设置扇形边界死区的电压型PWM整流器直接功率控制

利用电压型PWM整流器的数学模型分析了PWM整流器直接功率控制(DPC)的原理,讨论了功率滞环比较器环宽对PWM整流器的影响.为了降低开关频率和减少开关损失,增加功率滞环比较器环宽则引起瞬时有功功率和直流电压波动现象;提出了设置扇形边界死区的控制策略,减少扇形边界误选开关量现象,使瞬时有功功率和直流电压波形趋于平稳.通过Simulink环境下仿真模型的仿真,证明了该策略的可行性.     

高频疲劳机直流伺服系统设计

阐述了一种基于AT89C52的直流伺服电机控制系统。系统由单片机、增量式光学编码器及外部译码电路、电机运动控制芯片、直流伺服电机等组成，实现位移控制。具有结构简单、成本低、可靠性高等优点，适用于各种自动位移控制操纵系统。     

不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响

利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.     

一种新颖的DC/DC变换器的设计与实现

介绍了一种新颖的具有升降压功能的DC／DC变换器的设计与实现，具体地分析了该DC／DC变换器的设计(拓扑结构、工作模式和储能电感参数设计)，详细地阐述了该DC／DC变换器控制系统的原理和实现，最后给出了测试结果。     

直流系统绝缘监测综合判据

分析了现有检测直流系统接地故障方法存在的死区，建议用综合判据，即通过检测正负母线电压，检测正负极绝缘电阻，检测支路漏电流来监视及查找直流系统的故障。     

射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜

用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.     

数字可调式高压直流稳压电源的设计

介绍了以89C52单片机为控制系统的数字可调式直流高压稳压电源的设计和制作.系统包括模拟和数字两部分电路组成,模拟部分主要包括波形发生电路、推挽开关电路、升压变压器、倍压整流电路等;数字部分主要包括键盘接口电路、A/D转换电路、D/A转换电路、显示电路和单片机89C52最小系统电路.模数电路相互配合,很好的解决了以往电路中要求的高精度、低零飘的问题,从而大大的简化了原来的控制电路,降低了成本.     

利用单片机实现直流他激电机的无触点无级调速系统

以比例式零压法为基础 ,提出了直流他激电机的无触点无级调速控制方案和对低压电机用场效应管替代晶闸管的办法 .利用单片机直接控制晶闸管 ,解决了触点寿命问题 .通过单片机的计数口检测电机轴脉冲轮的脉冲信号可实现电机的速度控制和位置控制 .检测和控制都避开了 A/D和 D/A转换 ,具有一定的实用价值 .     

镉镍电池直流屏在变电站中的应用

介绍了镉镍电池直流配电屏的组成及功能，并对直流屏运行和操作中应注意的问题及镉镍蓄电池的维护等进行了阐述。     

基于模拟电路的无刷直流电动机神经元控制器

从神经元特性出发，研究一种适用于无刷直流电动机控制的模拟电路神经元控制器，获得连续的神经元控制器表达式和权值变化表达式，并进行原理框图设计和给出具体的权值学习电路，仿真实验表明，该控制器具有良好的控制品质，证明了该系统的有效性。