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51.
<正>据欧洲核子中心(CERN)一发言人称,2013年2月停机升级的大型强子对撞机(LHC)有望在明年3月底重新启动。在停机期间,科学家对LHC进行了大规模的基础设施优化,为以后更高能量的运行做着准备工作。预计,升级后的LHC其质子束将以每束7万亿电子伏(TeV)的能量在环中循环,有助于科学家在新一轮的运行中搜寻新的物  相似文献   
52.
无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料,适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而,由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系,基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制;最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响,提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结,通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度.  相似文献   
53.
针对柔性制造系统的制造过程,建立了一个基于多种需求状态的多计划期多种产品类的能力规划模型.该模型考虑了机器的柔性、产品类的BOM约束(产品结构约束).由于建立的模型是一个大规模的混和整数规划问题,无法用一般的数学软件直接进行求解,由此提出了一种基于神经网络和遗传算法的求解近似最优解的方法,并通过实例分析验证了该方法的可行性及其在管理学上的意义.  相似文献   
54.
文章介绍了宁东一山东±660 kV直流输电示范工程(晋4标段)1 000 mm2大截面导线一牵四张力展放施工中,使用4个转向滑车转向布置牵引场的实践过程及施工中的注意事项.  相似文献   
55.
●中微子很神秘,通常很难通过实验进行研究。如果说我们对其一切都不了解,那是过于低调了——它们可能是快子态的,也可能不是。即便能进一步阐明其属性,或将揭示出新的和令人惊讶的结果,人们也希望,这将导致对亚原子世界的更进一步的了解。  相似文献   
56.
架空绝缘导线的应用及常见问题解决办法   总被引:1,自引:0,他引:1  
山东省鄄城县供电公司架设的绝缘架空线路自投入运行至今,其间充分显示了防止外力破坏事故和抵御自然灾害的优越性。本文阐述了架空绝缘导线的特点、规格、敷设方式和应用区域,同时在近几年安装运行中,发现架空绝缘导线存在遭受雷害多,导线容易进水氧化等问题,由此引起断线事故。对此进行分析制定对策,积极采取措施,不断改进,以提高架空绝缘线路运行水平。  相似文献   
57.
梁格法在预应力混凝土斜交箱梁桥中的运用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了现有斜交箱梁桥的主要计算方法,并分析其各自的特点与局限性,着重分析了梁格法的基本原理及应用于斜交混凝土箱梁桥中的计算方法,运用MIDAS/Civil桥梁结构计算分析软件分析了变宽的预应力混凝土斜交箱梁受力特点,并总结方法和基本规律给设计工作提供了参考.  相似文献   
58.
使用自主研发的快热快冷处理设备,对粉末装管Nb/Al前驱线进行快热快冷处理,然后再经过800℃10 h转变退火处理,得到具有Nb3Al超导相的超导短样.通过扫描电镜观察分析超导样品微观结构,发现所有样品均有Nb3Al相存在,但在靠近Ta管内层有少量的Nb2Al相,超导芯内有少量的Nb剩余.在制冷机冷却的环境下使用四引线法测试了样品的超导性能.结果表明,自场下在10.9 K温度时,没有铜稳定体的Nb3Al超导线最高临界电流密度是66.5 A/mm2,超导起始转变温度是15~18 K.  相似文献   
59.
微束X射线荧光分析谱仪及其对松针中元素的分布分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种小型的微束X射线荧光分析谱仪,它是由导管X光透镜和能量色散X射线荧光分析谱仪组成.谱仪具有较高的空间分辨率和能量分辨率.使用本谱仪对松树针叶进行了微区分析,得出各种元素沿松针长度方向和横切面径向的分布规律.结果表明使用X光透镜的微束X射线荧光分析方法可以实现植物样品的微区分析,有助于进一步了解植物的生长与元素迁移的关系.  相似文献   
60.
采用单一前驱体溶剂热法,在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作表面活性剂条件下,成功合成了ZnS纳米线束.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外变换吸收光谱及光致发光测试对样品的结构、形貌及物理性能进行了分析与表征.结果表明,所得产物为纯的六面体纤维锌矿ZnS纳米线束,直径在20~30 nm,长度为1.5~2.0μm,并对ZnS纳米线束的形成机理进行了探讨.  相似文献   
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