对向靶溅射法中直流负偏压对FeN化合物薄膜的结构和磁性的影响

对向靶反应溅射法制备的FeN化合物薄膜的结构和磁性对基板偏压的变化很敏感,不同的偏压数值作用的效果不同。我们用基板偏压促进成膜原子间的相互扩散,以及对负离子排斥降低膜中N的浓度和粒子轰击对膜再溅射的观点解释了FeN膜的结构和磁性的变化。     

受磁场作用的量子阱激子

本文试用两种方法计算ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ复合量子阱中激子结合能增量与磁场的关系，计算结果与实验相符。     

移动电话实时计费系统中主机系统的设计

阐述了主机系统的设计原则．对主机系统的ＣＰＵ数目、内存容量和磁盘存储阵列等主要参数进行了分析，给出了主机系统设计的一个实例。     

A－NET机router间通信过程的模拟

在介绍了Ａ－ＮＥＴ计算机的ｒｏｕｔｅｒ部分的功能之后，主要叙述了利用ＵＮＩＸ进程管理和进程通信的功能对ｒｏｕｔｅｒ间通信过程的模拟。     

稀土单硫代二苯甲酰甲烷配合物的XPS研究

测定并研究了单硫代二苯甲酰甲烷（ＨＴＤＢＭ）及其稀土配合物Ｌｎ（ＴＤＢＭ）４［（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ］Ｈ（Ｌｎ＝除Ｃｅ、Ｔｍ外的Ｌａ－Ｌｕ）的光电子能谱（ＸＰＳ）。结果表明：Ｌｎ３＋离子通过Ｏ原子和Ｓ原子配位形成螫合物，Ｌｎ—Ｏ键和Ｌｎ—Ｓ键均具有一定程度的共价性；从Ｌａ到Ｌｕ，配位键的离子性逐渐增强；观察到Ｌａ３＋配合物３ｄ５／２具有伴峰现象。     

异机种互连通信系统

一、概述随着各种不同类型的计算机的出现,异种机互连,共享相互的资源,给计算机的应用带来了很大的方便。南京电信局对引进的 S-1240程控交换设备研制的计帐系统,利用南京工学院计算中心的 DPS-8计算机读出磁带信息,再从 DPS-8计算机经过电话线传送到南京电信局的 IBM-PC 机进行处理。为使各种机型的磁带文件都能在同一机型的磁带机上使     

多重圈张量乘积的联结数

本文给出了多重圈张量乘积的联结数的计算公式,并给出了证明。     

Manufacturing Communication： DCOM-MMS-based Approach for Flexible Manufacturing System

A design approach of manufacturing communication is presented for flexible manufacturing system in this paper. The primary objective aims at making the flexible manufacturing ,control system provided with interoperability and reconfigurability. Based on describing manufacturing message specification （MMS） and distributed component object model （DCOM）, a client/server manufacturing communication model is built with MMS standard and DCOM middleware, and the communication interfaces between MMS client and MMS server are designed with Microsoft interface definition language （MIDL） and abstract syntax notation one （ASN. 1） of MMS services. As a result, DCOM and MMS integration leads to such client/ server communication capabilities independent of different operating systems and manufacturing devices in flexible manufacturing automation environment. Finally, to verify the new design approach, a prototype system of robot control system has been implemented in MS 2000 Server/Professional Operating System and VC ＋ ＋ 6.0 Developer Environments.     

GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移.