一类四阶方程边值问题正解的存在性

得到了一类四阶方程边值问题相应的Green函数。从而将该问题转化为相应的Hammerstein型积分方程，并利用锥拉伸与锥压缩不动点定理，证明了它在一定条件下，至少有一个正解。     

异种钢焊接接头过渡层影响因素的研究

本文根据回归正交优化法原理,用电孤焊试验研究了异种钢焊接接头过渡层的影响因素。通过实测与计算,获得过渡层为零时,最佳匹配的焊接规范参数,为消除过渡层的有害影响探讨了新的途径。     

氧化物半导瓷中晶界势垒的起源

提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点，认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散，与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系，并用此理论解释了许多实验现象。     

一种可视化CFD网格生成方法

结合可视化技术 ,提出一种CFD前处理中的网格生成方法。阐述了CFD前处理中存在的问题 ,并针对这些问题构架起专用的绘图平台。详细介绍了网格划分的思路及实现方法 ,并将网格自动生成模块集成在绘图平台中。实践证明 ,这种可视化CFD网格划分平台操作界面方便友好 ,算法简捷正确 ,大大简化了前处理工作的复杂性 ,具有很高的实用价值     

GDX—硅胶混合薄层色谱板的效率和定量性能

对用ＧＤＸ－１０２－硅胶Ｇ、有机粘合剂研制出的混合薄层板进行性能测试，评价了其在硝基苯胺异构体、酸性食品染料分离测试方面的应用，得到好的结果。     

激光开槽、埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。     

金属间化合物Ni3Al中的硼晶界偏聚特性的AES研究

本文应用俄歇能谱仪研究了不同化学计量比ＮｉＡｌ金属间化合物硼在晶界偏聚的特性。研究结果表明：硼在Ｎｉ３Ａｌ的各个晶界偏聚存在着不均匀性，硼在晶界的偏聚范围只有几个原子层，晶界结构及晶界化学环境是影响在晶界偏聚的决定因素。     

四阶段三层次洗毛机理的研究

根据国产原毛表面各种污染物的特点、分布状态及其去除过程，提出了原毛表面污染物去除过程的四个阶段：润湿阶段、溶胀阶段、快速去污阶段和慢速去污阶段；原毛表面污染物可分为附着层、混凝层和结合层。各层污染物在纤维表面附着状态不同、结合形式不同，因而各污染物洗涤难易程度和去除机理各不相同．结合层污染物较难去除，洗涤时针对结合层污染物特点需采用特殊工艺。     

功能梯度材料弯曲断裂模型分析

讨论功能梯度材料裂纹板受纯弯、纯扭、弯扭载荷作用下的弯曲断裂问题。根据弹性力学基本方程、断裂力学有关理论，分别将弹性常数：杨氏模量、泊松比、剪切模量设为任意函数、指数函数或幂函数，建立了各向同性、正交异性功能梯度材料板的弯曲断裂模型，即一系列相关的偏微分方程边值问题。对于功能梯度材料弯曲断裂问题的研究具有一定的参考价值。     

一个强耦合系统的整体吸引子的存在性

考虑一个强耦合抛物系统的初边值问题,通过利用抛物方程解的先验估计的技巧以及微分-积分不等式,给出了这个系统解的整体吸引子的存在性.