基于U盘应用的USB2.0设备端控制器的设计

介绍了一种专门针对优盘应用的USB2.0设备控制芯片的设计方法。着重对USB2.0设备控制器的功能进行了模块划分并对各模块实现进行了设计,同时给出了实现USB协议的处理流程以及USB设备控制器的设计要点。     

闪存微控制器性能增高 实现最佳技术功能特点——爱特梅尔又添新宠

日前，爱特梅尔公司（Atmel Corporation）推出基于ARM9的AT91 SAM9XE系列产品，集成了性能达200MIPS的ARM926EJ-S^TM处理器核与512K字节高性能片上闪存的第一代单芯片闪存微控制器。新产品实现了前所未有的性能和功能集成度，适合空间有限但要求高性能的应用。     

应用FLASH闪存的动态参数记录仪设计

本文介绍了大容量闪存在参数记录仪中的应用。在简单介绍参数记录仪的基础上详细描述了K9F1G08UOA芯片的结构特点及主要功能,通过运用单片机AT90S8515及CPLD对闪存K9F1G08UOA进行控制,实现了对闪存的读取、编程、擦除的操作．完成了数据的实时记录、数据采集等功能,使得该记录仪具有容量大、低功耗、集成度高等优点,在未来有更好的发展前景。     

微控制器和大容量闪存在塔吊监控器中的应用

阐述了微控制器和大容量闪存在塔吊监控器中应用的实现方案，介绍了该方案的软件基本流程与硬件组成框架，并对硬件的可靠性需求进行了分析。指出采用该设计方案的产品运用于工作现场。达到了预期效果。     

业界风云

刘翔洛桑12．885破世界纪录；12名经济学家当选首批学部委员；国家环保总局严格控制二氧化硫排放量；英特尔要为手机配置闪存芯片；工行推出网上银行动态密码；[编者按]     

北理工携手东芝培养NAND型闪存开发人才

3月24日北京理工大学与东芝集团在京签署了NAND型闪存领域合作协议。根据协议，东芝将于今年4月开始派讲师给该校大四学生以及研究生讲授NAND型闪存知识课程9月双方在北理工成立共同实验室，进行NAND型闪存应用开发研究；随后将举办NAND型闪存应用产品的设计大赛，实施实习生计划，以及开展更为广泛的合作项目。北京理工大学副校长杨树兴在签约仪式上表示，     

嵌入式闪存适用的新型低压高效率电荷泵电路

随着片上系统(SoC)电源电压的降低,嵌入式快闪存储器内部电荷泵电路的电压增益不断下降.为提高低电源电压下电荷泵电路的效率,提出了一个基于两路互补结构的高效率电荷泵电路,并设计了栅压提高电路与衬底调节电路,二者的共同作用可以有效地减少传输电压的损失,提高电荷泵电路的电压增益.模拟结果表明:当电源电压为1.5V时,相比于...     

非挥发存储器的新时代

闪存作为第一种成功的可擦写的非挥发存储器，已成为手机、数码相机以及PDA等断电后仍要求保存数据的众多没备的酋选器件。闪存芯片占有极大的市场份额——150亿～170亿美元。     

三星发布18Gbit闪存

三星近日表示，他们首先开发出了16Gbit的NAND型闪存芯片。该芯片使用了50纳米制程．它在这场闪存密度竞赛中，创下了一个新记录．令32GByte的闪存卡的出现成为了可能。     

前沿存储器技术向埃米级设计发展

随着SRAM、DRAM和闪存有朝一日没落，所有竞争的存储器芯片技术都将面临一场抢占制高点的战役。目前，处于不同发展阶段的各种其它类型存储器正在背地里暗暗较轻。