200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography

GaAs-based metamorphic HEMTs （MHEMT） consist of GaAs substrates and InP-based epitaxial structure, and have the advantages of both InP HEMT＇s excellent performances and GaAs-based HEMT＇s mature processes. GaAs-based MHEMTs were applied to millimeter-wave low-noise, high-power applications and systems. The current gain cut-off frequency （fT） and the maximum oscillation frequency （fmax） are important performance parameter of GaAs-based MHEMTs, and they are limited by the gate-length mainly. Electron beam lithography is one of the lithography technologies which can be used to realize the deep submicron gate-length. The 200 nm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by electron beam lithography. In order to reduce the parasite gate capacitance and gate resistance, a trilayer resist structure was used to pattern the T-gate resist profile. Excellent DC, high frequency and power performances have been obtained. FT and frnax are 105 GHz, 70 GHz respectively. The research is very helpful to obtain higher performance GaAs-based MHEMTso     

细胞图形化技术及其应用

细胞图形化技术是近十几年出现的一项新技术，其发展和应用不仅为细胞生物学的基础研究提供了新的工具，将来更有可能为疾病诊断、药物筛选和组织工程等应用领域开辟新的道路。本文主要介绍细胞图形化技术及其生物学应用，内容包括：细胞图形化技术产生的背景和意义，概念和方法，发展现状和应用以及前景展望。     

聚酯型光致抗蚀剂的合成及其性能研究

本文研究了六种新的聚酯型负性光致抗蚀剂的合成,分别测定了它们的UV、IR、DTA和光刻性能.试验结果表明,六种新胶的光刻性能均全面超过现有商品聚酯胶.在集成电路、微波器件、超高频器件和普通印制线路上使用,均获得满意的结果.     

21世纪深亚微米芯片技术的新进展

着重介绍对微电子技术发展有重大意义的集成电路关键技术的进展情况，MOSFET结构的探索创新，高K和低K绝缘材料的开发运用，铜布线芯片技术，极紫外线暴光技术以及SoC设计技术等里程碑式的进展，使集成电路朝着规模越来越大，图形线条越来越细，功耗越来越低，工作速度越来越快的方向不断发展，为21世纪IT产业的发展奠定坚实基础。     

一种新的低成本微电子机械系统微针加工方法

提出了一种新的空心微针阵列加工方法，利用三次同步辐射曝光和显影过程来加工微针．通过无掩膜曝光实现显影腐蚀的侧向扩展，从而获得微针的尖部形状；为克服因同步辐射光源的光束为近似椭圆高斯分布所造成的微针呈椭圆形及微针在各个方向上的强度不均匀问题，采用正交两次曝光方法来补偿同步辐射光源的光束分布不均匀性．这种方法工艺过程非常简单，并且无需任何特殊装置．文中所有实验是在日本立命馆大学的超导压缩存储环同步辐射光源AURORA的第13条线上完成的．实验结果表明，利用这种新方法可以非常方便地加工出高质量的空心微针，实现微针阵列的低成本、批量化制造．     

混有着色剂的光敏树脂光固化技术研究

研究了混入不同着色剂的液态光敏树脂在激光扫描照射下树脂单层固化厚度的变化规律,比较了不同着色剂对树脂固化程度的影响.进一步研究了经表面改性的着色剂加入液态树脂后对树脂固化程度的影响.实验结果表明:随着色剂种类和加入量的变化,树脂固化程度发生明显变化.使用表面改性的方法,可以改善着色剂在液态树脂中的分散性以及着色树脂的固化程度.使用MTS Nano Indenter XP型纳米硬度计对固化树脂进行力学性能检测,结果显示混入改性着色剂的固化树脂的表面可承受的压力和弹性模量有显著提高.     

多束SPPs干涉成像模拟研究

多束SPPs干涉光刻是一种可突破衍射极限的新型纳米加工方法。在分析SPPs激励和传输机理基础上,建立多束SPPs干涉成像模型,编制了能快速准确地计算多束SPPs干涉光刻成像的仿真软件。并在此基础上对多束SPPs的干涉像进行了模拟,发现如果将两束光增加到四束或八束光激发SPPs干涉,则可获得二维分布的周期性光斑点阵,在制作纳米光子晶体材料方面有很强的应用前景。随着入射SPPs的增加,当棱锥棱数足够多近似于一个圆锥时,干涉场会形成一系列的同心圆结构,可考虑实现纳米级波带片的制作。     

高精度压印机压印轴的热误差分析

在压印光刻工艺中,针对压印机由于温度变化而引起的热误差,通过建立压印机压印轴有限元分析模型,对其温度分布进行了仿真计算.采用高斯求积法优化了温度传感器的位置和数量,选取了1个热源点和2个高斯点作为测温关键点,建立了压印轴测温点的温度变化与压印轴轴向热误差之间的线性计算模型,该方法可以预先确定测温点的数量和位置,避免了传统的从多个测温点中通过实验选择最优传感器数量和位置的方法.研究结果表明,有限元计算结果与实验中温度测量值之间的误差小于7 7%,仿真结果能准确反映压印轴温度场的分布情况,所建立的压印轴热误差模型的计算精度可以达到93%,因此获得了较高的计算精度.     

自动抛光凸区域上自由曲面的扫描路径算法

为了减小抛光加工的表面粗糙度和提高效率,构建抛光工具路径并均匀覆盖于三维曲面上,曲面的定义域为任意二维凸区域。扩展扫描方式根据曲面一个方向上的一组切割曲线的标准长度分布,灵活调整相应位置穿越的扫描线数量,既包含一般的贯穿曲面的曲线,又包含起点或终点在曲面内的曲线,与传统扫描方式相比具有很大灵活性。为优化扫描方向和确定扫描线的端点,给出了曲面立体光固化(STL)模型的边界提取算法。通过一个曲面的扫描路径建构实例,详细阐述了任意二维凸区域上扩展扫描的算法流程,包括曲面分割、点列筛选和路径点的连接等步骤。路径长度和相邻扫描曲线的间距分布,定量地表明扩展扫描方式可适应曲面形状变化并提高路径覆盖均匀度。     

厚层抗蚀剂光刻技术研究进展

厚层抗蚀剂光刻是一种制作深浮雕结构的微细加工技术。综述了近年来厚层抗蚀剂光刻技术的最新进展,从厚层抗蚀剂光刻工艺原理以及计算机模拟诸方面分析了该技术区别与传统光刻的一些特点,并对其应用的研究现状进行了总结,最后指出了进一步发展厚层抗蚀剂光刻技术的关键问题。