TiO_2/ITO负载型催化剂的制备与表征

采用溶胶凝胶法制备出ITO导电玻璃负载的TiO2薄膜光催化剂.利用XRD、Raman和SEM等手段对催化剂进行表征,结果表明:经500℃焙烧1h的TiO2/ITO薄膜光催化剂,以锐钛矿晶型存在;镀膜4次的TiO2薄膜表面均匀,对紫外光吸收强烈.乙酸的降解实验表明:TiO2/ITO薄膜与等负载量的TiO2粉末相比具有较高的光催化活性.     

Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO（锡铟氧化物）靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3（45 nm）/ITO（14 nm）/Ga2O3（45nm）膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质.     

氯原子吸附对氧化铟锡001表面功函数的调制

采用第一性原理计算研究了氯原子吸附对氧化铟锡半导体表面功函数的调制作用,结果表明经过氯原子吸附后的氧化铟锡表面功函数随着氯原子覆盖度的增大而线性地增大。氯原子吸附导致氧化铟锡表面形成电偶极层,这一电偶极层提升了其表面真空势能从而导致功函数的提高。     

离子辅助反应蒸发技术室温制备ITO薄膜

室温下利用离子辅助反应蒸发法在玻璃衬底上制备高透射比、低电阻率的ITO透明导电薄膜. 实验结果表明离子辅助蒸发可以有效地降低制备温度,提高薄膜的光电特性,薄膜具有明显的(222)择优取向,晶体粒子尺寸约为21 nm;离子源屏压、通氧量及沉积速率是影响薄膜光电特性的主要因素. 室温制备的ITO薄膜电阻率为2.4×10-3 Ω·cm,可见光平均透射比大于82%.     

共沸蒸馏干燥法制备氧化铟锡纳米粉体及其性能表征

以SnCl4.5H2O和InCl3.4H2O乙醇溶液为原料,采用离子交换除氯水解法及乙酸异戊酯共沸蒸馏干燥法制备得到了锡铟氢氧化物干粉,用TG-DTA,FT-IR,TEM和XRD等方法对干燥粉体的形貌、物相进行了表征,锡铟氢氧化物粉体在适当的煅烧温度下得到了氧化铟锡粉末.研究结果表明:乙酸异戊酯溶剂是一种非常理想的共沸干燥溶剂,所制得的氧化铟锡纳米晶体颗粒小,分散性好.     

紫外-可见光谱分析在纳米颗粒超声分散中的应用

探索了紫外-可见光谱分析在纳米颗粒超声分散中的应用；随着超声的进行，其紫外-可见光谱曲线上升；当超声时间达到某一值时，随着超声时问的增加其曲线反而下降．结合分散体系的TEM检测，从其粒径分布图可看到，随着时间的增加，其平均粒径先由大变小，然后再增大．定性地说明了紫外-可见光谱检测与透射电子显微镜检测是一致的．预测了紫外-可见光谱在纳米材料分散过程中的应用．     

高密度氧化铟锡(ITO)靶材的制备研究

 以水热合成的2种不同粒径(70±8)nm和(40±6)nm单分散ITO粉末为原料,对原料粉体粒径分布、冷等静压成型压力、烧结温度和时间等与靶材烧结密度之间的关系进行了研究.当2种粒径原料按7:3质量比混合均匀,成型压力为250MPa,成型坯体经1300℃预烧1.5h和在1400℃烧结1h后可以得到相对密度大于99%的高密度、高纯度ITO靶材.     

氧等离子体表面处理对ITO薄膜的影响

利用原子力显微镜检测ITO薄膜的微观表面形貌以及微观区域电性能,研究氧等离子体处理对ITO薄膜的表面形貌及导电性能的影响,从微观上探讨氧等离子体处理对ITO薄膜的影响.经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度从4.6nm减小到2.5nm,薄膜的平整度得到提高;但氧等离子体处理之后,ITO薄膜的导电性能大大下降,原因在于ITO薄膜表面被进一步氧化使得ITO薄膜表面的氧空位减少.上述结果从微观上解释了氧等离子体处理能够改善有机发光二极管光电性能的原因.     

ITO退火膜的光学和电学特性

对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析．结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性．