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981.
借助水热法,在酸性条件下直接加入合成体系前驱盐(Co(NO3)2·6H2O),蒸发得到复合物并通过随后的煅烧,制备了Co3O4/SBA-15复合材料. 利用X-射线粉末衍射、扫描电镜、傅里叶红外光谱进行了系统的表征. 测试结果表明:在合成原料中n(Co)∶n(Si)<1∶3制备的材料保持高度有序的二维六角介孔结构,Co3O4分散在SBA-15基体中,部分钴离子进入了介孔材料的骨架. 直接法制备的Co3O4-CeO2/SBA-15双金属氧化物复合材料,有望作为催化剂. 相似文献
982.
采用1种新的方法——时间分辨红外光谱法,监测了MCM-41,Co-MCM-41在暗反应情况下乙醛降解的反应过程.检测了相关产物以及它们随时间变化的情况,结果表明,在Co-MCM-41降解乙醛体系中,检测到了醋酸钴盐、甲烷和水的生成,并且一段时间后它们的浓度随反应时间的延长而逐步增加.而在MCM-41降解乙醛体系中只监测到乙醛的吸附过程,并无降解反应发生. 相似文献
983.
负激活作为一种定量分析静息状态脑活动的方法对脑功能成像研究具有重要意义.文中关注不同认知任务下的负激活信息,结合复杂网络理论,提取三个试验任务(符号方向判别、数字加和与汉字字形认知)的负激活点分别构建网络,发现三个网络均具有小世界特性.同时计算了网络的度值和介数值,推测出扣带回\楔前叶,额叶是静息状态下大脑活动的关键区域.提出了一种研究静息状态下大脑活动的新方法,通过这种方法获得的信息不同于体素逐点分析获得的局部激活信息.它反映了大脑任意两个体素点间的关联性以及在静息状态下大脑活动的整体协作关系. 相似文献
984.
主要通过考虑介观电容的耦合能,对离散电荷介观LC电路中的电荷与电流的动力学行为进行了研究。结果表明:电荷与电流的时间演化函数由雅可比椭圆函数替代,而且在电路中显示周期性压缩效应。 相似文献
985.
低温固相法制备非负载型介孔Ni-Mo-W硫化物催化剂 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种新型的柴油深度加氢改质催化剂的制备方法。以四硫代钼酸铵、四硫代钨酸铵和碱式碳酸镍为前驱物,以化合物MS-1为模板剂,采用低温固相表面反应技术,制备出具有较高比表面、适宜孔容和介孔孔径分布的非负载型Ni-Mo-W硫化物催化剂,并采用X射线衍射、低温N2吸附、扫描电镜、高分辨透射电镜等手段对所制备的催化剂进行表征。将所制备的加氢催化剂以催化裂化柴油为原料,采用高压釜装置进行加氢活性评价。评价结果表明,该方法制备的催化剂具有优异的加氢脱硫、加氢脱氮活性。 相似文献
986.
研究了B2O3对陶瓷的烧结性能及微波介电特性的影响.结果表明B2O3的掺人能使Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]3 δ(CLNZ)陶瓷体系的烧结温度降低160~210℃,谐振频率温度系数τf随B2O3掺入量增加,但烧结温度对其没有明显影响.在990℃.掺入质量分数为1.0 %的B2O3,陶瓷微波介电性能最佳:εr=33.1,Qf=13 700 GHz,τf=-6.8×10-6/℃;而且,掺入2.0%的B2O3,在940℃烧结4 h,能获得介电性能良好的陶瓷,其εr=31.4,Qf=8 700 GHz,τf=-5.2×10-6/℃. 相似文献
987.
Co2O3掺杂0.85PZT-0.15PZN压电陶瓷的性能 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了添加Co2O3对0.85PZT-0.15PZN陶瓷的压电和介电性能的影响.研究结果表明:随着Co2O3掺杂量从0增加到0.4%,介电损耗因子tanδ大幅降低,同时压电常数d33和介电常数εr降低.当添加质量分数为0.4%的Co2O3时,tanδ,d33,εr分别由未掺杂时的0.024,360 pC/N,1 100降低到0.003,220 pC/N,600.当添加Co2O3超过0.4%时,d33,εr,tanδ的下降趋于平缓;当添加Co2O3超过0.7%时,陶瓷的漏电流增加,难以极化.实验发现,添加质量分数为0.4%的Co2O3比未掺杂陶瓷的烧成温度降低了近100℃,并且形成了晶粒尺度在1.O~2.5μm均匀致密的陶瓷. 相似文献
988.
采用射频(RF)磁控溅射法在P型(100)Si基片上沉积了HfO2薄膜,利用HP4294A测试了薄膜的介电特性。结果显示:在不同功率下制备的HfO2薄膜的漏电特性良好,介电常数最高达到24,接近于理论值25。 相似文献
989.
化学反应过程中的等效复介电系数测量是微波化学研究的重要内容.传统的复介电系数测量方法一般都需要测量反射系数的相位.而在大功率微波条件下,很难做到对反射系数相位的准确测量.为解决该问题,基于天线模型提出了一种新的测量方法.并对氯化钠水溶液和甲醇/乙醇混合溶液的复介电系数进行了测量.实验结果和相关文献中的公式计算值基本吻合. 相似文献
990.
侯秀红 《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》2007,25(6):11-13
采用X射线衍射技术(XRD)考察了金属氧化物V2O5在介孔二氧化硅分子筛上的分散,研究结果表明应用浸渍法将V2O5浸渍于介孔二氧化硅分子筛中,在低于V2O5熔点的适当温度下焙烧后,与未浸渍V2O5样品相比,晶胞参数a值明显增大,说明钒离子掺入了介孔二氧化硅分子筛的骨架中;在一定范围内随着V2O5加入量的增加其在介孔二氧化硅的表面的分散量也在增加,而V2O5残余晶相量远远低于加入的量,说明V2O5掺入介孔二氧化硅分子筛骨架的同时可在介孔二氧化硅的表面成单层分散。 相似文献