最大成键能原理及其应用

本文提出了最大成键能原理。由此出发，求出相应的最大成键能分子轨道及成键能，并得到了分子中各原子间的成键能，这些可以很好说明分子的成键和分子吸原子间键强度的性质，与实验事实吻合。同时，还可以得到分子的Ｍｕｌｌｉｋｅｎ＇ｓ布居数，与通常的ＬＣＡＯ－ＭＯ方法一致。     

轴流通风机出口紊流流场的实验研究

本文对某一型号的一类轴流通风机的出口紊流流场进行了测量,得出了风机出口流场紊流度的变化特性和紊流流场的波形图,根据实验结果的分析,指出了该类通风机的空气动力噪声源。     

关于感生电场和库仑电场的讨论

通过剖析两个实例，讨论感生电场和库仑电场性质上的差异以及电压的定义问题，澄清对两种场认识上的一些误解．为进一步计算似稳电路打下了坚实的理论基础．     

高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。     

霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.     

轴拉杆随机分析的域外奇点法

采用随机域外奇点法对轴拉杆件进行了分析．考虑杨氏模量的不确定性，得到了不同相关类型、不同相关长度下的解析解，并分析了相关类型、相关长度以及随机场中点离散法对位移方差的影响．     

用CCD测量单缝宽度的一种实验室方法

根据单缝夫琅和费衍射原理 ,介绍利用CCD测单缝宽度的一种实验室方法 ,并对测量误差等问题进行了讨论