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71.
随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔(TSV)实现层间互连的三维集成电路(3D IC)成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性. 相似文献
72.
针对FCC废催化剂中所含的稀土元素,本研究以废FCC催化剂为原料,与无水碳酸钠混合焙烧活化,以盐酸为浸出剂,探究了盐酸浓度、浸出温度、浸出时间、浸出固液比以及焙烧时间等因素对FCC废催化剂中稀土元素镧(La)、铈(Ce)的浸出率的影响,并进行了浸出过程动力学分析和表观活化能计算。实验结果表明:废FCC催化剂在750℃条件下和碳酸钠以质量比为1:1混合焙烧300 min后,在70℃的条件下,用6 mol/L的盐酸溶液且固液比为1:25浸出120 min时,La、Ce最佳浸出率可达到88.06%、90.07%;FCC废催化剂浸出前后SEM和XRD测试分析表明废FCC在酸浸后衍射特征峰基本消失,晶格结构被破坏,浸出渣主要为SiO2;缩芯模型浸出过程动力学分析和Avrami表观活化能计算结果均表明:La和Ce的浸出活化能的测定值分别为27.1、21.2 KJ/mol,该浸出过程受扩散控制。该研究对固废资源中稀土元素的高效回收具有一定的指导意义。 相似文献
73.
以高风温热风炉用钢的沿晶应力腐蚀开裂问题为背景,研究了Mo对低合金钢在硝酸盐溶液中的应力腐蚀行为。结果表明,低合金钢中加入合金元素将使钢中贝氏体和/或珠光体含量增大,从而提高了材料的稳定性和抗SCC耐蚀性。提出了低合金钢/硝酸盐溶液体系的“温度-钼含量-SCC图”。 相似文献
74.
神经网络建模计算稀土卤化物的熔化焓 总被引:4,自引:0,他引:4
采用人工神经网络(ANN)方法研究了稀土氟化物、氯化物、溴化物和碘化物的熔化焓与离子键参数之间的关系,由25组文献数据建立了预报稀土卤化物熔化焓的统一模型,并预报了其他45个稀土卤化物的熔化焓。ANN模型计算结果与已有文献数据吻合,没有实验数据报道的预报结果也显示出良好的规律性,说明人工神经网络建模预报化合物的熔化焓是一种有效的方法。 相似文献
75.
本文合成了苯甲酰三氟丙酮(L)和三苯基氧膦(TPPO)、联吡啶(Bipy)、邻菲罗啉(phen)、四甲基氢化铵(NMe4OH)与稀土Y、La、Eu、Tb离子的混合型配合物。测定配合物的H1NMR谱及质谱,并对测定结果进行了分析。 相似文献
76.
合成了间羟基苯甲酸邻菲Luo啉钆(Ⅲ)、镝(Ⅲ)三元配合物。通过元素分析、红外与紫外光谱、X-射线粉末衍射、差热-热重分析和固体配合物导电性能等方法,对三元配合物进行了结构与性质研究。 相似文献
77.
稀土肥料在日光温室栽培草莓上的应用研究 总被引:3,自引:0,他引:3
探讨了不同浓度的稀土肥料,分别用于日光温室栽培草莓(Fragariaananassa)的浸根及根外追肥,结果表明:定植时用200-300mg/kg浓度浸根;生长旺盛期、初花期、盛花期用300-400mg/kg浓度喷施,对草莓具有显著的增产效果。 相似文献
78.
本文合成了通式为REL3(RE3+=Pr3+、Sm3+、Tb3+,,L=对茴香酸根)的二元配合物.用元素分析、电导、IR、UV、TGDTA等对其结构和性质进行了表征.该类配合物属桥式双齿配位 相似文献
79.
硅砂表面高温改性提高水玻璃砂强度的机理 总被引:1,自引:1,他引:0
X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)等的研究表明,硅砂表面存在吸附膜.高温改性使吸附膜被牢固烧结在砂粒表面,改变了吸附膜和砂粒表面的物理和化学特性,大大改善了湿润性,使粘结桥的断裂形式从附着断裂向内聚断裂转化,提高了水玻璃砂的强度. 相似文献
80.
X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)等的研究表明,硅砂表面存在吸附膜,高温改性使吸附膜被牢固烧结在砂粒表面,改变了吸附膜和砂粒表面的物理和化学特性,大大改善了湿润性,使粘结桥的断裂形式从附着断裂向内聚断裂转经,提高了水玻璃砂的强度。 相似文献