采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态

利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN／GaN薄膜的晶体结构和应变状态。通过（002）和（105）面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN／GaN外延层的应变程度,并且计算了不同A1组分的AlxGa1-xN／GaN在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下A1组分的计算方程式,得出完全应变情况下A1组分为30％,与卢瑟福背散射实验结果比较符合。     

中国西南镇雄-赫章地区筇竹寺组高演化页岩气勘探方向

勘探实践表明中国西南的镇雄-赫章地区下寒武统筇竹寺组页岩气成藏条件优越,受强改造与高演化制约,筇竹寺组页岩气勘探尚未获得突破。为寻找热演化程度相对较低的有利保存区,基于钻井、露头、地震资料,通过编制关键期次岩相古地理图及古地质图,结合各沉积-剥蚀分区典型埋藏史分析,精细刻画镇雄-赫章地区沉积-剥蚀分区特征。结果表明:镇雄-赫章地区发育加里东期-海西期古隆起,控制二叠纪前沉积充填过程,沉积-剥蚀差异性明显。其中Ⅰ区及Ⅱ区缺失层系较多,且热演化间断时间长,热演化程度相对较低,为筇竹寺组页岩气有利勘探区。古隆起及周缘地区为海相高演化页岩气勘探的有利指向。     

库车坳陷下侏罗统阿合组高分辨率层序地层特征

通过钻井岩芯、测井资料分析,库车坳陷下侏罗统阿合组可识别出6个长期基准面旋回以及20～23个中期基准面旋回.阿合组区域性隔层一般发育在长期基准面旋回上升到下降的转换位置或非对称型长期基准面旋回(只有上升半旋回)的上部.长期基准面旋回是该区建立高分辨率层序地层对比格架的基础和关键.根据层序界面特征和相序的不同,可将中期基准面旋回大致划分为三种结构明显不同的类型(向上:变深"的非对称型旋回层序,向上"变浅"的非对称型旋回层序,对称型旋回层序);中期基准面旋回是进行储层非均质性究、储层预测与生储盖组合分析的基本单元;中期基准面旋回明显地控制了储集体的岩性和物性的变化以及沉积微相的变化.中期基准面上升的早期易形成辫状河道砂体,岩性由粗变细,孔渗由高变低;中期基准面上升的中期一般为心滩坝沉积,岩性粗细和孔渗无规则变化;中期基准面下降的中晚期易形成河口坝、远砂坝砂体,其岩性由细变粗,孔渗由低变高;基准面下降的晚期易形成水下分流河道砂体,     

10种棕榈科植物的RAPD分析

用RAPED法对厦门植物园引种栽培的4属10种棕榈科植物样本进行了基因组DNA多态性分析、从29个随机引物中筛选出9个有效引物共获得RAPD谱带558条．多态性谱带占71．32％．利用UPGMA法对l0种棕榈科植物聚类分析．得其DNA的分子分类系统图．结果表明．棕榈属、琼棕属和鱼尾葵属聚类成一组．蒲葵属另成一组；棕榈属、琼棕属和蒲葵属中6种掌状叶型植物的平均遗传距离为0．47，羽状叶型的4种鱼尾葵属植物问的平均遗传距离为0．55；而羽状叶植物与掌状叶植物间的遗传距离达0．72．在同一属内，棕榈属内两种距离最近．蒲葵属两种最远．尽管分子分类结果与形态分类结果存在一定差异，但RAPD分子标记技术对棕榈等引种植物的分类鉴定和遗传多样性评价是有效可行的．     

第三代半导体迎来新发展机遇

半导体材料是信息技术的核心基础材料,一代材料、一代技术、一代产业,半个多世纪来从基础技术层面支撑了信息技术翻天覆地的变化,推动了电子信息科技产业可持续蓬勃发展.同样地,信息技术和电子信息科技产业发展需求又驱动了半导体材料与技术的发展.     

用稳态光电导和场效应的联合测量研究Ge的快表面态

文中介绍了用稳态光电导和场效应的联合测量以研究Ge的快表面态的实验方法。用这方法可以得到表面复合速度和表面态陷阱电荷密度与表面势的依赖关系,从而可以确定出快表面态的特征参量(能极位置,能级密度及对空穴和电子的俘获截面)。本文对经硫化处理的Ge表面电学性质进行了测量,结果指出,存在三组分立的快表面态: Et_1-Ei=4kT Et_2-Ei=1.4kT Et_3-Ei=-3.6kT其密度均在10~(11)/厘米~2以上,并对实验结果作了讨论。     

GaN大失配异质外延技术

1　引言以ＧａＮ及ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。其 1 .9- 6.2ｅＶ连续可变的直接带隙 ,优异的物理、化学稳定性 ,高饱和电子漂移速度 ,高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的优选材料。目前用于ＧａＮ外延生长的主要方法有 :金属有机化学汽相淀积 (ＭＯＣＶＤ) ,分子束外延 (ＭＢＥ)和氢化物汽相外延 (ＨＶＰＥ)等。其中ＭＯＣＶＤ是使用最广泛和实用的外延生长方法 ,具有很强的工业应用背景。ＨＶＰＥ技术…     

PECVD SiO_2/InP结构的AES和XPS分析

本文介绍了经不同表面处理制成的PECVD Si为_2/InP 結构的俄歇电子能谱(AES)和X光电子能谱(XPS),分析了SiO_2/InP结构介质层、界面过渡区和体内区的化学组分和组志。并研究了表面处理对SiO_2/InP界面过渡区宽度及其化学物理结构的影响。     

从MOS非稳态Ⅰ-Ⅴ特性测量硅体陷阱参数

本文报导了从MOS结构非稳态Ⅰ-Ⅴ特性求得硅体陷阱参数的实验方法。并讨论了扫描速率、反转电压和温度的影响。     

低温胁迫下夏威夷椰子幼苗叶肉细胞Ca2+水平及细胞超微结构变化的研究

用焦锑酸钙沉淀的电镜细胞化学方法，研究了低温胁迫下夏威夷椰子（Pritchardia gaudichaudii H.Wendl)幼苗叶肉细胞内Ca^2＋水平的变化。研究结果表明，未经低温处理的夏威夷椰子幼苗叶肉细胞，焦锑 酸钙沉淀颗粒大量出现在液泡中，而细胞基质及细胞间隙中则看不到焦锑酸钙沉淀，而夏威夷椰子幼苗经过2℃，48h低温处理后,细胞基质和细胞膜、液泡膜上焦锑酸钙沉淀增加，而液泡中的焦锑酸钙沉淀减少，并且超微结构已初步显示出寒害的特征，叶绿体外膜部分破损，类囊体片层稀疏且排列不规则，而夏威夷椰子幼苗经过2℃，96h低温处理后，Ca^2 大量分布于液泡和细胞基质中，细胞间隙中也可见少量斑块状沉淀，大部分细胞结构已经严重破损，内部结构分辨不清呈现出了遭受严重冷害的症状。从而揭示了Ca^2 的区域性分布的变化与植物抗寒性的一些关系。