GaAs和ZnSe中极化子的压力效应

考虑电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,计入压力效应,采用改进的线性组合算符法讨论极性晶体中的~族GaAs和~族ZnSe极化子的性质.在中间耦合极限下,数值计算得到了这两种极化子的耦合常数、自陷能、有效质量和围绕电子的平均虚声子数随外加压力的变化关系.结果表明:压力对~族材料的影响比较大.     

量子棒中极化子基态能量的杂质效应

通过坐标变换把量子棒的哈密顿量由椭球边界变为球形边界.采用线性组合算符方法,研究了量子棒中弱耦合杂质极化子的基态能量与椭球纵横比、量子棒的横向和纵向有效受限长度、库仑束缚势和电子-声子耦合强度的关系.结果表明：基态能量随有效受限长度的减少而迅速增大.表现出量子棒珍奇的量子尺寸限制效应.基态能量随库仑束缚势、纵横比和耦合强度的增加而减少.     

齐分子吡咯中极化子和双极化子及其稳定性

采用半经验Austin Model 1(AM1)方法，计算了齐分子吡咯聚合物(PPy)的中性态和带电态的几何结构性质．与中性态相比，带电态下其分子结构表现在C-C键长发生显著改变，单电荷掺杂导致极化子元激发；当掺杂的双电荷随机放置时，出现了两种情况：一种情况下产生双极化子，另一种情况下会产生两个分立的极化子．通过控制链的长度．可实现极化子与双极化子之间的相变，从而揭示出在有机半导体材料中实现自旋极化输运的可能性．     

极化子速度对束缚磁极化子的声子平均数的影响

采用改进的线性组合算符和幺正变换方法研究了晶体中束缚磁极化子的性质．导出了晶体中强、弱耦合束缚极化子的声子平均数与极化子速度的关系．通过对RbCl和ZnO晶体进行数值计算，结果表明：晶体中强、弱耦合束缚磁极化子的声子平均数均随极化子速度的增加而增大．     

双声子关联效应对束缚磁极化子基态能量的影响

在LLP正则变换基础之上，引入线性组合算符，选取一个包含双声子关联效应的基态计算库仑束缚磁极化子的基态能量．计算表明，考虑声子关联效应时，束缚磁极化子的基态能量降低．双声子关联效应所对应的能量与耦合常数的二次方密切相关．     

反式聚乙炔的高激发态极化子

在Su-Schrieffer-Heeger（SSH）模型基础上,计入长程电子关联的影响,研究反式聚乙炔分子链中的高激发态极化子的稳态性质.与一般的低激发态极化子比较,高激发态极化子的晶格畸变更宽更深,能隙中的两个局域几乎重合,除了在1.35 eV附近的peirls吸收峰,高激发态极化子仅有一个约0.65 eV的低能吸收峰,而普通极化子有2个低能吸收峰,一个在0.175 eV附近,一个在0.85 eV附近.这些区别为区分两类极化子提供判据.     

卤族桥接混合价化合物中的非线性晶格弛豫(英文)

对卤族桥接含金属离子的混合价化合物(HMMC)的研究,近年来引起人们广泛的兴趣,因为这种物质具有准一维电荷密度波基态,能生长成良好的单晶,是研究低维量子理论的一种良好的样品,具有很大潜在的应用前景.本文根据作者所发展的处理电子-声子作用的方法;提出了一个HMMC被光激发后的晶格驰豫模型,讨论了其对光感应吸收的影响,并在此基础上,计算了光感应吸收峰,较之其他模型所算得的结果更符合实验事实。     

表面极化子光学声子平均数的温度效应

采用线性组合算符和改进的线性组合算符法导出了二维极性晶体中强弱耦合极化子光学声子平均数，并讨论了光学声子平均数与温度的关系．     

磁场中光学极化子的性质研究

采用Huybrechts线性组合算符法、幺正变换法和变分法,得到了晶体中电子体纵光学(LO)声子相互作用系统的有效哈密顿量、振动频率和基态能量,并对磁场的两种极限情况(强磁场、弱磁场)进行了讨论。为了更清楚直观地反映晶体中磁极化子的性质,对CsI晶体进行了数值计算,得出了晶体中电子体纵光学声子强耦合系统的振动频率、基态能量与磁感应强度的关系曲线。结果表明,磁极化子的基态能量的绝对值和振动频率都随磁感应强度的增加而增大。     

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子、杂质与声子的相互作用 ,利用改进的 LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量 .对 Zn1-xCdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系 .结果表明 ,杂质 -声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负 .