场对ZnO纳米线生长的影响,讨论了ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象产生的原因.结果表明:外加电场大大促进了四角状ZnO纳米线在一维方向上的生长,外加电场下制备的ZnO纳米线在电流密度为0.1 mA/cm2的开启场强仅为2.25V/μm,ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象归因于强场下电子输运速度的饱和.