2-甲基-3-三氯锡基丙酸酯与氮、氧单齿配体配合物的合成及表征

合成了２＿甲基＿３＿三氯锡基丙酸甲（乙）酯与吡啶．二正丁基亚砜及水扬醛缩邻甲基苯胺等单齿配体的配合物，并通过元素分析，ＩＲ．ＮＭＲ等进行了表征，结果表明配合物为六配位的有机锡化合物．     

苯芴酮－CTMAB－OP混合体系分光光度法测定铜合金中锡的研究

报道了溴化十六烷基三甲胺ＣＴＭＡＢ与乳剂ＯＰ共存时，在硫酸、盐酸介质中，用苯芴酮分光光度法测定铜合金中锡的研究．该混配颜色化合物的λｍａｘ　５０５ｎｍ，εｍａｘ　５．２４×１０６　Ｌ·ｍｏｌ－１ｃｍ－１，锡的检量范围０～５０μｇｍＬ－１，服从朗伯—比尔定律，具有较高的灵敏度、选择性，重现性、稳定性也较好，适用于工厂中铜合金锡的检测．     

^40,48Ca＋^124Sn多核子转移反应中的结团效应

用地时间谱仪测量了入射能量分别为１７０和１７４ＭｅＶ＾４０．４８Ｃａ＋＾１２４Ｓｎ转移反应产物的角分布，实验得到的反应截面及产额分布与理论计算进行了比较。基于连续单核子转移反应机制的理论计算不能再现实验特征，需要在计算中包括核子对与α结团转移机制。     

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

烯基锡化合物的区域和立体选择性合成进展

烯基锡化合物是取代烯烃的重要合成原料和中间体,在有机合成中有着十分广泛的应用.文章综述了区域和立体选择性地合成Z型或E型的烯基锡化合物的方法.     

三苯基锡印迹聚合物的合成及吸附性能

以壳聚糖为聚合物单体，以三苯基锡(TPT)为模板分子，制备在空间结构和结合位点上与TPT完全匹配的TPT模板交联壳聚糖分子印迹聚合物(TMlPCLC)，研究该分子印迹聚合物的吸附、交联和洗脱条件。以及对TPT的吸附能力．结果表明，所合成TMIPCLC对TPT具有良好的吸附选择性。     

铝锡轴承合金的摩擦磨损机理与性能

铝锡轴承合金对大型载重汽车、坦克、高速汽车、拖拉机等的高速高压柴油机的发展有重要的意义。提高铝锡合金的耐摩擦磨损性能可节省大量能源并延长零件的使用寿命,如何取得具有优良的耐摩擦磨损的铝锡合金成为研究的重点。本文介绍了提高铝锡合金的耐摩擦磨损性能的措施及其影响因素,总结铝锡合金中锡元素含量改变、合金元素的添加、热处理与制备工艺的改变对铝锡合金的显微组织以及耐摩擦磨损性能的影响。     

基于拉曼光谱和光学二次谐波的二硒化锡结构研究

二维层状半导体材料,尤其是少数原子层时,其光电性质与晶格结构密切相关,采用合适的表征方法是关键。本文通过使用机械剥离的方法,得到了不同层数的二硒化锡,并利用光学二次谐波和拉曼光谱的表征研究了其晶体结构的性质。通过二次谐波准确确定了二硒化锡的晶轴,分析了厚度对二次谐波的影响,为确定材料的晶格结构提供了一种纯光学的手段,同时为发现二硒化锡其他非线性光学性质提供了可能性。通过拉曼光谱,发现二硒化锡层间振动模式对厚度和温度变化均较为敏感,表明二硒化锡可应用于大范围内温度的原位监测。     

锗锡薄膜的分子束外延生长及退火研究

无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料，适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而，由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系，基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制；最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响，提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结，通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度.     

仲钨酸铵对Ag-Sn合金粉末的氧化作用

本文采用氧化增重法(TGA),研究了添加少量仲钨酸铵(APT)对Ag-Sn合金粉末的氧化作用,用X射线衍射仪、电子探针和金相观察分析了粉末氧化前后相的转变、氧化物的分布、形貌。结果表明,Ag-Sn APT混合粉末的氧化规律服从Wagner理论;APT的分解产物及形成的新相Ag_2WO_4作为活性氧原子源,促进Sn的氧化;添加剂APT在0～2.26wt-％成分范围内和相同温度、相同氧化时间条件下,氧化速率随添加量增加而加快;随氧化温度的提高,氧化速率加大,如在800℃下的氧化速率大于700℃下的氧化速率。