冷核聚变实用化:大突破还是大骗局

虽然主流科学界对冷核聚变持否定态度,但是也有许多科学家并未就此罢休,22年来,不断有人坚持探索"冷核聚变"的可能性。     

GIS局部放电在线检测技术分析

简单介绍了GIS成套封闭式高压电器设备,并对其局部放电的产生和类型进行了简要叙述。详细分析了化学法、光学法、光机械振动法、电气测量法、超声波法、特高频（UHF）法这几种GIS局部放电在线检测方法。介绍了几种检测新技术及其实际应用情况。     

任意方向运动多层介质中电磁波的传播特征

利用Lorentz变换矩阵和运动各向同性均匀介质中电磁场量间的关系及边界条件,详细推导了,当多层介质沿任意方向运动时,入射波在运动系下,在静止参考系中其多层介质界面上电磁波场量传播特征的矩阵递关系和波矢量的变化关系.     

斜入射激光脉冲与稠密等离子体相互作用产生的阿秒脉冲

利用一维粒子模拟程序研究和比较了斜入射和垂直入射激光脉冲与稠密等离子体相互作用得到的阿秒脉冲以及激光强度对阿秒脉冲转换比率的影响.同样参数下,斜入射的阿秒脉冲转换比率明显高于垂直入射的情况,滤波后得到的阿秒脉冲振幅比较大,而脉冲串中阿秒脉冲的个数则是垂直入射时的一半.根据振荡镜面模型对两种情况进行了分析,由镜面振荡方程可以对结果给出解释.保持等离子体密度不变,增大入射激光强度时,随着滤波次数的增加,斜入射与垂直入射的阿秒脉冲的转换比率逐渐趋于相同.300次以上高通滤波后我们得到了处于X射线范围的阿秒脉冲.     

超短激光脉冲在非均匀等离子体中的传输特性

用一维粒子模拟研究了超短激光脉冲在非均匀等离子体中传输时产生的光孤子结构和脉冲的分裂现象.比较了不同的激光强度和等离子体密度梯度对脉冲传播的影响.研究表明:超短激光脉冲在非均匀等离子体中传播时能产生传输的类孤子结构;随着入射激光强度的增大,等离子体对激光的反射密度反而减小,孤子脉冲的平均传播速度也减小;随着等离子体密度梯度的增大,等离子体对激光的反射密度变大,孤子脉冲的平均传播速度减小,孤子脉冲传播到高密度梯度的等离子体区域时,发生了全反射,反射的孤子脉冲在传播过程中由于能量的损失,低频脉冲被等离子体俘获,形成后孤子,而高频脉冲则继续传播,使得脉冲分裂.     

一类具有耦合非线性边界流的多孔介质方程组解的整体存在性与爆破(英文)

研究一类具有非线性边界项的多孔介质方程组的半无界问题解的整体存在性和爆破问题.通过构造自相似上下解和利用比较原理得到它的整体存在曲线和临界Fujita曲线,讨论了低阶项系数对解的临界Fujita曲线的影响.     

铜质火锅使用过程中的金属元素含量分析

探讨酸菜在铜质容器中熬煮,砷、汞、铅、镉、铬、镍、铜等元素含量的变化.以微波消解预处理样品,运用ICP-MS、HG-AFS法测定铜锅熬煮酸菜过程中汤料、酸菜中重金属元素的含量变化.在紫铜锅中熬煮酸菜6 h,可使锅体汞、铅、铜溶出较多,镉、铬、镍少量溶出,基本无砷溶出.其中,汤料中汞、铅、铜、镉、铬和镍分别约增加914%、65%、513倍、55%、46%和60%,酸菜中汞、铅、铜、镉、铬和镍分别增加81%、159%、375倍、19%、142%和70%.从健康角度出发,紫铜锅可能不适宜作酸菜类火锅的烹饪容器.     

两表面层铁电薄膜体介质层效应理论研究

基于横场伊辛模型的平均场近似理论,研究了具有两个表面层铁电薄膜的体介质层对整个铁电薄膜相变性质的影响.给出了一个适合于研究任意层数具有两个表面层及体介质层铁电薄膜相变性质的递归公式.研究了体介质层的交换相互作用参量和横场参量对整个铁电薄膜相图的影响,以及交换相互作用参量对横场参量过渡值的影响和横场参量对交换相互作用参量的影响.结果表明,相图中铁电区、薄膜的居里温度、体介质层的横场参量过渡值均随体介质层的交换相互作用参量的增大而增大;体介质层的交换相互作用参量随体介质层的横场参量的增大而增大;而相图中铁电区、薄膜的居里温度却随体介质层的横场参量的增大而减小,并且发现体介质层的交换相互作用参量对薄膜的影响比其横场参量稍大些.最后也给出了两个表面层的交换相互作用对相图的影响.     

有限磁场作用下等离子体填充螺旋线慢波结构的色散分析

将等离子体填充的螺旋线慢波结构置于一纵向有限磁场中,考虑到磁化等离子体和介质的作用,该系统沿径向分为两个区域.采用螺旋导电面模型,利用已导出的慢波结构色散方程,数值计算了在不同的等离子体密度和磁场强度条件下,螺旋线慢波结构的色散特性,并对数值计算的结果进行了详细的分析.     

低压太阳能草坪灯驱动控制器的设计与仿真

设计一种能在0.8V下工作的低压太阳能发光二极管草坪灯驱动控制器.控制充电回路通断的开关管集成在芯片内部,系统只需外接一个电感和光敏电阻.该驱动电路具有光开关自动控制放电、蓄电池过放迟滞保护等功能,且发光二极管灯无闪烁.仿真结果表明,芯片的工作电压为0.8～1.5V,输出平均电流在3～300 mA内可调,发光二极管灯效...