溶胶—凝胶法制备了BST铁电薄膜材料的机理研究

采用醇法和部分醋酸盐法两种工艺，获得了透明的ＢＳＴ溶胶，凝胶和ＢＳＴ薄膜铁电材料，应用红外光谱，差热分析及Ｘ－衍射方法，研究了该两种合成了工艺的物理化学过程。     

硅灰石的超微细深加工处理

对硅灰石进行超微细深加工处理后的钙白粉做了白度测试、Ｘ射线分析、扫描电子显微镜分析并进行了作为橡胶填充剂的补强实验。结果表明,钙白粉保持了硅灰石独特的性能且补强效果、白度等都优于硅灰石。     

用HF-醇溶液法制备多孔硅的新方法

本文采用HF-醇溶液法制备了多孔硅.实验表明,它提高了多孔硅中的游离氟离子浓度,改善了电解液与硅片的润湿性,有利于形成均匀的多孔硅;在非光照条件下,可制成N型多孔硅.     

双硅源选择外延及侧向过外延的生长特性

本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力的关系,探讨了ELO膜空洞产生的原因及消除方法,获得了二氧化硅条宽为20μm的光亮、平整、连续的ELO单晶薄膜。     

SiCl_4-H_2体系低压硅外延的研究

应用SiCl_4氢还原法,在改进的常压卧式感应加热系统中进行了低压硅外延生长。生长温度为1050℃—1150℃,压力为160—80乇。对外延层的测试结果表明:低压外延在抑制自掺杂、改善外延层电阻率和厚度的均匀性,减少埋层图型漂移有明显的效果。所作的外延片已成功地用于半导体器件的制造中。     

贮氢电池的自放电性能研究

研究了贮氢材料的成分，粒度，表面处理以及添加剂，导电剂，粘结剂等因素对贮氢电池自放电性能的影响，结果表明，导致贮氢电池自放电的主要原因是电池的可逆容量损失，主要主要影响因素是贮氢材料的成分及其表面处理。     

矩形反应器的速度分布和质量输运

本文将Andrew对水平基座的矩形反应器的速度分布和质量输运的分析推广到有小角度的倾斜基座反应器上,计算了不同倾角时各截面的速度分布,分析了外延层厚度均匀性、基座宽度利用率与反应器几何参数之间的关系。最后通过引入质量输运系数校正因子,计算了倾斜基座上纵向生长速率,分析和计算结果与生产中的测试结果基本吻合。     

射频溅射法研制SnO2纳米薄膜

采用射频溅射工艺制得细小均匀的β－Sn纳米锡膜,然后通过氧化处理工艺获得组织非常细小均匀的纳米级二氧化锡薄膜。X－衍射实验结果表明Sn和SnO2晶粒尺寸分别约为6nm和5nm,采用该工艺获得的SnO2纳米薄膜结构比较稳定,为薄膜型SnO2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。