Ba和Mg掺杂对Bi（Pb）—Sr—Ca—Cu—O超导性能的影响

采用固态反应法制备了名义组分为Ｂｉ１．８Ｐｂ０．２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ和Ｂｉ０．９Ｐｂ０．１Ｂａ０．１Ｍｇ０．１Ｓｒ０．８ＣａＣｕ２Ｏｘ超导样品，并研究了Ｂａ，Ｍｇ掺杂对Ｂｉ系超导性能的影响。用Ｘ射线衍射及电阻－温度关系的测量获得的实验结果表明，添加Ｂａ和Ｍｇ元素可以有效地抑制Ｂｉ系２２１２相的生成，促进２２２３相的形成，并能提高超导材料的Ｔｃ。     

掺杂聚乙炔导电机理研究

本文以多烯(17个碳原子)模拟反式聚乙炔链,位于两个多烯链平面之间的钠原子为掺杂剂,用 CNDO/2方法讨论了掺杂聚乙炔的微观导电机理,尝试并分析了用轨道理论的离域方法处理定域问题的具体方法.在我们的计算方法及计算范围内、负电孤子借助于钠原子在两链间跃迂。在低量掺杂情况下,参考链上孤子的存在对这种跃迂起辅助作用;电荷密度、原子轨道布居、能量分割及沿分子轨道形状等的结果同样支持了这一结论.     

掺杂稀土元素对改善氧化铝热稳定性机理的探讨

从阻抑氧化铝的相变、表面化合物的生成和延缓氧化铝的烧结三个方面探讨了氧化铝掺杂镧后改善热稳定性的机理。     

掺杂尖晶石LiAlxMn2-xO4的合成与性能研究

采用固相法合成了掺杂改性的尖品石型锂锰氧正极材料。XRD结果表明所得材料均呈现良好的尖晶石结构。通过充放电性能测试，发现LiAl_xMn_(2-x)O_4的循环性能都有了很大程度的改善，循环30次后仍能保持较高的容量，其中以LiAl_(0.05)Mn_(1.97)O_4的循环性能最好。     

聚苯胺-镧掺杂LiNi铁氧体纳米复合物的合成和磁性能研究

通过溶液聚合法制备了聚苯胺-镧掺杂L iN i铁氧体(L iN i0.5La0.08Fe1.92O4)纳米复合物,采用X-射线衍射、傅立叶变换红外光谱、紫外-可见光谱、热失重分析、原子力显微镜和振动样品磁强计研究了复合材料的结构、形貌和磁性能.研究表明,铁氧体颗粒与聚苯胺之间存在化学键合作用,铁氧体纳米粒子的引入能够提高聚苯胺的热稳定性,并对复合材料的形貌有一定的影响.在外加磁场作用下,复合材料表现出亚铁磁性物质具有的磁滞现象,且其饱和磁化强度和矫顽力都比纯铁氧体小.     

掺杂铜和钒的纳米二氧化钛的光催化性能

采用溶胶-凝胶-水热后处理法制备掺杂铜和钒的纳米二氧化钛，并对所得的纳米二氧化钛光催化剂的成分、结构与光催化性能的关系进行研究。用X射线衍射、荧光光谱、紫外-可见漫反射光谱对其进行分析。研究结果表明：其晶粒直径约为6nm；电子-空穴分离效率提高；对可见光响应显著增强。通过光催化降解模拟实验，发现该二氧化钛粉末对甲基橙有机废水的降解率达到97．9％，所得到的掺杂纳米二氧化钛光催化剂扩大了对可见光响应范围，提高了光催化降解效率。     

正极材料磷酸亚铁锂的共沉淀合成和Mn2+掺杂的研究

研究了以氢氧化锂、硫酸亚铁铵和磷酸氢二铵为原料,利用液相共沉淀法制备LiFePO4正极材料和掺杂Mn2 的LiFePO4改性正极材料,并对其进行XRD、SEM分析和电化学性能测试。分析得出,利用液相共沉淀法掺杂Mn2 的正极材料的初始放电比容量为132.9 mAhg-1,且循环10次后,容量仍有124.5 mAhg-1,容量衰减率仅为6.32%。表明少量Mn2 的掺杂没有改变LiFe-PO4的晶体结构,且使材料的电化学性能有所提高。     

NiTi合金表面TiO2掺杂N原子的电子结构计算

采用密度泛函理论的离散变分Xα方法(DV-X)α,对表面掺杂N原子后的NiTi合金表面TiO2的电子结构进行了计算,得到各原子间的键级、电荷分布、Mulliken集居数和态密度.结果表明:表面掺杂后,在Ti原子的3d,4s,4p轨道和N原子的2p轨道之间发生了有效的作用,改变了表面膜的电荷分布,表面负电荷增加,从而抑制了C1-等阴离子的吸附,阻碍电子的失去,提高了其抗点蚀的能力;同时,也有利于体液中Ca2 、PO4在表面沉积形成羟基磷灰石,使NiTi合金的耐腐蚀性得到进一步提高.这一理论计算阐明了NiTi合金表面掺N后抗腐蚀性和生物相容性提高的机制.     

σ-π共轭高分子导电性的理论研究

采用密度泛函(DFT)和PBC方法对σ-π共轭高分子电子结构和带隙进行理论研究,电荷掺杂和聚合物中π共轭链长度对带隙降低起到重要作用,发现PBD是一种窄带隙的高分子.     

纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究

采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB₂带材系列样品. 通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征. 实验结果表明, SiC掺杂对于提高MgB₂带材的超导性能具有十分有效的作用. 掺杂量为5%时, 在4.2 K和10 T条件下, 掺杂样品的临界电流密度高达9024 A/cm², 是未掺杂样品的32倍多. 掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用, 同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.