差比序列视角下“不是A但是／只是／而是B”之比较

语言中的某些词或词组可以形成一个差比序列。将不同差比序列项分别嵌入“不是A但是／只是／而是B”框架，对其嵌入条件、语义内涵和否定类别分别加以比较，可从新的视角发现这三个框架深层次的区别与联系。     

自组装金属酞菁聚合物的合成及表征

通过逐步聚合的方法合成了一种新的含有长烷基链的金属酞菁的聚合物,这种自组装的聚合物有很好的溶解性能,且很容易成膜,并对其光以及电化学性能进行研究.从紫外可见光谱图中可以看到两个强的吸收带,分别位于600-700 nm,以及300-400 nm.这种物质具有低的禁带宽度(Eg<1.8 eV),很容易吸收太阳光.采用332 nm的光作为激发光源,它的溶液的发射峰出现在402nm.从循环伏安图上可以观察到,两个可逆的氧化还原过程出现在0.64 V,-1.10 V.     

我国诉讼调解制度功效之实证研究

诉讼调解制度因在解决民事纠纷方面有着固有的优势而倍受推崇。但是,诉讼调解制度也不是万能的,即诉讼调解在实践中所发挥的功效也是差强人意的。我们通过实证考察发现,无论是从结果意义上还是行为意义上分析,诉讼调解在结案、化解当事人矛盾、维护社会稳定以及其他方面均存在实然与应然状态的差异,而且导致这些差异的原因也是多方面的。司法实践中,当事人的超讼诉求、个案性的诉讼调解、多主体的利益博弈以及"破窗效应"等均制约着诉讼调解功效的最大发挥。因此,我们应理性对待诉讼调解制度。     

电容式楔隙测量仪等效间隙误差计算(英文)

利用两平面导体之间的电场强度与其距离有确定函数关系的原理,可求得被测间隙以及楔形角。本文论述了由于等效电容的影响,引起等效间隙误差,并推导出误差计算公式。     

金属／非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布

本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.     

高T_c氧化物超导体的LO耦合机制

本文利用Eliashberg超导理论,分析了高T_c氧化物超导体的LO耦合机制,给出了此类超导体e-LO耦合参数λ、库仑赝势μ~n、临界温度T_c和0K能隙△_0与T_c比值的计算公式。     

微型自由电子激光器的Maxwell方程解

本文由Maxwell方程导出了微型自由电子激光的电子辐射能量方程,上述微型自由电子激光器是利用铁电单晶体强大周期性表面势来设计的。 微型廉价自由电子激光器有高增益。     

Sn及Sn合金的微观断裂行为

微电子系统中互连尺寸的微细化使构成焊点的钎料合金的力学性能成为影响电子封装与组装产品可靠性的关键因素。因此,在微米及纳米尺度深刻掌握Sn基钎料合金的断裂行为对于更好地预测焊点可靠性具有重要意义。本文针对100Sn、63Sn37Pb、96.5Sn3.5Ag三种Sn及Sn合金,在进行力学性能测试和显微组织分析的基础上,考察了Sn及Sn合金在微米尺度上的动态断裂机制,以及纳米尺度上裂纹尖端的真实物理过程,阐述了Sn基体、含铅Sn合金和无铅Sn合金三者互有关联又各有不同的微观断裂行为特征。     

Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响

溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co2 随机替代Zn2 位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co2 替代Zn2 ,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.     

我国农村居民家庭收入差异与影响因素分析

在考虑基尼系数存在缺陷的情况下,用余期望系数分析了我国东中西部农村居民收入差异情况。