纵向磁场沉积态(F/SiO2)3/Ag/(SiO2/F)3多层复合结构膜的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法分别在零磁场和72 kA/m的纵向静磁场下, 制备了结构为(F/SiO₂)₃/Ag/(SiO₂/F)₃ (F=Fe_71.5Cu1Cr_2.5V4Si₁₂B₉)的多层复合膜. 研究了沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应. 结果表明, 在无磁场沉积态样品中未探测到GMI效应. 在沉积过程中加纵向磁场明显优化了材料的软磁性能, 从而获得显著的GMI效应. 在6.81 MHz的频率下, 最大纵向和横向GMI比分别高达45%和44%. 同时还分析了磁阻抗比、磁电阻比、磁电抗比和有效磁导率比随频率变化的行为, 发现磁场沉积态样品的纵向和横向GMI效应随频率变化的频谱曲线几乎重合. 阻抗在低频下主要是巨磁电感效应. 当频率 f >9 MHz时, 磁电抗比变为负值, 即电抗的性质从电感性变成了电容性.     

碳纳米管/壳聚糖衍生物传感器的制备及表征

以壳聚糖(CTS)、O-羟丙基壳聚糖(HPCHS) 和O-羟丙基-N-辛基壳聚糖(O-HP-N-C8-CTS)为分散剂,采用滴涂法制备3种多壁碳纳米管(MWCNTs)/ CTS衍生物传感器;以铁氰化钾(K3Fe(CN)6)为电化学探针,采用循环伏安法和交流阻抗法作电化学表征.结果表明:K3Fe(CN)6在MWCNTs/...     

话机线路不容忽视的公共阻抗——阻抗在电子线路中的影响之一

线路阻抗,线路设计时很容易不加考虑的忽略不计,实际应用中出现问题了,也还是不会想到线路阻抗的影响.详细分析计算的一个话机故障,就是一个典型案例.由于信号采样电流与话机总电流在回路上共用一根地线,因而总电流在公共地线上产生的压降直接影响了信号采样回路上的电压值.虽然公共地线阻抗的数值不大,但本案例已经造成数字电路采样的信号值出错,话机出现故障；又由于在地线阻抗微不足道的思维定势下,迟迟查不出原因.直到两年后换了新的技术人员,并在现场监测时,才查明原因得以解决.     

苯胺与聚硫橡胶复合膜阻抗表征

利用电化学交流阻抗的方法研究了苯胺与聚硫橡胶干态复合膜内的电荷传输问题，通过非线性最小二乘法拟合，得出了聚苯胺（ＰＡｎ）与聚硫橡胶不同配比原等效电路，并计算出其电荷的散系数和异相电子传递反应的交换电流。实验结果表明，干态膜中ＰＡｎ含量的增加，不但可以提高复合膜的导电性，而且可以提高反应活性。     

光敏剂诱导化学镀镍过程的交流阻抗研究

在光敏剂存在时 ,光照条件下可发生化学镀反应 ,阻抗图谱中出现一个容抗环和一个吸附环 ,吸附是H2 PO-2 在反应过程中的吸附 .     

短路容量法在电气工程计算中的应用之三相短路计算篇

本文详细介绍了该方法在电气系统分析，尤其在三相短路电流的计算中的应用。该方法在实际的嚼目中可作为电气供配电系统设计的初期计算，也可作为项目后期对计算机仿真软件计算结果的验证手段。     

退火张应力控制Fe基纳米微晶带各向异性场技术的研究

报道了测量Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0非晶带的应力退火方法，通过测量经0MPa~245MPa不同退火应力作用下的Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0微米微晶薄带的磁特性，发现通过退火应力的控制，可以控制基磁晶各向异性场HK；利用材料的磁阻抗曲线，可以测定其各向异性场。     

基于负阻抗电路的跨阻放大器的设计

对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真仿真结果表明，在具有相同的跨阻增益条件下，基于0.18 μm CMOS工艺下 shuntfeedback型跨阻放大器无负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为3.1 GHz，而具有负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为4.3 GHz，两者相比带宽性能约提高了40%该方案可以提高跨阻放大器带宽并避免因引入电感而增加芯片面积，在实践上具有一定的可行性     

GaN次接触层对SiC光导开关欧姆接触的改进研究

大功率SiC光导开关存在接触电阻过高、接触退化的问题.为此,在接触金属与sic基片之间增加一层n+-GaN次接触层,光导开关的导通电阻随之下降两个数量级,而光电流效率增加两个数量级.     

阻抗测量法及梁的阻抗应答分析

提出了利用压电陶瓷的阻抗测量法的概念,即用压电陶瓷作为驱动源产生动态阻抗信息.测试系统由阻抗分析仪、计算机、压电陶瓷片、铝梁组成.实验将铝梁作为测试对象,在其上粘贴压电陶瓷,通过对阻抗应答、振动模型和压电陶瓷片的粘贴位置的分析,研究梁的阻抗频率特性.实验结果表明,利用阻抗法,容易得到构造物的频率响应特性,应答分析也简单.