浅议高校计算机实训室的管理与维护

当今高职院校办学质量评价的好坏很大部取决于实训室与实训基地开展深度,而深度的最直接表现就是管理水平的;而作为学生校内实训场所的实训室就是最好的体现,由于是师生开展实训教学与科研的重要基地,那么如何保证这一基地的正常运作就显得尤其重要,本文就计算机实训室的管理与维护存在的问题与解决问题的方法作简单的浅议。     

回火对应力退火Fe基薄带磁各向异性的影响

对应力退火的Fe基纳米晶薄带进行540℃回火处理,采用HP4294A型阻抗分析仪测量回火不同次数样品的纵向驱动巨磁阻抗(LDGMI)曲线.对系列LDGMI曲线特征与回火次数的关系进行分析,结果表明:回火释放了Fe基纳米晶薄带应力退火导致非晶基体滞弹性形变而引入的拉应力,使得样品的磁各向异性场减小.经过7次回火处理,应力退火感生的磁各向异性场从2 632.29 A/m减小到1 139.39 A/m.     

基于氧化石墨烯-微纳光纤的微加热器制备及其性能研究

利用近红外光在微纳光纤传输时产生的强烈倏逝场效应将氧化石墨烯沉积在微纳光纤表面,组装成具有优异光热转换性能的氧化石墨烯-微纳光纤,得到一种新型的光驱动微加热器.通入较小功率的近红外光,微加热器能诱导各种液体(例如N,N-二甲基甲酰胺、去离子水)产生高温相变进而产生微泡,显示了良好的光热转换效应.结果表明,在N,N-二甲基甲酰胺中,微泡按一定周期循环生长,重复搅动液体.在微流芯片中,这些微泡可用于操控微纳米颗粒、微纳米线等.在去离子水中,产生的微泡结构稳定、不易破裂,可用于聚集微粒等.该微加热器具有制备简单、尺寸小、损耗低、激发功率小、效率高等优良特性,在微机电系统、微流控芯片等领域具有良好的应用前景.     

古代知识分子理想人格与现实的两难抉择——兼谈李光地的历史评价问题

古代知识分子都面临理想人格与现实困境的两难抉择,其中人性恶的一面与其说是人格的堕落,不如说是社会的悲剧。李光地作为古代知识分子的典型之一,一生饱受争议,然观其一生,为清初时期的社会安定、经济发展和文化繁荣作出了重要贡献,是奠定清政府思想统治重心的"理学名臣",可谓大节彰显,无可厚非。     

利用GMI效应表征FeCuNbSiB薄带的磁结构

介绍了利用GMI效应表征540℃加不同加张应力退火的FeCuNbSiB薄带的磁结构,并结合磁力显微镜观测法进行分析。实验结果表明:该样品具有横向易磁化结构和纵向易磁化结构的复合结构,随着应力的增大,横向各向异性场呈线性增大,这跟其他研究者的研究结果相一致。采用GMI效应表征软磁材料磁结构的方法是传统磁结构表征方法的一个有益补充。     

Co基非晶合金薄带的非等温晶化动力学效应

采用非等温差示扫描量热法（DSC）研究了Co基非晶合金的晶化动力学.结果显示：随着升温速率的增加,特征温度Tg,Tx,Tp向高温区移动,且玻璃转变逐渐明显,过冷液相区逐渐加宽,表明该系列合金的玻璃化转变和晶化均具有动力学效应.用Kissinger方程计算了合金系的玻璃转变和晶化的表观激活能,发现与常规Co基非晶合金相比,具有强玻璃形成能力的Co基非晶合金的晶化激活能明显增大,由此说明该类非晶合金具有更高的非晶稳定性.     

FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应

采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应．实验结果表明：不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0．8,1．5和3．0μm厚薄膜样品在40kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60．112％,262．529％和400．279％,外场灵敏度分别为1．06％,3．85％和3．03％／（A·m^-1）．采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应的巨磁阻抗效应．     

FeCo基合金非晶晶化及介观结构

用等温退火方法对FeCo基合金薄带进行晶化处理,测量发现在540℃温度退火下巨磁阻抗效应最大,其值为1571.52%.在此基础上用原子力显微镜观测了不同温度退火的FeCo基合金薄带的断口形貌,分析了退火温度对FeCo基合金介观结构的影响,结果表明随着样品退火温度增加,晶粒尺寸逐渐长大,在540℃温度退火时晶体趋于完整,具有最好的软磁性.     

脉冲对激发的上能级布局振荡

引入时间演化算符，证明均匀增宽二能级体系在飞秒激光脉冲对作用下上能级激发态布居是周期性变化的，它以飞秒脉冲对之间的延时为时间轴，以该原子能级之间的跃迁频率为振荡频率。     

Na原子双光子共振非线性光学效应实验研究

用激光脉冲双光子共振激发基态Ｎａ原子到近４ｄ能级，研究在改变入射激光波长，功率密度以及Ｎａ原子数密度等条件时Ｎａ原子的各种三阶非线性光学响应。