一维三组元杆状结构声子晶体带隙研究

采用集中质量法对一维三组元杆状结构声子晶体带隙特征进行计算,将其与一维二组元杆状结构声子晶体进行比较。研究表明,一维三组元结构声子晶体能有效拓宽带隙频率范围且能降低起止频率。在一维二组元(铝/塑料)声子晶体组份材料铝和塑料之间插入丁腈橡胶前后,保证2个模型的晶格常数a=0.3m、自由度总数300相同。当组份比t为1时,三组元(铝/丁腈橡胶/塑料)声子晶体可以降低第1带隙的起始频率463.7Hz、截止频率2 108.1Hz。当三组元声子晶体晶格常数a由0.03m增大到0.42m时,该声子晶体第1带隙起始频率由18 943Hz下降到1 353.1Hz,截止频率由37 799Hz下降到2 699.9Hz。如果取三组元声子晶体的晶格常数为0.3m,固定其中铝的长度为0.15m,将丁腈橡胶和塑料的长度之和固定为0.15m,调节丁腈橡胶的长度由0m增大到0.15m时,该声子晶体第1带隙起始频率由2 359.8Hz下降到1 664.7Hz,截止频率由5 888.0Hz下降到4 065.3Hz。同时该声子晶体第1带隙宽度变化在低频率区存在一个峰值3 043.6Hz。这些变化规律对拓展一维杆状声子晶体的带隙特征具有积极意义。     

煤矿井下大功率开关电源的T-S模糊控制

针对目前传统控制策略的不足,提出一种基于T-S模糊建模的煤矿井下大功率开关电源模糊控制方法.模型的前件参数由模糊C均值聚类算法确定,后件参数由带遗忘因子的最小二乘法辨识.通过对输出电压的实时检测采样,经过T-S模糊分析后输出控制量,调控占空比来改变IGBT通断时间,从而得到稳定的输出直流电压.采用MATLAB/Simulink仿真,验证了该方法的正确性和可行性.研究结果表明:与常规PI控制方法相比,T-S模糊控制策略在鲁棒性方面具有更好的控制效果.     

三维平面波法讨论及光子晶体完全禁带分析

详细讨论了三维平面波法(PWM)的特征方程及数值求解过程,分析了简体立方、面心立方和体心立方等典型晶胞的基本参数,计算了这些晶胞在空心晶格、实心晶格、球形晶格和方形晶格等情况下无缺陷时的完全禁带.     

深埋特厚煤层综放条件下顶板导水裂缝带探查技术

以彬长矿区大佛寺煤矿40106,40108工作面为测试点,采用地面钻孔漏失量观测、施工中孔内水文观测、钻孔窥视、地面水位长观、数值模拟等综合探查研究手段,结合工作面涌水量观测及水质分析,对覆岩导水裂缝带发育高度进行探查,取得了准确的导水裂缝带发育高度数据,获得了良好的实施效果.总结了各探查技术的优缺点及配合探查方法,探查结果可作为彬长矿区顶板水害防治的重要依据,同时也为深埋特厚煤层综放条件下导水裂缝带发育探查方案的设计提供借鉴.     

渤南洼陷Es2/Es3不整合样式及油气运聚特征

运用矿物学、钻测井资料和地震信息,分析了济阳坳陷渤南洼陷南斜坡古近系Es2/Es3之间Ⅱ级不整合样式及油气运聚特征.结果表明:渤南洼陷南斜坡古近系Es2/Es3不整合为无黏土层结构,根据不整合上下地层产状和岩性叠置关系,可形成4种不整合组构样式.不整合组构样式平面分布规律控制了油气呈线性运移、局部富集的展布特征.     

低温度系数高电源抑制比带隙基准源的设计

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种适用于数模或模数转换等模数混合电路的低温度系数、高电源抑制比的带隙基准电压源.针对传统带隙基准源工作电压的限制,设计采用电流模结构使之可工作于低电源电压,且输出基准电压可调;采用共源共栅结构(cascode)作电流源,提高电路的电源抑制比(PSRR);采用了具有高增益高输出摆幅的常见的两级运放.Cadence仿真结果表明:在1.8V电源电压下,输出基准电压约为534 mV,温度在-25～100℃范围内变化时,温度系数为4.8 ppm/℃,低频电源抑制比为-84 dB,在1.6～2.0 V电源电压变化范围内,电压调整率为0.15 mV/V.     

索伦-林西缝合带北侧西段中二叠统哲斯组砂岩碎屑分析及其构造意义

由于索伦-林西缝合带的地表露头较差,关于其存在与否和延伸状况仍然存在着争论.为了进一步研究其俯冲碰撞过程,对缝合带以北的满都拉地区发育的中二叠统哲斯组磨拉石沉积地层中砂岩进行碎屑成分分析.砂岩碎屑成分及物源分析结果表明,在盆地南部发育有与索伦—林西缝合带俯冲碰撞作用有关的晚古生代岩浆弧.     

2．4GHz波段微带发夹型带通滤波器设计与馈电研究

介绍了微带发夹型带通滤波器的基本原理,基于ADS软件设计了微带发夹型带通滤波器,实测与仿真结果吻合较好,中心频率为2．4GHz,相对带宽大于5％,适用于短距离无线通信频段。研究了微带发夹型带通滤波器直接馈电的3种形式对S参数仿真结果的影响,均匀阻抗馈电、高低阻抗馈电、阻抗渐变馈电3种形式的馈电的仿真结果都满足设计要求,采用高低阻抗、渐变阻抗馈电的S参数仿真结果大体一致,略优于均匀阻抗馈电。设计的微带发卡带通滤波器具有设计简单、结构紧凑、插损较小的优点,可用于短距离无线通信。     

四川芦山Mw 6.6级地震发震构造

2013年4月20日四川芦山Mw 6.6级地震发生在龙门山构造带南段,未见典型的同震地表破裂。作者在对震后400余个地震破坏宏观调查点重新厘定的基础上,参考四川数字强震台网的近场峰值加速度(PGA)记录,绘制的本次地震等震线图的极震区地震烈度为Ⅸ度,略呈长轴为NE向的扁椭圆状,不具明显的方向性。进一步综合3 323个早期余震重新定位结果、石油地震勘探剖面和震源机制解等,判定本次地震的主要发震构造为控制蒙山东麓的大邑断裂,系龙门山构造带南段NW-SE向缩短所导致的大邑断裂上冲作用的结果;新开店断裂亦在深部产生了同震破裂,造成了断裂上盘震害明显高于下盘的断层上盘效应现象。     

一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

设计了一种采用前调整器的高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.基于CSMC 0.5 μm标准CMOS工艺,分别对有前调整器与没有前调整器的CMOS带隙基准电压源进行了设计与仿真验证.仿真结果显示,采用前调整器的带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处分别获得了-117.3 dB、-106.2 dB、-66.2 dB的高电源抑制比,而没有采用前调整器的CMOS带隙基准在100 Hz、1 kHz、100 kHz处仅分别获得了-81.8、-80.1、-44.9 dB的电源抑制比;在-15 ～90℃范围内,采用前调整器的带隙基准的温度系数为6.39 ppm/℃;当电源电压在2.2 ～8 V变化时,采用调整器的带隙基准的输出电压变化仅9.73μV.