由半胱氨酸亚铜制取半胱氨酸

研究了一种用氧化亚铜将胱氨酸还原沉淀为半胱氨酸亚铜,再由此制备半胱氨酸盐酸盐一水物的新方法.该方法包含半胱氨酸亚铜再沉淀,H2S法脱铜,脱色,产品结晶,重结晶等步骤,半胱氨酸盐酸盐一水物收率达12.4%,产品质量符合日本味之素标准.     

同时包裹氟尿嘧啶和齐墩果酸的壳聚糖微球的研究

目的:制备同时包裹5-氟尿嘧啶及齐墩果酸丁二酸单酯的壳聚糖微球.方法:以微球回收率为指标,采用离子交联法制备同时包裹5-氟尿嘧啶及齐墩果酸丁二酸单酯的壳聚糖微球,通过单因素实验和正交实验,优化微球的制备工艺,考察了粒径分布和zeta电位等微球表面的理化性质,采用透析法考察其体外释放特性及其影响因素.结果:通过单因素考察和正交实验优化,氟尿嘧啶壳聚糖微球的包封率为53.9%,氟尿嘧啶和齐墩果酸丁二酸单酯与壳聚糖的质量比分别为1∶10和1∶30,微球形态圆整,表面光滑,粒径分布均匀,平均粒径为(563±101)nm,体外释放研究表明该微球具有一定的缓释效果.结论:采用离子交联法制备同时包裹5-氟尿嘧啶及齐墩果酸丁二酸单酯的壳聚糖微球工艺稳定可行,所得壳聚糖微球具有一定的缓释效果.     

烧结温度对高速压制制备弥散强化铜材料导电率的影响

弥散强化铜材料具有高强度和高导电性的特性,孔洞是影响导电率的重要因素.本文采用高速压制成形技术,对Al2 O3质量分数为0.9%的弥散强化铜粉压制成形,研究了压制速度对生坯的影响.当压制速度为9.4 m·s-1时得到密度为8.46 g·cm-3的生坯.研究了烧结温度对烧结所得Al2 O3弥散强化铜试样导电率的影响.当生坯密度相同时,烧结温度越高,所得试样的导电率也越高.断口与金相分析表明：烧结温度为950℃时,烧结不充分,颗粒边界以及孔洞多而明显,孔洞形状不规则;烧结温度为1080℃时,颗粒边界消失,孔洞圆化,韧窝出现,烧结坯的电导率为71.3%IACS.     

四核碘铜簇及其五重穿插的双吡唑配位聚合物的结构与发光性质研究

本文报道了一种纯无机四核碘铜簇配合物Cu4I(4NH3)(4配合物1),并利用长链形双吡唑配体1,6-二(3,5-二甲基-1H-吡唑)-己烷与类似的四核碘铜簇构筑了一种五重穿插的配位聚合物(配合物2).拓扑网络分析表明:配合物1分子间通过弱I···H-N氢键形成了三维六连接bsn拓扑网络,而配合物2是一种五重穿插的dia拓扑网络.它们的发光主要归结为以碘铜簇为中心的激发态电荷跃迁(*CC).配合物1更大的斯托克斯位移和更低的发射能主要与Cu4I4配位单元间弱氢键和Cu4I4配位单元内部稍强的亲铜作用有密切关系.     

基于单细胞凝胶电泳法的不同烷化剂导致DNA损伤的比较研究

从单细胞水平考察单官能团和双官能团烷化剂引起DNA损伤的差异.采用单细胞凝胶电泳法检测并比较单官能团烷化剂甲基亚硝基脲与双官能团烷化剂尼莫司汀在不同浓度下对DNA的损伤情况.研究结果表明药物浓度与彗星尾部DNA含量之间存在线性关系.为了检测DNA交联损伤,选择加入断裂剂作为对照,结果显示双官能团烷化剂尼莫司汀能引起显著的DNA交联.本文从细胞毒性作用和DNA损伤水平考察了烷化剂的毒性,为阐明烷化剂的致癌和抗癌机制提供理论基础.     

锰铜压力传感器在水下爆炸近场压力测量中的应用

为得到柱状炸药水中爆炸冲击波在几百MPa到几个GPa峰压范围内的压力峰值分布,同时弥补其它类型传感器在上述范围内量程不足、精度不够或实验成本过高的不足,在对比距离小于0.3的范围内利用大阻值(R=50 Ω)锰铜压力传感器,测量了不同距离及装药量下的冲击波峰值压力. 结果表明,该型锰铜压力传感器测得的峰值压力与经验公式的计算结果接近,且测量精度、抗干扰能力达到设计要求,能够运用于水下爆炸近场冲击波压力几百MPa到几个GPa范围内的测量.     

纳米孔壳聚糖接枝四(对-羧基苯基)锰卟啉催化氧化乙苯

为模拟细胞色素P-450酶的催化空腔场所,提高壳聚糖接枝四(对-羧基苯基)锰卟啉(Mn TCPP)的催化活性。采用冷冻干燥法制备纳米孔壳聚糖(np-CTS),并用酰化反应接枝四(对-羧基苯基)锰卟啉获得仿生催化材料―Mn TCPP/np-CTS,同时制备相应的无孔催化材料―Mn TCPP/nonp-CTS。用紫外可见光谱(UV-vis),傅里叶变换红外光谱(FT-IR),X射线(XRD),热重分析(TG)和扫描电镜(SEM)技术对其进行表征,并用于催化空气氧化乙苯研究。催化结果表明:在最佳反应条件下(145℃,0.8 MPa),纳米孔壳聚糖接枝四(对-羧基苯基)锰卟啉比无孔催化材料催化活性提高26%,醇酮收率提高38%。实验结果表明:纳米级空腔有利于充分发挥所固载的锰卟啉催化活性,最大程度地提高固载仿生催化材料的催化效率。     

电老化与加速水树老化对交联聚乙烯绝缘理化特性的影响

为了研究电老化(ETA)和加速水树老化(AWTT)对交联聚乙烯(XLPE)绝缘理化特性的影响,分别对ETA和AWTT的实际电缆试样进行红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和热质量分析(TG)测试,分析其理化特性随着老化的变化规律。建立了AWTT的微观模型,从微观形态变化、陷阱的形成角度对老化机理进行了深入分析。结果发现:ETA和AWTT试样绝缘内R1R2CCH2、—OH键均出现上升趋势,AWTT试样羟基增长速率大于ETA试样,而两种老化过程中双键的增加速率相当;ETA试样电缆绝缘结晶度先上升后下降,AWTT试样电缆绝缘结晶度呈下降趋势;ETA与AWTT都使得绝缘热稳定性下降,ETA试样的微分热质量(DTG)曲线未出现分峰现象,AWTT试样DTG曲线在老化后分裂出多个峰,老化时间越长分裂的峰越多。对试验结果进行分析,在老化过程中,理化特性的变化规律可以由微观模型结合陷阱的变化进行合理解释,老化过程中产生的陷阱对绝缘性能产生重要影响。     

化学镀非晶态Ni-P及Ni-Sn-P镀层在弱酸性介质中耐蚀性研究

以紫铜为基体,采用化学镀制备了非晶态Ni-P,Ni-Sn-P镀层.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱(EDS)等对镀层的结构、微观形貌及元素组成进行分析.通过Tafel极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)、开路电位监测及室内加速腐蚀试验,研究两种镀层在pH=5.5,w_(NaCl)=3.5%,以及pH=5.5,wS=20%的土壤介质中的耐蚀性能.结果表明,化学镀非晶态Ni-P及Ni-Sn-P镀层的自腐蚀电流密度是裸铜的4.5%和1.2%,两种镀层在酸性腐蚀介质中具有比金属铜更好的耐蚀性,并且化学镀Ni-Sn-P镀层耐蚀性优于Ni-P镀层.两种镀层的自腐蚀电位均负于铜.     

水平与垂直晶界铜双晶的压缩形貌观察与分析

为了研究晶界方向对铜双晶塑性变形的影响,采用扩散焊方法制备了双晶铜块,通过压缩试验台对水平和垂直晶界方向下的铜双晶进行等形变压缩,对晶界附近变形形貌进行显微观察与分析.结果显示:不同晶界方向对铜双晶的滑移变形有不同的影响;在等压缩形变下,相比于水平晶界双晶体,垂直晶界双晶体滑移线的分布和扩展比水平晶界双晶体的更不均匀,垂直晶界双晶体中晶界附近的应力集中程度更高;垂直晶界双晶体滑移线扩展不连续且有波动性,且孔洞和裂纹数量多于水平晶界,孔洞和裂纹的产生和分布位置更集中于滑移线上或临近滑移线的某一侧.