| B^＋和BF2^＋注入预非晶硅所形成浅结的比较 |
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| 引用本文： | 张朝明,卢志恒.B^＋和BF2^＋注入预非晶硅所形成浅结的比较[J].北京师范大学学报(自然科学版),1989(1):56-58. |
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| 作者姓名： | 张朝明 卢志恒 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 预非晶硅 离子注入 浅结 B^＋ BF2^＋ |
COMPARISON OF SHALLOW JUNCTIONS FORMED BY B~+ AND BF_2~+ ION IMPLANTATION IN PREAMORPHIZED SILICON |
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| Zhang Chaoming Lu Zhiheng Zhang Huixing Li Sujie Luo Yan.COMPARISON OF SHALLOW JUNCTIONS FORMED BY B~+ AND BF_2~+ ION IMPLANTATION IN PREAMORPHIZED SILICON[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1989(1):56-58. |
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| Authors: | Zhang Chaoming Lu Zhiheng Zhang Huixing Li Sujie Luo Yan |
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| Institution: | Institute of Low Energy Nuclear Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | shallow junction ionimplantation preamorphization |
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