可预置步进电机驱动器

描述了一种预置步进电机驱动器的组成和工作原理 ,详细地分析了装置的控制过程和简略地叙述了装置的调试方法 .该步进电机驱动器使用方便 ,工作可靠     

步进电机正反转的自动控制

描述了实现步进电机正反转自动控制的原理和方法 ,给出了具体电路和叙述了实施控制的详细过程     

多道分析器死时间的精确数字测量(英文)

描述了两种简单而精确的多道分析器死时间测量方法 ,实际测量结果与 80 0型ADC操作手册给出的公式计算结果进行了比较 ,死时间的测量精度可达到 10 -6秒 .     

亚微米厚自支撑单晶硅膜的制备

在现代科学技术领域中,亚微米厚自支撑单晶硅薄膜的用途越来越广泛.例如,在固体中原子碰撞的研究,表面及介面物理,能损粒子探测器,x射线刻蚀掩模,肖特基二极管及约瑟夫逊器件的性能改善等方面都要涉及到这种薄膜的制作.有几种方法可以制作单晶硅薄膜,但采用选择腐蚀的办法则更为简便。我们就是在N.W.Cheung的工作的基础上,进一步简化了实验步骤,制作成功厚约3700—7600(?),直径在0.7—1cm在之间的几片〈100〉单晶硅薄膜。现将实验方法介绍于下.     

硒镓银晶体核辐射探测器的制备

报道了在室温下适宜于５．４８６ＭｅＶ的α射线的硒镓银晶体核辐射探测器的制备及其性能测试结果．１０ｍｍ×７ｍｍ×０．６ｍｍ的硒镓银晶片被磨平、抛光和清洁后，在其两面镀上电极．硒镓银探测器在室温下用２４１Ａｍ源发出的５．４８６ＭｅＶα射线进行辐射测试．结果表明，硒镓银晶体是一种有希望的室温α射线探测器新材料．     

￣（165）Ho（n，γ）￣（166m）Ho反应截面测量

用活化法相对于Ａｕ的中子俘获截面，测量了２０３，６７６和９７４ＫｅＶ中子引起的１６５Ｈｏ（ｎ，γ）１６６ｍＨｏ的反应截面。结果分别为３７．４±５．６，１２．２±２．４和１０．９±３．１ｍｂ．