电磁兼容的人工神经网络预测技术分析

电磁兼容预测是实现电子设备或系统电磁兼容性(electromagnetic compatibility,EMC) 的必要步骤.提出了应用人工神经网络对电磁兼容问题进行快速预测的方法.通过选择有效的电磁干扰参数作为输入预测因子,用误差反向传播的神经网络 (back propagation,BP)构造输入预测因子与敏感设备骚扰响应之间的映射关系,并用电磁场数值计算方法获得的训练样本集和测试样本集对构造好的BP网络进行训练,建立了基于BP网络的电磁兼容快速预测模型.最后以导线间的串扰问题为预测算例,表明了该方法的有效性.     

魏晋南北朝时期文体独立的审美探讨

魏晋南北朝时期，文体开始独立，具体表现在文笔说的变迁、对文体特征进行探讨、文体分类趋细和永明声律论的创建这几个方面。文体独立的原因与魏晋时期审美意识的变化息息相关，具体表现在审美心理结构的变化和审美风尚的变迁。     

我国城市生态可持续发展能力评价研究

以环境、资源、经济和社会4个子系统为核心,提出了我国城市生态可持续发展的指标体系CESDIS,构建了城市生态可持续发展评价模型CESDED。应用CESDED模型,通过因子分析方法对温州市1998-2003年的城市生态可持续发展进行了评价,指出了温州市生态可持续发展存在的问题,为我国其它城市的生态可持续发展提供借鉴。     

基于WSRF的网格资源信息服务架构

为了满足视频服务网格中资源信息服务的要求,特别是视频信息资源的组织和管理,提出了一种基于WSRF的多副本一致性信息服务架构,并基于MDS4实现.该系统主要包括资源注册、信息采集、信息查询、资源监控和报警处理等五大功能模块.同时,提供了Web页面的形式,便于用户进行资源的查询和监控.据此设计的原型系统已经应用于实践,取得了良好的效果.     

明代复古主义诗学诸理论及发展

明代复古主义由祈向诗歌美学高境，而推崇汉唐，讲求格调，在展示独特理论魅力的同时，何景明重视才情，已对其先天弱点有所修正；而面对明中叶新思潮的挑战，王世贞吸收作家才思真情自我个性等方面的内涵，突破固有的理论局限；胡应麟发掘兴象风神等汉唐诗歌品质，补充体格声调理论之不足；许学夷突出从“体”的中偏正变的历史考察、尤其各种“变”的环节与样态中，探求和分辨诗歌本乎天成、形迹俱融、风神超迈的根本性质。从而使复古主义成为一种突出诗歌内在特性研究而又比较圆融的诗学理论。     

测量飞秒光参量产生器输出光脉冲脉宽的自相关仪的设计

设计出一台只用一块非线性晶体就能够测量宽波长范围的飞秒激光脉冲脉宽的单次脉冲自相关仪,适用于测量由光参量产生获得的可调谐飞秒激光脉冲的脉宽.     

基于H∞滤波的智能车辆多传感器组合导航研究

为适应自主驾驶智能车辆的高精度、高频率及高可靠性与鲁棒性的导航要求,对智能车辆的多传感器组合导航进行了研究。提出了一种基于H∞滤波的双向光电测速仪和CP-DGPS共同辅助SINS的智能车辆冗余组合导航方法。详细推导并建立了组合系统的滤波模型。仿真结果表明,该组合导航系统具有100Hz的高频输出、厘米级的导航精度以及良好的鲁棒性能与可靠性。即使系统特性发生了显著的变化,组合系统仍能为智能车辆提供可靠的导航信息。     

沈阳国家高新技术开发区制药产业发展

沈阳市国家高新技术开发区(以下简称高新区)始建于1988年5月,1991年被国务院首批批准为国家高新技术产业开发区,是科技部重点支持的开发区之一。高新区规划面积80平方公里,现有人口25万人。经过十几年的开发建设,高新区已形成了以民营企业为主体、多种经济形式并存的高新技术企业群体,发展了一批高新技术产业,造就了一批高新技术产业带头人,初步形成了适应市场经济需要、有利于高新技术产业迅速发展、并与国际惯例接轨的良好环境,为带动地区经济发展和社会进步发挥了重要作用。     

低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性

在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后，采用低能量氩离子束轰击芯片背面，能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明，晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关，而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。     

利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。