金刚石对顶砧封垫材料显微激光打孔机设计

基于激光打孔原理, 根据金刚石对顶砧金属封垫材料的孔型及尺寸要求, 设计开发适用于金刚石对顶砧金属封垫材料的精密显微激光打孔装置. 实验结果表明, 该装置系统可满足金刚石对顶砧金属封垫材料微米尺度圆孔的激光打孔要求.     

SiC单晶线锯切片及电镀锯丝制造技术的研究进展

针对碳化硅(SiC)单晶硬度高、脆性大,金刚石线锯切片时工具磨损快、切割效率低、晶片表面亚表面易出现微破碎损伤,使SiC单晶高质量切片和高性能锯丝制造技术成为关键和难点的状况,综述了SiC单晶线锯切片及电镀金刚石锯丝制造技术的研究现状,对其中存在的问题进行了概括与分析,并提出了SiC单晶金刚石线锯切片技术的未来研究方向。     

异型石材高效锯切优化策略

针对异型石材铣磨效率低下的问题,利用金刚石圆锯片大切割深度的优势,提出一种异型石材高效锯切粗加工优化策略.首先,用边界表示法描述锯切过程中的工件数据结构;其次,提出以八叉树算法搜索材料去除最大深度,获取相应的特征切削点和特征工件顶点,用于构造锯切平面,以实现工件材料去除量最大化;接着,以锯切加工时间最小为优化目标,分析金刚石圆锯片沿锯切平面走刀产生的截交面多边形特性,结合一刀切透方式,给出一种最短锯切行程的进给方向优化方法;最后,对路障球进行锯切工仿真实验.仿真结果表明:在材料去除量为1.091×10⁷ mm³时,相比传统磨削加工,所提锯切加工策略使去材效率提高了近7倍.     

粉末触媒在六面顶压机上合成优质金刚石研究

制备了ＮｉＭｎ急冷粉末触媒，对其组织结构进行了分析．以该粉末触媒为原料，采用二步升压工艺，在国产六面顶压机上实现了优质金刚石的高温高压合成，其合成单产为１４２ｇ，峰值粒度在２５０～３００μｍ之间．该结果对增加六面顶压机用触媒材料形态的认识具有一定的促进意义．     

A New Method for Dressing Fine Grain Diamond Wheels——the Soft-Elastic Dressing Method

IntroductionInrecentyears,ceramicshavebeenmuchmorewidelyusedinthefieldsofoptics,electronics,abrasion-resistancepartsandthermalresistanceparts.Ceramicsareveryhardandchemicallyinert,havehighthermalresistance,highabrasionresistanceandlowelectricalconductivity.Buttheyareratherdifficulttomachinebecauseoftheirhardnessandbrittleness.Grindingwithfinegraindiamondwheelsisanefficientmethodforpreciseandultra-precisemachiningofceramics.Beforegrinding,thefinegraindiamondwheelrequiresdressing.Thedressingpro…     

类泡沫触媒合成金刚石的工艺特征

对触媒形状的变化关系与表面问题进行了研究．在制备类泡沫触媒的基础上，总结了类泡沫触媒在国产六面顶压机上合成金刚石的基本工艺规律，并对类泡沫触媒在六面顶压机上合成金刚石的适用范围进行了分析、确定．结果表明，增加石墨与触媒的接触面积或反应面积，是提高合成金刚石转化率的一条重要途径．     

大面积金刚石薄膜沉积系统的研究

介绍热丝化学气相沉积(HFCVD)法沉积大面积金刚石膜的设备的原理和设计,设备主要包括真空系统、水冷系统、热丝架、供气系统以及电路系统,给出了该设备的性能指标参数.该设备可以用于沉积高质量的大面积金刚石膜,沉积的金刚石薄厚膜直径最大可达220 mm,膜沉积速率为1~2μm/h.     

热丝CVD法制备金刚石膜

采用热灯丝CVD、分次连续沉积的办法在硅衬底上制备金刚石膜．用RAMAN光谱、X-ray衍射、扫描电子显微镜(SEM)等多种技术对金刚石膜的形貌、成份、晶态等特性进行了分析，证实所获膜质量较好。     

金刚石圆锯片的优化设计

由于在实际使用过程中锯切石材存在多变性，导致金刚石锯片刀头设计的参数复杂．作者通过对主体石材的系统研究，根据金刚石圆锯片切石材的机理，提出了岩石Ａ，Ｂ值的概念，并测定其数据；此外，设计了金刚石锯片的优化方案，并在野外进行试验验证．结果表明，该优化设计方案合理、实用，具有较大的社会效益和经济效益．     

Structural and electrical properties of ZnO films on freestanding thick diamond films

In this paper, ZnO films are deposited on freestanding thick diamond films （FTDF） by plasma-assisted metal organic chemical vapour deposition （MOCVD）. Diethyl zinc （DEZn）, O2 and N2O are applied as precursors and different substrate temperatures are used to achieve high quality ZnO films. The influence of substrate temperature on the properties of ZnO films is systematically investigated by X-ray diffraction （XRD）, Hall measurements and electron probe microanalysis （EPMA）. Experimental results demonstrate that ZnO films deposited at 600℃ and 73 Pa display a fine electrical quality and Zn/O atomic ratio plays an important role in the electrical property of ZnO films.