傣族药皇旧提取物清除活性氧及抗氧化作用研究

利用Fenton反应、光照核黄素产生活性氧自由基·OH、O2,分光光度法研究了傣族药皇旧(旱莲草)提取物体外清除·OH、O2的作用.通过硫代巴比妥分光光度法研究皇旧提取物·OH引起的DNA氧化损伤的保护作用.实验结果表明皇旧提取物能有效清除·OH、O2自由基,对DNA的·OH氧化损伤有显著抑制作用.     

基于工作流驱动的手术临床路径建模及系统架构

针对手术业务流程的复杂性,提出了基于工作流驱动的手术临床路径管理系统,并给出了其整体架构.在一种基于节点和连接的手术临床路径工作流建模方法和路由实现规则的基础上加入了时间约束机制.利用该管理系统的整体架构,对一个案例运行情况进行了说明.     

爆炸荷载下钢筋混凝土T梁的应变与损伤

为了探究在爆炸荷载作用下,钢筋混凝土T梁桥的损伤状况及动态响应规律,制作了钢筋混凝土T梁桥,预先埋入5个压电智能骨料用以监测桥梁模型的损伤状态,在翼板和腹板粘贴6组应变片,测量在爆炸荷载作用下的模型应变值的变化规律,进行对比分析。结果表明,模型翼板上的相同测点位置的横向应变均大于其纵向应变,腹板上的相同测点位置的纵向应变均大于其横向应变;利用智能骨料的主动监测技术,监测结果显示了模型内部的损伤程度。说明压电智能骨料可以对模型在爆炸荷载作用后的损伤程度提供判定依据;应变结果与损伤结果均显示,钢筋混凝土T梁桥的翼板比腹板更容易破坏。     

基于改进型径向基函数网络的船舶非线性航向自适应逆控制

针对非线性船舶控制中传统自适应控制方法存在的实时参数调整复杂、鲁棒性差等缺陷,提出了一种基于改进型径向基函数(RBF)网络的自适应逆控制(AIC)方案,RBF网络相比通常的非线性自适应模型,结构更为简单且不存在局部极小问题.对“The R.O.V Zeefakkel”散装船非线性模型的仿真结果表明,AIC在显著改善对象动态响应性能的同时,具有良好的鲁棒性和扰动消除能力,适用于对机动性要求较高的中小型船舶控制.     

一种动态自适应医院门诊排队模式

提出了一种动态自适应排队模型,并设计了相关排队算法.根据病人的优先级和在队列中所占的比例不同设置不同的权重参数,该参数可通过层次分析法(AHP)获得,考虑病人等待时间长短和队列长度动态改变病人的就诊序列,并以一个实例验证了该方法.最后利用.NET编程平台、MS SQL Server 2000数据库平台以及TCP/IP网络构建了医院预约排队系统.     

应用遗传算法实现配电网的无功规划优化

以配网系统全年电能损耗和无功补偿设备投资之和最小为目标，建立了考虑系统不同运行方式下无功规划的数学模型。采用结合灵敏度分析的改进遗传算法求解数学模型，提出容性和感性无功的补偿规划原则。实例验结果表明，应用该模型和算法可以有效地对配电系统进行无功优化，优化后系统的网损明显降低，节点电压明显提高。     

Turbo译码中的SNR的即时估计

Turbo码由于其卓越的前向纠错能力在当今无线通信领域甚至有线通信领域受到了普遍的重视，WCDMA以及CDMA2000已经将其作为信道编码的关键技术。它的迭代译码过程需要SNR的确切信息，以此来获得单个译码器输出的后脸信息，因此主要探索了最终译码性能对SNR正确性的依赖程度，并且提供了一种SNR的估计方法，通过仿真显示出这种估计方法能够提供良好的译码性能。     

Turbo译码中SNR的即时估计

Turbo码由于其卓越的前向纠错能力在当今无线通信领域甚至有线通信领域受到了普遍的重视 ,WCDMA以及 CDMA2 0 0 0已经将其作为信道编码的关键技术。它的迭代译码过程需要 SNR的确切信息 ,以此来获得单个译码器输出的后验信息 ,因此主要探索了最终译码性能对 SNR正确性的依赖程度 ,并且提供了一种 SNR的估计方法 ,通过仿真显示出这种估计方法能够提供良好的译码性能。     

深度模型集成的不良图像分类

移动通信技术的飞速发展在提升用户通信体验的同时也为不良信息的散布提供了便利,针对如何在大量数据中进行不良内容的识别与过滤问题,提出一种基于深度模型集成的不良图像分类模型(EDM),通过集成多个结构不同、信息互补的深度模型来最优地区分分布差异较大的不良图像.为了验证本方法的有效性,建立一个真实移动通信场景下的不良图像数据集,并在此数据集上与基于传统支持向量机(SVM)的不良图像分类模型、基于深度卷积神经网络的Alexnet、VGG与Googlenet分类模型做对比.实验结果表明:本文所提深度模型集成方法在不良图像分类性能上明显优于其他模型,分类精度、精确率和召回率分别达到94%、84%和98%.     

InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟

采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法, 考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制, 模拟 InGaAs肖特基源漏MOSFET。结果显示, 在稳态下, 散射虽然改变了InGaAs肖特基源漏MOSFET沟道中沟道电势、电子浓度和速度的分布, 但对InGaAs肖特基源漏MOSFET的输出特性和转移特性影响较小; 而在施加阶跃漏端电压时, 散射的存在增加了过冲电流的峰值和转换时间, 降低了器件的截止频率。