软磁Fe基纳米微晶的穆斯堡尔谱研究

对纳米软磁合金Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ２ｓＩ１２．５Ｂ１０的制备态和各退火态的室温Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱研究,发现非晶相的超精细内场存在高场和低场两部分,     

PWM开关变换器符号分析的统一算法

用等效小参量法对开环ＰＷＭ型ＤＣＤＣ开关变换器进行了分析,得到了一种适合于这类电路的统一算法．通过设立一个表明非线性函数性质的标志,进行简单的矩阵运算,求得变换器的输出直流值和纹波解析解．仿真结果证实了这种算法的正确性和通用性．     

配电网电压互感器中性点接地方式研究

通过对配电网中电压互感器（ＰＴ）中性点不同接地方式的对比分析,经过对井口变电站１０ｋＶＰＴ中性点不同接地方式在线路接地时二次响应的现场实测,研究结果表明在中性点不接地系统中,ＰＴ中性点宜采用经单相电压互感器接地的方式。     

分次根NG（R）和δG（R）的刻划

对一般Ｍｏｎｏｉｄ分次环Ｒ（未必有１）,给出了其分次素根ＮＧ（Ｒ）和分次Ｂｒｏｗｎ－ＭｃＣｏｙ根的元素特征刻划。     

考虑转子运动的有限元分析前处理技术

提出了二维有限元分析中考虑转子运动时三角形单元的自动生成方法。采用该方法只需重新剖分气隙部分就可获得转子位置已变化了的整个求解区域的网格剖分,可以节省大量机时,解决了采用场路耦合法模拟电机时需频繁进行网格剖分而造成的“瓶颈”问题。该方法已成功运用到对开关磁阻电机的模拟中。     

设置扇形边界死区的电压型PWM整流器直接功率控制

利用电压型PWM整流器的数学模型分析了PWM整流器直接功率控制(DPC)的原理,讨论了功率滞环比较器环宽对PWM整流器的影响.为了降低开关频率和减少开关损失,增加功率滞环比较器环宽则引起瞬时有功功率和直流电压波动现象;提出了设置扇形边界死区的控制策略,减少扇形边界误选开关量现象,使瞬时有功功率和直流电压波形趋于平稳.通过Simulink环境下仿真模型的仿真,证明了该策略的可行性.     

壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响

用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难.     

Ne气负脉冲电晕放电等离子体电子温度测量

依据荧光发射谱谱线强度正比于激发态粒子数原理,通过测量不同激发态能级所发射荧光谱线的相对强度,对Ne气脉冲电晕放电等离子体平均电子温度随峰值电压、样品气压的变化以及有效电子温度的时间行为进行了实验研究.结果表明,平均电子温度随放电峰值电压、样品气压均呈现近线性的变化趋势;而有效电子温度随时间变化先于脉冲电晕放电电流的变化.     

分子电子学

作为纳米电子学的一个重要分支，分子电子学在近年来得到了巨大的发展，并成为国际上研究的热点。本文介绍了各种分子器件的制作技术及基本工作原理，回顾了近年来分子电子学的最新进展，展望了分子电子学的未来发展。     

水帘极板静电除尘模型的收集性能实验研究

建立了水帘极板电除尘器实验模型,研究了其电晕特性,以及极距、电场风速、水帘流量、供电电压、初始粉尘浓度等参数对除尘效率的影响.结果表明:水帘形成好坏对V-I特性曲线有一定影响,水帘流量影响形成水帘好坏的程度,因而影响除尘效率;极距对除尘效率有较大影响,极距300mm时除尘效率最高;供电电压对除尘效率的影响较为明显,随着电压的升高除尘效率也升高;风速增大除尘效率降低,初始粉尘浓度对除尘效率影响较小.