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61.
采用溶胶-凝胶法和自制膜提拉装置制备了TiO2薄膜光催化剂。以结晶紫为模型反应物,通过自行设计的光催化反应器对制备的TiO2薄膜光催化剂性能进行了评价,研究了提拉次数、焙烧温度、溶液pH值以及H2O2投加量对光催化活性的影响。实验结果表明,经500℃焙烧120min、拉膜3次的TiO2薄膜光催化剂具有最佳的光催化活性,在pH7.0~8.0、适量H2O2存在下可获得最佳降解效果。  相似文献   
62.
Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。  相似文献   
63.
三维稳态晶体生长的物理本质   总被引:5,自引:2,他引:5  
考虑在均匀流场的作用下,分析了金属熔液凝固过程中晶体生长的三维稳态数学模型。应用傅里叶级数展开法,在周期性条件下得到了相应的八阶常微分方程的精确解析解,并确定了解中各系数之间的关系。该解揭示了在均匀流场的作用下,晶体生长呈现了一种周期性振荡式的模式,从理论上证实了固液界面前沿浓度呈现指数振荡衰减性是晶体生长的一个本质特性。  相似文献   
64.
研究选择性擦除的原理和方法,针对铌酸锂晶体中定影全息图和未定影全息图的特点,介绍相应的选择性擦除的原理和在物光和参考光中引入π相位差的几种方法,通过引入π相位差记录互补全息图,利用全息图及其互补全息图的非相干叠加,消除原全息图对晶体折射率的调制,从而实现对未来影全息图的选择性擦除,实验中实验了在晶体中某一数据面面内部分数据的擦除,并从理论上对实验结果进行了分析。  相似文献   
65.
合成了(C2H5)4N+HCO-3*H2O加合物并用X射线单晶衍射解析了其晶体结构.晶体属单斜晶系, P21/n空间群, a=0.8186(1) nm, b=1.5330(3) nm, c=0.9562(3)nm, β=97.82(2)°, Z=4, V=1.1888(5) nm3, Mr=209.28, ρc=1.169g*cm-3, μ(MοKα)=0.090mm-1, F(000)=464,对1837个独立衍射点的最终偏离因子R=0.0486.每个不对称单位由1个碳酸氢根离子、1个水分子与1个四乙基铵阳离子组成.阴离子和水分子之间通过氢键连成皱折纽带,被包含在四乙基铵阳离子列所形成的未完全封闭管道中.  相似文献   
66.
石英晶体传感器   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了石英晶体传感器的结构及频率输出的特点,分析了由石英晶体构成的温度、应力、微质量、声压等传感器的测量机理,评述了与其对应的各种应用及其优缺点。  相似文献   
67.
粉石英SiO2含量高(98.7%—99.3%),Fe2O3含量低(0.03%—0.04%),价格约为人工石英粉的一半,用它和水玻璃配制的面层料涂片重量较轻(0.47—0.52g),铸件表面粗糙度Rz>40μm。经过对天然粉石英的淘洗工艺和颗粒组成的反复研究,做了大量的工艺试验,最后确定了一种性能较好的粉料。可使涂片重达到0.8g以上,铸件的粗糙度也得到了改善(Rz为13.9—24.65μm)。  相似文献   
68.
合成了冠醚配合物:[K(18C6)][BPh_4],通过元素分析、红外光谱、单晶X-射线衍射对配合物结构进行了表征,该配合物为单斜晶系,空间群P2(1)/n,晶体学数据:α=1.454 8(4)nm,b=1.395 6(4)nm,c=1.749 7(6)nm,β=111.254(5)°,V-3.311 0(18)nm~3,Z=4,F(000)=1 328,R_1=0.079 7,ωR_2=0.204 7.配阳离子[K(18C6)]~+中的K~+与[BPh_4]~-中的其中一个苯环存在K~+-π相互作用.  相似文献   
69.
在室温至150℃范围测量了纯PWO4晶体和掺镧(La)PWO4晶体的频域介电谱,发现两种样品的介电弛豫都不是德拜型的,晶体中的空位和杂质形成的二和三级结构使得频域介电谱和样品的热力学历史有关。  相似文献   
70.
合成了一系列新的液晶性芳香羧酸化合物,化合物的结构通过元素分析、红外光谱、核磁共振波谱和质谱等方法确证。化合物5的液晶行为用示差扫描量热法(DSC)和偏光显微镜(POM)表征。发现化合物5加热至各自的熔点以上都能形成液晶态,在液晶态可以观察到向列相的丝状织构和纹影织构,随分子中末端烷氧基碳原子数增加,化合物5的熔点(Tm)和液晶态的清亮点(Ti)呈规律性变化,液晶态温度范围变宽。  相似文献   
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