Ti2AlN可加工陶瓷的快速制备及压痕行为研究

以TiH₂、AlN粉为原料,采用等离子体活化烧结技术制备出单相Ti₂AlN块体材料.通过对烧结过程中不同反应温度下产物的物相分析及显微结构观察,研究了Ti₂AlN的形成过程.结果表明:在700℃以下,TiH₂完成脱氢过程;当温度超过700℃后,AlN向脱氢后的Ti粉中扩散,并先后出现Ti₃Al、TiN、Ti₃AlN及TiAl等中间相;随着反应不断进行,中间相逐渐向Ti₂AlN相转变,从而在1200℃下保温5min获得了具有明显片层结构的单相Ti₂AlN陶瓷.对此单相Ti₂AlN陶瓷进行了压痕行为研究,结果表明低硬度以及压痕区内晶粒的微开裂是Ti₂AlN陶瓷具有良好可加工性的根本原因.     

太阳能硅制备过程湿法提纯SiO2的研究

研究了SiO2体系中去除金属和非金属杂质的方法.考察了浸出剂浓度、温度、反应时间、搅拌等因素的影响,采用ICP、SEM等对产品进行了表征,分析了不同工艺条件对杂质去除率的影响程度.当工艺条件为:w(HF)=1.0%与w(H2C2O4)=1.5%在100℃温度下处理60~150目的石英粉4 h,Fe、Ca和P的去除率分别达到了99.8%,72.7%和67.8%,湿法冶金可以去除SiO2中的绝大部分Fe杂质和大部分Ca和P杂质,反应前30 min为化学反应控制,后转为内扩散控制.     

钛制泥浆冷却器的制造

钛材TA2作为一种活泼金属,焊接时极易被氧化,须在专用场地施焊,将焊接表面严格清理.钨极氩弧焊时辅以拖罩方式保护,可以避免气孔和裂纹缺陷,接头质量通过颜色来检验.     

HMCM-56分子筛催化苯酚与异丙醇烷基化反应的研究

研究HMCM-56分子筛上苯酚与异丙醇烷基化反应,探讨了反应条件包括温度,原料配比,催化剂的装填量,空速对催化剂催化性能的影响．通过X射线衍射、研究催化剂的酸性及晶相．得到最佳反应条件：T=220℃,WHSV=3．0h^-1,Catalyst Loading=0．3g,n（IPA）／n（Phenol）=0．8,苯酚的转...     

三维大孔硅铝材料和诱导ZSM-5分子筛的合成及表征

采用无皂乳液聚合的方法制得的粒径为670 nm聚苯乙烯小球为硬模板,成功合成出三维大孔硅铝材料,并探索了晶化诱导ZSM-5的合成、晶化过程及ZSM-5形貌的变化.     

利用冶金焦粉和硅石粉压块生产硅铁合金的工艺研究

研究利用冶金焦粉和硅石粉生产硅铁合金具有重要的实用价值,本文采用压块法(焦粉和硅石粉混合造块+钢屑)进行制备硅铁的对比实验,研究冶金焦粉和硅石粉应用于硅铁生产的可行性,结果表明:利用冶金焦粉与硅石粉作压块原料,可生产理想的硅铁合金。     

MFI型分子筛膜晶内孔道的在线CVD调变

采用在线化学气相沉积(CVD)法对全硅MFI型分子筛膜进行晶内孔道修饰,考察晶间缺陷对膜晶内孔道修饰效果的影响。采用硅烷水解法对缺陷较多的膜进行缺陷孔的修补,结合扫描电子显微(SEM),观察膜微结构的变化。结果表明:分子筛膜表面缺陷显著影响晶内孔道调变效果。500℃时,缺陷较少的膜经晶内修饰后H2/CO2分离因子由修饰前的2.7提高到42.3,H2渗透性由2.25×10-7mol/(m2.s.Pa)降至1.52×10-7mol/(m2.s.Pa)。经缺陷修补后的分子筛膜,其晶内修饰后的H2/CO2分离因子比未修补的膜有一定幅度的提高。     

SOI—21世纪的硅集成电路技术

ＳＯＩ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）被国际上公认为是“２１世纪的硅集成电路技术”。ＳＯＩ是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势的、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。 ＳＯＩ的重大突破 １９９８年８月，美国ＩＢＭ公司宣布在世界上首次利用ＳＯＩ技术成功地研制出了高速、低功耗、高可靠的微电子主流产品──微处理器等高性能芯片。紧接着，ｓｃｉｅｎｃｅ杂志以及我国中央电视台新闻联播“中国科学报”等都相继作了报道。ＩＢＭ的这一成果之所以引起如此大的轰动，是因为其不仅在世界上…     

科学家发现钻石存储信息能力为硅的数百万倍

遍布小孔的钻石片或许对新一代超级电脑的计算能力具有举足轻重的影响。美国加州大学科学家利用现有技术，在大钻石片上刻了无数充氮小孔。这些充氨钻石可以存储信息的数量是目前硅芯片系统的数百万倍，同时信息处理速度也是后者的数十倍。     

Nb、Ti单稳定高纯铁素体不锈钢铸坯的凝固组织和夹杂物

采用金相显微镜和扫描电镜,研究并讨论了铌、钛单稳定条件下,高纯铁素体不锈钢的凝固组织及夹杂物的状态.结果表明:单钛稳定相对单铌稳定能显著提高铁素体不锈钢的等轴晶比例,铌更能起到细化晶粒的作用.铌、钛单稳定条件下铁素体不锈钢中夹杂物的分布和类型存在较大的差异.