无剪切闭锁的厚薄板矩形单元的构造

在板弯曲的有限元计算中 ,因为剪切闭锁现象导致厚板元无法自动退化为薄板元 ,工程中很难构造既适用于厚板又适用于薄板的计算单元 ,因此采用由龙驭球教授提出的广义协调元法 ,构造了矩形厚薄板弯曲通用计算单元 .通过铁木辛柯梁理论 ,建立了板单元边界和板单元内部的位移插值场函数 .计算结果表明该单元可顺利解决剪切闭锁现象 ,可在实际工程中推广应用     

纳米结构V2O5薄膜的溶胶凝胶制备与特性研究

采用溶胶 -凝胶技术 ,以V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的V2 O5薄膜 .使用椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、红外分光光度计 (FTIR)、电化学分析、原子力显微镜 (AFM)等方法研究了V2 O5薄膜的特性 .实验结果表明 :薄膜具有纳米多孔结构 ;热处理使得薄膜致密 ,折射率提高 ,薄膜结晶 .红外吸收测量揭示了刚制备的薄膜中钒以 4价离子为主 ,高温热处理后形成 5价钒离子 ,相应出现了V2 O5特征吸收峰 .这种结构的薄膜具有很好的锂离子注入 /退出可逆性和很高的离子注入容量 ,可用作锂离子电池的高性能阴极材料 .     

用MOCVD法制备TiO2薄膜

用低压MOCVD法，以四异丙纯钛为源物质，高纯氮气作为载气，氧气为反应气体，制备出了TiO2薄膜，考察出了沉积温度，基片距离均对沉积速率有影响，发现在不同反应条件下TiO2薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制。     

玻璃纤维网上TiO2薄膜光催化剂制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法和自制膜提拉装置制备了TiO2薄膜光催化剂。以结晶紫为模型反应物，通过自行设计的光催化反应器对制备的TiO2薄膜光催化剂性能进行了评价，研究了提拉次数、焙烧温度、溶液pH值以及H2O2投加量对光催化活性的影响。实验结果表明，经500℃焙烧120min、拉膜3次的TiO2薄膜光催化剂具有最佳的光催化活性，在pH7．0～8．0、适量H2O2存在下可获得最佳降解效果。     

2-取代苯并咪唑衍生物的定量分析

传统非水滴定方法分析苯并咪唑衍生物的含量，由于受到杂质中胺类化合物的影响，造成结果偏高，甚至达到100%以上。文中采用薄层层析法分离苯并咪唑衍生物及杂质，首先分离出苯并咪唑衍生物，然后用非水滴定方法分析含量，得到了准确的分析结果。初步确定影响分析结果的杂质为未完全反应的原料之一邻苯二胺。     

玻璃陶瓷基板上铜薄膜的化学气相沉积

使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290～310℃,N2气流量为200～350mL/min和H2气流量为450～600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。     

超声喷雾热分解法制备电极材料LiCoO2薄膜

以硝酸锂和乙酸钴为原料,玻璃为基片,通过超声喷雾热分解法制备了锂钴氧化物薄膜,并讨论了制备条件对形成薄膜如Li与Co摩尔比对薄膜晶型、不同溶剂对雾化效果、热分解温度对产物晶型和薄膜外观、反应时间对膜厚等的影响,经X-射线衍射分析和电镜测试,给出了制备较好晶型结构LiCoO2薄膜的条件.     

四-α(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜LB膜制备及电子吸收光谱研究

将四-a(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜在亲水基片上以Z型成膜方式拉制了多层LB膜。膜崩溃压为60 mN·m-1,分子极限面积为0.33nm2。研究了酞菁铜的成膜条件,表明LB膜形成与水的纯度、铺展剂、铺展量、推膜速度等因素有关。不同层数的酞菁铜LB膜的紫外可见光谱表明,在LB膜中酞菁铜分子之间是以J-聚集形态存在。     

巨磁电阻效应

重点综述了磁性多层膜、颗粒膜、钙钛矿型氧化物及铁磁薄膜隧道结等几种不同结构类型的巨磁电阻效应的研究现状及其进展情况,并简述了巨磁电阻的物理机制及磁传感器、随机存储器和高密度读出头等几方面的应用,还涉及到了制备这些巨磁电阻材料的常用方法,并列举了10种不同组分的巨磁电阻材料,还说明了特大磁电阻和巨磁电阻的不同。     

薄板单元新的质量矩阵及其应用

为了使TRUNC元能用来分析薄板动力问题，用作者所提出的新列式方法推导出该单元的两种质量矩阵。文中算例的计算结果表明，用TRUNC元和这两种新的质量矩阵分析薄板动力问题，也具有高的精度和计算效率。