全文获取类型
收费全文 | 256篇 |
免费 | 10篇 |
国内免费 | 9篇 |
专业分类
丛书文集 | 10篇 |
教育与普及 | 4篇 |
综合类 | 261篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 4篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 16篇 |
2011年 | 10篇 |
2010年 | 9篇 |
2009年 | 12篇 |
2008年 | 13篇 |
2007年 | 16篇 |
2006年 | 7篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 11篇 |
2003年 | 16篇 |
2002年 | 15篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 6篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 12篇 |
1995年 | 10篇 |
1994年 | 12篇 |
1993年 | 8篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 13篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 2篇 |
排序方式: 共有275条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
高玉民 《西安理工大学学报》1994,10(3):190-195,214
本文从物理概念出发,推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式,并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及pn结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。 相似文献
12.
本文介绍一种全自动不同断逆变电源,该电源的逆变电路简单、性能可靠,采用VMOS管作用功率输出级,逆变效率高,控制电路在市电接通时,对负载供电,同时对电瓶充电,充满自停,能实验市电和逆变电源供电的自动转换,设有电瓶充电过压和欠压保护电路,实现了全自动控制,可作为家庭小功率应急电源。 相似文献
13.
14.
本文在分析大功率晶体管过电流保护技术的基础上,提出一种新型大功率晶体管自保护驱动器。它在功率晶体管直通和输出短路情况下,自行关断晶体管,没有保护死区,实现了可靠的过流快速保护 相似文献
15.
研制了一种新模式的半导体场效应晶体第--垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET),这种结构可以避免现有光刻技术的制约,使用常规的半导体双极晶体管工艺,既可把有效沟道长度减短,大大提高器件的速度,又可将电源电压降低到小于1V,大幅度降低功耗,改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想,并给出了器件特性的测量结果。 相似文献
16.
尼古丁-FET传感器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
尼古丁是烟草中最重要的生物碱。本文报导以四苯硼酸尼古丁缔合物为活性材料,研制了尼古丁场效应管传感器,测试了器件的性能参数,获得满意的结果。其线性范围在10~(-1)~10~(-4)mol/l,斜率为56±1mV/pc,适用的 pH 范围在5.5~7.5之间。 相似文献
17.
徐宝民 《华南理工大学学报(自然科学版)》1998,26(4):95-101
在文「1」的基础上,讨论了单电子晶体管在两态情况下,的散粒噪声的行为和噪声谱与各个 电路因子的关系,从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论:信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制,通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。 相似文献
18.
MIAO Qinghai Miao Yuan Zhu Yangjun Zhang Xinghua YANG Lieyong YANG Zhiwei Zhang Dejun CHEN Fengxia LU Shuojin 《自然科学进展(英文版)》2005,15(4)
This paper points out an error in the principle figure and the waveform figure of the thermal resistance standard IEC747-7, which describes the relation between the I-V curves and the temperature. It theoretically proves that the I-V-T curve of the standard contradicts the physical law. This contradiction is also revealed by experimental results. Finally, the correct I-V-T characteristic curve and the waveform figure at two different temperatures for the same transistor is given, which serves as the reference to correct the standard. 相似文献
19.
利用硅双极晶体管在线监测中子注量,其直流增益和损伤常数是作为探测器指标的重要参数。高温退火可使受到中子辐照的双极晶体管性能部分恢复,进而可以重复使用。开展高温退火特性研究,分析双极晶体管直流增益的恢复程度以及损伤常数的重复性。在快中子脉冲堆上对贴片型3DG121C双极晶体管进行三轮中子辐照,每轮辐照累计注量2.64×10~(13)cm~(-2)。经过第一轮中子辐照后,双极晶体管直流增益下降至辐照前的40%,经过180℃连续24 h的高温退火后,直流增益恢复至辐照前的67%;经过第二轮辐照后,直流增益下降至第二轮辐照前的50%,在相同条件下退火后,直流增益恢复至第二轮辐照前的73%;经过第三轮辐照后,直流增益下降至第三轮辐照前的58%,在相同条件下退火后,其直流增益恢复至第三轮辐照前的87%。三轮实验结果表明:双极晶体管直流增益倒数随辐照中子注量变化的线性关系基本一致,具体表现为其损伤常数具有很好的重复性。利用该高温退火特性,将双极晶体管作为中子注量探测器应用于快中子脉冲堆中子注量在线监测,监测结果与活化箔结果基本吻合。 相似文献
20.
本文从设计模拟多功能多路报警器实验出发 ,对信号接收电路、音响电路、逻辑电路进行设计。不仅能各自为一个设计实验 ,又可组合成报警器设计实验。同时对该报警器的实际应用具有借鉴作用。 相似文献