一种DOT5.1硼酸酯型汽车制动液的制备

以正丙醇和环氧丙烷反应合成聚丙醇丙醚,考察了反应温度、压力的影响,确定合成聚丙醇丙醚最佳反应温度为160～180 ℃;再采用脱色吸附过滤及减压蒸馏工艺处理得到四、五(六)聚丙醇丙醚,收率为80%.以硼酸和1,3 丙二醇合成六元环硼酸酯,再加入四、五(六)聚丙醇丙醚继续合成,最佳工艺条件为硼酸与醇和醚的质量比为 1∶1.23∶28,前阶段反应温度120 ℃,反应时间2 h,酯收率达81.35%;后阶段反应温度150 ℃,反应时间1 h,酯收率达89.68%.对合成产品进行了红外分析,推测出合成产品的结构.以合成的四、五(六)聚丙醇丙醚和六元环聚醚硼酸酯为主体材料,复配添加剂,制备了高性能硼酸酯型汽车制动液.对该制动液产品的质量检测表明,其性能指标达到美国DOT5.1规格要求.     

关于LNG加气站设计及运行过程中的几点技术讨论

本文介绍了LNG加气站相应设计及运行方面的几点注意事项,简要阐述了几点改进和优化的方面,为设计者及运行者提供部分参考。     

BOX-BEHNKEN设计-效应面法优化黑胡椒中的胡椒碱提取工艺

以黑胡椒为原料,采用乙醇热回流方法提取其中的胡椒碱,研究了乙醇浓度、料液比、提取次数、提取时间这4个因素对胡椒碱得率的影响,同时利用BOX-BEHNKEN试验设计方法研究这个4个因素对胡椒碱得率的影响并进行优化.分析结果表明,最佳工艺参数为:乙醇体积分数83％,料液比1:11,提取次数3次,提取时间2.5 h.胡椒碱得率可达5.45％,预测值与实际值高度一致,表明该工艺可提高从黑胡椒中提取胡椒碱的得率,为以后黑胡椒的深度开发提供了参考.     

copylft及其译法

通过对copyleft与和copyright的分析,指出它们是两种根本对立的版权思想,并指出应以一种新的译法对它们进行表述.     

含氟丙烯酸酯阴极电泳涂料的制备及防腐性能

选用异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、封闭剂3,5-二甲基吡唑(DMP)、可阳离子化扩链剂三乙醇胺(TEOA)、含氟丙烯酸酯单体ZonylTM及其它丙烯酸酯单体合成了用于含氟阴极电泳(CED)涂料的阳离子型丙烯酸酯树脂和阳离子型封闭异氰酸酯固化剂(TId). 通过傅立叶变换红外光谱对合成的树脂和固化剂进行了表征;采用差示扫描量热、热重分析法分析了CED涂料的固化行为,发现CED膜可在较低温度(90 ℃附近)开始交联. 对含氟CED膜接触角的测定证实,含氟阴极电泳涂料是得到低表面能涂层的有效方法. 利用电化学阻抗谱对漆膜的耐腐蚀性进行了分析,发现含氟丙烯酸酯的引入可以提高漆膜的防腐性能.     

基于HSV颜色空间加权Hu不变矩的台标识别

该文根据台标的视觉特征，提出基于时空不变区域检测的方法来进行台标分割，并对台标特征提出用基于HSV颜色空间的加权Hu不变矩进行描述，最后采用基于知识库的方法进行台标识别。实验表明：该算法识别正确率较高，效果基本令人满意。     

含氟丙烯酸酯阴极电泳涂料的制备

选用异佛尔酮二异氰酸酯（IPDI）﹑封闭剂3, 5－二甲基吡唑（DMP）﹑可阳离子化扩链剂三乙醇胺（TEOA）﹑含氟丙烯酸酯单体ZonylTM及其它丙烯酸酯单体合成了用于含氟阴极电泳（CED）涂料的阳离子型丙烯酸酯树脂和阳离子型封闭异氰酸酯固化剂TId. 通过傅立叶变换红外（FTIR）对合成的树脂和固化剂进行了表征; 用差示扫描量热（DSC）﹑热重分析（TGA）观测了CED涂料的固化行为, CED膜可在较低温度（90℃附近）开始交联. 对含氟CED膜的接触角的测定证实, 含氟阴极电泳涂料是得到低表面能涂层的有效方法. 利用电化学阻抗谱（EIS）对漆膜的耐腐蚀性进行了分析, 发现含氟丙烯酸酯的引入可以提高漆膜的防腐性能.     

基于IPv4的路由信息协议软件实现

为了解决人工配置路由表比较复杂的问题,对路由信息协议（RIP）进行了比较彻底的分析,包括其工作原理、报文格式和主要实现机制,为了以软件的形式验证其动态路由功能,对其某些机制进行了简化和重新设计,同时结合其报文格式和实际需求对路由表的结构也进行了重新架构,实现完成后将其移植到软件路由器上对其正确性进行了检验,得到了预想的结果,这同时也提供了对其他的动态路由协议进行软件实现的基础。     

单点背馈圆极化微带天线的设计与实现

采用有限元法对一个5.6 GHz 的单点馈电的五边形宽带圆极化微带天线进行理论分析及设计实现,给出了完整的设计过程,找到了一种确定馈电点位置的合理方法.在此基础上,采用HFSS三维电磁仿真软件进行优化设计,根据优化结果做出实物并测量参数.测试结果与仿真结果吻合,说明该方法是有效可行的.     

非晶Mg-In-Sn-O薄膜晶体管的制备及有源层厚度对其电学性能的影响

制备了Mg-In-Sn-O薄膜晶体管(MITO-TFT)并探究了其电学性能.作为薄膜晶体管有源层的MITO薄膜在室温条件下通过射频磁控溅射沉积在SiO2/p-type Si衬底上.为了优化MITO-TFT的器件性能,研究了有源层厚度对器件性能的影响.结果表明25nm厚度的器件拥有最高的迁移率,为12.07cm2/Vs,同时阈值电压为4.8V,开关比为1.95×106.