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101.
Ti离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层,采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是3层结构,表面~120nm为合成的连续硅化钛多晶薄层,在该层中晶格无程度达到40%~50%,中间层厚度约为200nm的高密度的晶格损伤区,晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高,其值可达到77%,并且随深度的增加而下降;第3层则是低密度晶格损伤层,束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。  相似文献   
102.
根据 Newman 的多孔电极理论,本文给出旁流式多孔电极非稳态行为数学模型。该模型涉及三个区域,即:液相主体、多孔区和界面。为了获得解析解,该模型被化简为两个较简单的模型:多孔区模型和液相主体模型。前者仅考虑多孔区的积累项,属于微分方程的本征值问题;后者仅考虑液相主体的积累项,属于非稳态的 Leveque 问题。文中给出旁流式多孔电极内进行 Br_2/Br-氧化还原反应时非稳态行为的计算实例。该实例表明:本文给出的简单模型的解析解,在处理更复杂问题时,可用于判断所使用技巧的正确性。  相似文献   
103.
本文对多口出流管道(支、毛管)允许最大长度的计算公式的使用提出了不同的见解。并以毛管与灌水器的布置形式为依据计算毛管允许的最大长度。  相似文献   
104.
将PET与共聚酯共混纺制中空共混纤维,经碱处理后形成多孔的高吸水涤纶。本文通过X—射线衍射仪,分光光度计,扫描电镜和热收缩仪等测试对高吸水涤纶纤维和共混纤维的结构和染色性进行了研究,目的在于探索高吸水涤纶染色机理。研究结果发现高吸水涤纶纤维与共混纤维相比较,不仅具有许多微孔,而且结晶度高,晶粒尺寸大,单位非晶体积大,非晶区结构紧密;高吸水涤纶的上染量与保水率呈指数关系。由此推论高吸水涤纶上染量高主要是由于纤维中微孔的吸附染料作用。  相似文献   
105.
本文研究了N_2/H_2比对氮化钛涂层的晶格常数、硬度、沉积速率的影响,在N_2/H_2≈1/2时得到组成近似于化学计量的氮化钛,涂层硬度和沉积速率最高,涂层模具的寿命比不涂层的可提高4倍。  相似文献   
106.
在制取粉末冶金多孔阻焰材料时,根据Pekle准数推算出燃气火焰熄灭的临界熄火孔径值,依据此值来确定原料粉末粒度和制取工艺参数,从而可使所制材料的孔径准确符合临界熄火孔径值要求,其材料能有效地发挥阻焰、熄火、防爆作用。  相似文献   
107.
在pH4.5的50mmol·L~(-1)NaAc-50mmol·L~(-1)NaAc-0.4mmol·L~(-1)N-苯甲酰苯胲(N-BPHA)底液中,用单扫示波极谱法可得到Ti(Ⅳ)的络合物吸附波,峰电位-0.62V(vs.SCE)左右。导数峰高与钛的浓度在4.2×10~(-6)~2.0×10~(-4)mmol·L~(-1)的范围内呈线性关系,检出限为2.0×10~(-6)mmol·L~(-1)。实验表明,该极谱峰属于络合吸附波,测定其络合比为n(Ti(Ⅳ)):n(N-BPHA)=1:3。该法应用于中成药“升板胶”中微量钛的测定。  相似文献   
108.
系统地测量了400℃氯化的Fe-0.64Ti合金系统不同热处理制度下异常内耗峰的行为.提出了230℃峰的Ti-N_2仨缺陷模型,指出了100—150℃峰与高温时效过程中在{100}_α面上形成富钛、氮的预沉淀相紧密相关.  相似文献   
109.
利用胶结砂和填充砂2种多孔介质物理模型,通过岩心流动试验的方法评价了部分水解聚丙烯酰胺/柠檬酸铝胶态分散体系(HACDS)在多孔介质中的流动性能.试验表明:随多孔介质中HACDS注入量的增加,水驱压力波浪式升高;HACDS的残余阻力系数随流速的增加而减小;HACDS的残余阻力系数远大于同浓度的HPAM溶液的残余阻力系数;成胶后的HACDS较未成胶的HACDS具有更好的封堵效果;HACDS具有选择性封堵作用;HACDS的突破压力梯度随流速的增加而增大,而且重复注入后,突破压力梯度大幅提高,是一种较好的调剖材料.  相似文献   
110.
用工业钛液制备纳米偏钛酸的影响因素   总被引:2,自引:0,他引:2  
以廉价的工业TiOSO4溶液为原料,通过热水解法制备纳米二氧化钛的前驱体偏钛酸(H3TiO4)。研究钛液酸度、钛液浓度、水解时间和水解温度等主要因素对TiOSO4溶液水解率和偏钛酸粒径的影响。采用激光粒径分析仪对偏钛酸粉末粒径厦粒径分布进行检测;采用透射电镜观察偏钛酸的形貌和粒径。研究结果表明:水解条件直接影响偏钛酸的粒径及其分布,其中,钛液酸度的影响最大;水解条件时TiOSO4水解率和偏钛酸粒径的影响存在着最佳结合点,即当c(H^+)为2.6~2.8mol/L,p(TiOSO4)(接TiO2计)为25~28g/L,水解时间为60min,水解温度为125℃时,TiOSO4的水解率可达95%以上,得到的偏钛酸呈球形且粒径为40nm。  相似文献   
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