浅谈纳米光电子器件的发展现状

纳米光电子技术是一门新兴的技术，近年来越来越受到世界各国的重视，而随着该技术产生的纳米光电子器件更是成为了人们关汪的焦点。主要介绍了纳米光电子器件的发展现状。     

两指标鞅的一致收敛速度及对于平稳随机场的应用

根据平面格点序:(s_1,s_2)≤(t_1,t_2)当且仅当s_1相似文献   

水库滑坡现象与环境因素的关系

一、应用复杂开放系统的自组织理论解释滑坡现象的尝试耗散结构论、协同学及混沌理论等非线性科学 ,共同揭示了物质系统变化过程中的可逆与不可逆、有序与无序及这种矛盾相互转化的机理和条件。同时揭示了自然界物质系统如何从平衡到不平衡、从对称到非对称、从稳定到不稳定的演化和反演化的规律［１］。耗散结构理论认为 ,一个系统从初始的混沌状态出发 ,具有自催化能力的单元之间的竞争 ,能够通过一系列非平衡不稳定产生功能组织 ,而且“系统在获得时间的、空间的或功能的结构过程中没有外界特定的干预 ,我们便说系统是自组织的”。滑坡产…     

用横场伊辛模型研究退极化场对铁电薄膜的影响

考虑到退极化场对铁电薄膜性质的影响,提出了一个改进的横场伊辛模型,在平均场理论的框架下研究了薄膜的一系列铁电行为.计算结果表明退极化场使薄膜的自发极化曲线更加平坦,膜的极化变得更加均匀,得到了与朗道—金兹堡理论的一致结果.     

线性驱动下一级相变的重正化群理论

把重正化群理论应用于一受外场驱动而发生一级相变的系统中，结果表明，与有序化过程一样，该系统也由零温不动点所决定，并得到磁化强度及结构函数的新的动力学标度关系．由此可获得滞后回约面积与变场速率的标度关系．     

高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。     

介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞效应

给出了介观耗散互感耦合电路的量子化方法,并在介观电路中电荷量子化的基础上给出了介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞条件.