聚乙二醇支持的CuI催化Huisgen环加成反应合成三氮唑(英文)

我们发展了聚乙二醇(PEG4000)支持的CuI催化的Huisgen环加成反应合成三氮唑衍生物的新颖方法.在聚乙二醇(PEG4000)支持的CuI的催化下,芳基叠氮和末端炔的Huisgen环加成反应以较高的收率得到三氮唑衍生物.初步研究负载催化剂的回收使用情况.     

Kaplansky变换在高阶上的推广

给出了高阶Kaplansky变换的定义,并且刻画了高阶Kaplansky变换的基本性质.同时,对v-凝聚整环上的高阶Kaplansky变换进行了系统的研究,证明了若R是v-凝聚整环(分别地,Mori整环),则Ω(s)也是v-凝聚整环(分别地,Mori整环).     

汉密尔顿回路逻辑程序的两个结果

基于回答集语义的逻辑程序提供了描述性问题求解的范例,而逻辑程序的一阶环公式提供了计算回答集的新方法——自动定理证明.本文研究了汉密尔顿回路逻辑程序的一阶环公式,证明了计算汉密尔顿回路的有助于提供计算效率的两个主要结果.     

一类具时滞的Gompertz捕食模型的稳定性分析

研究一类具有时滞的Gompertz增长率的捕食-被捕食模型,通过分析特征方程讨论了正平衡点的局部稳定性;通过构造适当的Lyapunov泛函,得到了保证系统正平衡点全局渐近稳定的充分条件,并讨论了在正平衡点附近Hopf分支的存在性问题.当τ=0时,应用微分方程定性理论,得到了系统存在极限环的充分条件.     

可换环上上三角矩阵李代数的BZ导子

研究了可换环上上三角矩阵李代数的BZ导子,利用BZ导子在其基上的作用的方法获得了上三角矩阵李代数的BZ导子,并且对其任意一个BZ导子进行了具体的刻画,对导子的概念进行了推广.     

双斜率积分ADC中开关电容积分器的设计

为提高双斜率积分ADC中模拟输入信号转换成数字信号的准确性,设计了一种高性能开关电容积分器以替代传统的RC有源积分器。该开关电容积分器的运算放大器由折叠共源共栅输入级和Class AB输出级组成,开关部分选用CMOS开关,以抑制电荷注入和时钟馈通的影响。在中芯国际0.18μmCMOS工艺下,采用EDA仿真软件对相关模块进行仿真验证,得到运算放大器的直流增益为110.3 dB,单位增益带宽为5.64 MHz,相位裕度达到79°,输出摆幅为0.013 3～3 299 mV,转换速率为7.56 MV/s。结果表明,开关电容积分器完全满足双斜率积分ADC的实际应用。     

一体化静电场描绘仪研制

研制了一种新型的静电场描绘仪,将导电板、电位测量系统、描点系统及电源等四个部分进行了一体化设计,采用容栅传感器测定等电位点的位置,并实现了对等位点位置的数字化测量,实验结果表明,该仪器高度集成,实验操作方便,提高了仪器实验效率,提升了静电场的模拟精度．     

可换环上上三角矩阵李代数的BZ导子

研究了可换环上上三角矩阵李代数的BZ导子,利用BZ导子在其基上的作用的方法获得了上三角矩阵李代数的BZ导子,并且对其任意一个BZ导子进行了具体的刻画,对导子的概念进行了推广.     

荧光分光光度法测定-γ(2,3环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷修饰的纳米二氧化硅表面的环氧基团

建立了荧光分光光度法测定γ-(2,3环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷修饰的纳米二氧化硅(GPTMS-SiO2)表面环氧基团含量的方法.讨论了铵盐的种类和浓度、pH值、乙酰丙酮的浓度、温度和时间对荧光强度的影响及荧光产物的稳定性.结果表明:当环氧基官能团的浓度在0.002 0~0.029 1 mmol.L-1范围内,荧光强度与其浓度呈良好的线性关系,r=0.997 9.该方法重现性好、准确度较高,可用于GPTMS-SiO2表面环氧基团含量的测定.     

对接焊管环向焊缝中裂纹与错边复合缺陷应力强度因子计算方法研究

在管道现场焊接过程中,环向360°裂纹为常见的焊接缺陷,同时错边也是焊接过程中经常出现的,对这两种缺陷单独的裂纹尖端应力强度因子已有比较清晰的分析以及计算方法,但是对这两种缺陷的复合应力强度因子还没有一个精确的计算公式.在过去研究结果的基础上,对其进行修正,提出一种适合工程应用的应力强度因子计算方法,为带缺陷焊缝管道的断裂力学参量计算及疲劳寿命估算提供简洁方便的途径.