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91.
该文实验研究了气泡聚并对核态池沸腾换热的影响。在恒壁温的边界条件下,利用微加热器阵列加热液态FC-72产生气泡,同时利用高速数据采集系统测量特定区域的热流密度。由于气泡之间液体层的蒸发和气泡聚并后产生的振荡,沸腾过程中发生气泡聚并时热流密度的波动远强于加热表面仅有单气泡生成时的情形。与单气泡成核相比,气泡聚并所产生的振荡提高了加热表面的再润湿频率,从而显著增加了平均传热。观测还表明,由于气泡之间的液体层被仍处于惯性生长阶段的气泡推离,气泡聚并速度非常快时并不会伴随热流量的增加。实验结果表明:当无量纲的聚并数Ncoal0.2时,气泡聚并能够增强换热;反之,当Ncoal0.2时,气泡聚并则会减弱换热。 相似文献
92.
采用直流金属磁过滤阴极真空弧(FCVA)制造出Ti和乙炔(C2H2)气体的双等离子体在单晶硅(100)上制备非晶态碳膜.重点研究了乙炔气体和过滤线圈电流对非晶态碳膜的结构、形貌和机械性能的影响.研究结果表明,薄膜中主要成分是TiC,并以(111)作为主晶向;随着过滤线圈电流的增大,薄膜的晶粒度越来越小;薄膜表面的粗糙度逐渐减小,变得更加平整;薄膜的应力减小,可以下降到2.5 GPa.薄膜的显微硬度和弹性模量随着C2H2体积流qV(C2H2)的增大而降低,硬度和弹性模量分别可以达到33.9 GPa和237.6 GPa.非晶态碳膜的摩擦因数在0.1~0.25之间,大大低于衬底材料单晶硅片的摩擦因数0.6.随着过滤线圈电流增大,摩擦因数减小. 相似文献
93.
应用ANSYS软件系统建立了交流电磁场检测(ACFM)探头激励线圈数值模型,研究了不同几何形状的ACFM探头激励线圈的感应磁场以及工件表面的感应电流分布,确定了激励电流与激励线圈结构的定性、定量关系.根据优化的激励线圈,在工件表面得到符合要求的均匀交变电流,从而为探头的研发提供了科学依据.通过对比分析可知,工件表面感应电流的均匀区域与激励线圈水平段的长度存在定量关. 相似文献
94.
采用水热法系统研究了基底预处理(基底铺膜、不铺膜吹氮气处理和盐酸浸泡处理等)方式对于制备ZnO微/纳米管阵列的影响;结合ZnO晶体的微观结构,探讨了基底特征与ZnO微/纳米管阵列生长的内在联系.结果表明,采用高纯氮气和盐酸浸泡预处理基底均能制备得到ZnO微/纳米管阵列,并且这两种预处理方法制备出的纳米管在尺寸、形貌和分布上有所不同.ZnO微/纳米管成管机理研究表明,ZnO顶部锌终端对于生长微/纳米管起着决定性作用. 相似文献
95.
张丹 《辽宁大学学报(自然科学版)》2011,38(1):22-26
电流互感器是电力系统中的重要设备,光电混合式电流互感器避免了传统电流互感器的缺点,具有广泛的应用前景.对光电混合式电流互感器做了具体的分析,提出了一种系统设计方案,并详细介绍了方案的具体实现方法.整个系统方案具有可行性,可以达到预想的要求,具有高集成度、高处理速度、高可靠性以及良好的实时性等优点,在电力系统中具有一定的研究价值与应用价值. 相似文献
96.
变压器是指用来改变交流电压大小的一种电气设备。它是根据电磁感应的设计原理,把某一等级交流的电压变换成另一等级交流的电压,从而满足不同负荷的需要。变压器不论在工作还是在生活中都有非常重要的作用,而且越来越得到广泛的应用和推广。其安全可靠性也是变压器发展的最大瓶颈,因此变压器在电力系统、供用电系统等各大系统中都占有举足轻重的作用。文章就变压器的设计原则、原理特点进行一定的探讨。 相似文献
97.
《华中科技大学学报(自然科学版)》2017,(8):58-63
针对集中式多输入多输出(MIMO)雷达发射端和接收端同时存在位置误差和幅相误差的问题,提出一种基于旋转阵列的误差校正方法.首先利用旋转阵列获得不同方位的回波数据,从而将耦合在一起的位置误差和幅相误差相分离,并通过解相位模糊得到虚拟阵列的位置信息,再根据虚拟阵列的形成原理,分别获得收发阵列的位置误差.然后,由回波数据协方差矩阵最大特征值所对应的归一化的特征向量求得发射端和接收端的幅相误差估计.最后通过仿真实验验证了方法的有效性和可行性.结果表明:在多种阵列误差并存的情况下,该方法复杂度低,能获得较精确的结果,且该方法还适用于非均匀MIMO雷达阵列. 相似文献
98.
99.
研制了检波器线圈架磁导率测试仪,用于测量与线圈架磁导率成反比的导通频率值,根据此频率值可以选择合适的磁钢与线圈架搭配使用,以提高检波器的性能.测试系统主要由信号源模块、信号处理模块、数据采集模块和显示模块等组成,利用线圈架和电容三点式振荡电路产生正弦波信号,用ATmega128为主控芯片进行数据采集,并将检波器线圈架的导通频率值实时地在液晶屏上显示.实验表明,系统重复性好,工作可靠,操作方便. 相似文献
100.
介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18 μm工艺,工作电压1.8V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流. 相似文献