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91.
92.
以横向光伏效应为工作模式,采用全非晶硅的Pin结构,研制了一维可见光波段的光位敏探测器(PSD_s).测试结果表明,该探测器的光位敏度可达9.7mV/mm,光讯号—位移的线性探测区占有效探测总面积的65%,而最大有效光敏面积约为2cm~2. 相似文献
93.
本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Cr的非晶硅基薄膜a-Si1-x-Crx的光吸收特性。研究结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外长波的吸收特性影响较大,0.10at.%<x<2.0at.%的组分变化区,是薄膜光吸收特性变化的灵敏区。在研究的组分范围内,薄膜的光学带隙随Cr组分的增大而变窄,由1.50eV(x=0)减小到0.84eV(x=10.0at.%)。薄膜对不同波长的入射波,其吸收系数a有 相似文献
94.
95.
氢化非晶硅薄膜红外透射谱与氢含量 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了用氢化非晶硅薄膜红外透射谱的摇摆模和伸缩模计算氢含量的两种方法, 分析了这两种方法在计算薄膜氢含量时引起差别的原因. 理论推导及实验结果表明, 若将SiH2和(SiH2)n含量大小用结构因子F=(I840+I880)/I2000来表示, 则在F值较小的情况下, 薄膜折射率接近3.4或拟合厚度值d=0.71~0.89 μm时, 两种计算方法得到的氢含量很接近. 研究还发现, 制备工艺对薄膜的键结构及组分有很大的影响, 不同的制备方法薄膜中形成的SiH2和(SiH2)n含量不同, F值大的样品均匀性差(表现为这些样品实测厚度值与拟合厚度值有较大的差异); 同时在这种情况下, 两种方法计算得到它们的氢含量值相差较大, 但CAT CVD辅助MWECR CVD制备方法, 能有效地抑制SiH2和(SiH2)n的形成. 相似文献
96.
钱祥忠 《温州大学学报(自然科学版)》2004,25(2):59-62
分析了非晶硅薄膜晶体管的开关特性,提出了通断电流和电阻、组成膜厚度、沟道宽长比以及开口率的设计要求和参数取值,讨论了高显示性能和高成品率a—Si TFT结构设计的最新进展。 相似文献
97.
98.
99.
当脉冲辐照a-Si∶H膜的XeCl激光能量密度在240mJ/cm ̄2以上时,可引起被辐照膜发生明显的固相晶化;通过拉曼(Raman)散射谱、扫描电子显微照象(SEM)和紫外(UV)分光光度吸收谱的实验,研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果;还研究了使用CO_2激光退火对被辐照膜的影响。结果表明,晶化膜的晶粒大小在0.1~1.0μm时,Raman位移为510cm ̄(-1)~517cm ̄(-1)、半峰高宽度为10cm ̄(-1)~15cm ̄(-1);a-Si∶H膜经XeCl激光辐照或CO_2激光退火后,都会增强晶化膜的吸收效率。 相似文献
100.
程兴奎 《山东大学学报(理学版)》1988,(3)
本文报导了将稀土元素钇(Y)掺入非晶硅中的实验结果。在含有氢气的氩气中由射频溅射获得了掺钇的α—Si:H 薄膜,热探针测试表明样品为 n 型,室温(300K)直流电导率最大值为6×10~(-1)Ω~(-1)·cm~(-1)。变温电导测量指出,在室温附近样品是激活型延展态电子导电,所得样品的电导激活能最小值为0.12ev。将掺钇的α—Si:H 膜沉积在 p 型单晶硅片上,制备出α—Si/c—Si 结构的p—n 结,测量其电流—电压特性结果表明,它具有象晶态半导体 p—n 结同样的整流作用。 相似文献