硬脂酸/二氧化硅复合相变材料的制备

采用溶胶-凝胶法，制备了硬脂酸／SiO2复合相变材料．分别应用差示扫描量热仪（DSC）红外光谱仪（IR）和扫描电镜（sEM）测试了所制备复合材料的相变温度、相变焓、相变可逆性和微观结构．DSC测试结果表明该复合材料具有较好相变可逆性，相变焓和相变温度与纯硬脂酸相比均有降低．IR分析表明硬脂酸与二氧化硅之间是简单的嵌合关系．SEM表明复合材料表面具有多孔结构，改善了复合材料的相变可逆性。     

SiO2-CS-Pd对间-硝基苯甲醛的催化氢化

研究了二氧化硅负载的甲壳胺-钯配合物(S iO2-CS-Pd)在间硝基苯甲醛加氢还原中的催化性能,发现此催化剂在温和条件下(0.100 M Pa,40℃)能高活性地催化间硝基苯甲醛还原,得到相应的间胺基苯甲醇.40℃下,反应12 h,间硝基苯甲醛被100%转化,反应产物间胺基苯甲醇收率达到98.6%.通过XPS的表征也确证了S iO2-CS-Pd中N原子与Pd原子之间配位键的形成.反应温度、Pd金属负载量、反应时间、反应溶剂、氢气压力等条件对该催化剂的活性及选择性有明显影响.该催化剂重复使用十次后,催化活性和选择性未见明显下降,具有良好的稳定性.     

M+/SiO2型强碱性催化剂的制备及表征

以醋酸甲酯、甲醛为原料合成丙烯酸甲酯为探针反应,利用微反色谱实验装置,经过大量实验筛选出具有催化作用的K /SiO2型、Li /SiO2型碱性催化剂,其酯化率效果较好,并对其比表面积(BET)、孔径分布进行了表征和评价。     

表面活性剂浓度对介孔二氧化硅形貌的影响

以十六烷基氯化吡啶（C16PyCl）为模板剂，正硅酸四乙酯（TEOS）为硅前驱体，甲酰胺为助溶剂，在酸性条件下合成了不同形状的纳米介孔二氧化硅，并使用扫描电镜（SEM）、小角X射线衍射（SXRD）和N2气体吸附技术对其进行了表征。结果表明合成样品具有MCM-41的有序六方孔道结构，煅烧样品的吸附测量显示典型的Ⅳ型吸附等温线和H1型滞后环，孔径分布较窄。随着C16PyCl浓度的增加，产物形貌由不规则的螺旋球逐渐过渡到表面光洁的多面体形状。     

酸催化二氧化硅溶胶的制备及稳定性研究

以正硅酸乙酯、水、乙醇为原料，硝酸为催化剂，制备了SiO2溶胶．研究了pH值、水量、乙醇量、反应温度、反应时间以及溶胶陈化温度等因素等对SiO2溶胶稳定性的影响，以便实现对二氧化硅溶胶稳定性的控制．实验结果表明，随着体系pH值的升高、乙醇量的增大，溶胶的凝胶时间延长，溶胶的稳定性也增强．随着体系水量的增加，溶胶的稳定性先减小后增大，在水酯摩尔比Rw=7．2时，溶胶的稳定性达到最小；随着反应温度的升高、反应时间的延长，溶胶的稳定性降低；采用较低的陈化温度有利于提高溶胶的稳定性．在溶胶粘度发生急剧变化之前溶胶是相对稳定的．     

固定化植物酯酶-显色剂传感膜的制备与性能

采用聚乙烯醇(PVA)与四乙氧基硅烷(TEOS)通过原位溶胶-凝胶法制备了PVA/SiO2有机/无机杂化溶胶,并将显色剂和植物酯酶分散于溶胶中,干燥成膜,得到一类透明度高、亲水-亲丙酮性可调、贮存性好的传感膜.该传感膜在乙酸-α-萘酯溶液中,会于可见光520 nm处出现一个新的吸收峰.传感膜在制备后的12天内活性明显下降,之后基本保持稳定,并且冷藏活性下降率要比室温保存的小很多.但不论是冷藏还是在室温下保存,被固定在杂化膜中的酶活稳定性都比在溶液状态下的明显提高.     

纳米SiO2对硅酸盐水泥性能影响实验研究

初步研究了粒径在纳米级的硅粉(纳米SiO2)的基本性质及纳米SiO2对浆体流动性、水泥凝结时闻、抗压与抗折强度的影响，并利用XRD、SEM等微观手段，分析了其对水泥性能影响的机理．结果表明，纳米SiO2具有良好的水泥适应性，能较好改善硅酸盐水泥的性能，其最佳掺量为胶凝材料总质量的5％～6％。     

纳米二氧化硅水分散体的制备及复配

通过粒子紧密堆积数学模型计算得到不同粒径硅溶胶粒子间的最优配比，在此基础上合成了3种不同单分散粒径的硅溶胶。将不同粒径硅溶胶按数学模型计算的比例加入到钾水玻璃中，复配制备了不同纳米二氧化硅水分散体。与由单一粒径硅溶胶形成的膜相比，由不同粒径硅溶胶复配后形成的膜，呈现出较高的结构致密性和憎水性，与由粒子紧密堆积模型推导结果吻合。     

二氧化硅粒径对酸性硅溶胶稳定性的影响

研究了不同条件下纳米二氧化硅粒径对酸性硅溶胶稳定性、粘度的影响。结果表明，随着二氧化硅粒径的增加，酸性硅溶胶的稳定性及粘度均得到较好的改善，提高纳米二氧化硅的粒径对制备高浓度、低粘度的酸性硅溶胶有十分重要的作用。     

含纳米硅的SiO2薄膜电致发光的数值分析

考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致.