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61.
探讨逆时偏移处理技术及井震联合断层识别技术在复杂断块构造解释中的应用。以海拉尔盆地南贝尔凹陷东次凹为例,通过逆时偏移处理技术对原始三维地震资料进行重新处理,改善断层成像效果,频带和频率均提高10Hz以上;优选了倾角-方位角、三色混相分频、相干体和蚂蚁体属性,采用分步、分层次进行断层精细识别,结合井断点信息,精细刻画了断距15m以上断层。断层变化以新增小断层为主,断层组合样式为放射状、棋盘式、羽状、"入"字形等,走滑作用是导致断裂系统复杂化的重要因素。 相似文献
62.
在海底地形的三维可视化表达中,三维颜色渐变渲染方法能够直观、方便地表达海底地形的起伏变化。本文分析比较了颜色模型与光照模型,提出基于HSL颜色模型的海底地形多色渐变渲染与配色方法,基于OpenGL进行了真实感光照模型的设置,并分析了影响光照效果的相关因素,最终实现了以海底数字高程模型为数据基础并叠加颜色及光照渲染真实感三维海底场景的建立。文中基于MFC平台进行了程序实现,并与常见海底地形成图软件的渲染效果进行了比较,对比结果证明本文所提出的渲染方法地形显示准确,渲染效果美观。 相似文献
63.
为满足新一代箱式远程制导火箭弹系统及其新型战斗部的需求,对单型炸高可选择近炸引信进行研究.该型引信的炸高覆盖范围大且炸高可选择,既能满足大威力整体战斗部和电磁脉冲战斗部的炸高需求,又能满足子母战斗部的精确定高开舱需求,对提高陆军精确打击能力具有重要的军事价值.为此,提出一种基于毫米波相控阵探测器的炸高解算方法,通过相控阵探测器测高数据与惯性导航数据的融合处理,实时计算火箭弹飞行高程,从而实现炸高控制.并且将融合结果作为惯导的初值来计算下一时刻的惯导测高数据,在一定程度上减少了由于时间积累造成的惯导测量误差,提高了测高精度.仿真实验证明了该方法的有效性和炸高解算精度. 相似文献
64.
以氧化石墨烯为原料,在水热条件下将乙二胺接枝到氧化石墨烯表面,以Ag NO3溶液为银源,通过原位还原方法制备了石墨烯载银复合抗菌剂,并采用正交试验对乙二胺载银复合抗菌剂的制备工艺进行研究,根据其实验结果,对石墨烯载银纳米复合材料中改性时间、乙二胺含量、络合时间对纳米复合材料中银含量的影响做了分析. 相似文献
65.
为了制得插层型或剥离型的聚合物/层状硅酸盐纳米复合材料,对微晶白云母分别进行热活化处理、酸浸处理和硝酸锂处理,再利用溶液搅拌法,将十六烷基三甲基溴化铵作为插层剂,对其进行有机化改性,并对改性后的微晶白云母进行X射线衍射、热重分析及红外光谱分析.实验结果表明:将十六烷基三甲基溴化铵成功插入到微晶白云母中,使微晶白云母的层间距从原始的1. 02 nm最大扩大到2. 99 nm. 相似文献
66.
在5℃低温胁迫下,用不同浓度水杨酸(0,0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0,3.5 mmol/L)处理菌草幼苗,通过测定过氧化物酶(POD)活性、丙二醛(MDA)含量和相对电导率,研究水杨酸对菌草抗冷性的影响,结果表明:在低温胁迫下,水杨酸处理能显著影响菌草的POD活性、MDA和相对电导率,其中,用2 mmol/L水杨酸处理后,过氧化物酶活性增加最显著,与对照相比较有显著差异,用1.0 mmol/L水杨酸处理后,能显著降低菌草的丙二醛含量,用1.5 mmol/L水杨酸处理后,能显著降低菌草的相对电导率。表明在低温胁迫下用1.0 mmol/L至2 mmol/L水杨酸处理能提高菌草的过氧化物酶活性,降低丙二醛和相对电导率,能提高菌草的抗冷能力。 相似文献
67.
为探讨白黄链霉菌TD-1菌株挥发性有机物(VOCs)对灰霉孢菌的抑制作用,采用双皿对扣法测定VOCs对灰霉孢菌的抑菌率,通过扫描电镜观察VOCs对灰霉孢菌菌丝体的影响,利用GC/MS技术对VOCs组分进行分析。结果表明,作用5d后,6.0g TD-1菌株麦麸培养物产生的VOCs对灰霉孢菌的抑菌率为66.67%,灰霉孢菌的产孢量(3.9×106个/cm2)较空白组(5.9×107个/cm2)显著降低(p<0.01),且菌丝形态异常、表面粗糙,菌体细胞膜通透性增强。TD-1菌株VOCs由63种组分组成,其中2-甲基异冰片(13.52%)和1,4-二甲基金刚烷(14.08%)的相对含量较高。白黄链霉菌TD-1菌株产生的VOCs对灰霉孢菌良好的抑制作用为将其开发成生物熏蒸剂提供了理论依据。 相似文献
68.
主要设计应用了一款栅极调制与漏极调制相结合的固态功率放大器双脉冲调制电路。设计的双脉冲调制电路主要解决了固态功率放大器放大管在漏极上电过程中引起的芯片自激干扰问题。主要采用大电流NPN三极管BU407和高速大电流低内阻的P沟道MOS管IRF4905为固态功率放大器设计了漏极脉冲调制控制电路,采用高速功率MOSFET驱动器MC33152为固态功率放大器设计了栅极脉冲调制控制电路,双脉冲调制电路可直接控制固态功率放大器的工作状态,消除单一调制电路引起的自激等问题。 相似文献
69.
70.