光响应调控的SiO_2反蛋白石光子晶体

利用牺牲模板法制备了SiO2反蛋白石型光子晶体,用扫描电子显微镜对其表面形貌及其厚度进行了表征;并在其孔隙中填充了具有光响应的有机染料分子螺吡喃衍生物,通过紫外-可见反射光谱监测了光诱导下染料分子构型转变过程中光子晶体光子禁带的变化。结果表明在不同波长的光照下,最大反射波长处的反射率可以进行可逆地控制,并实现了光诱导下对染料分子荧光的调控。     

硅烷对纳米硅薄膜微结构和光学性能的影响

通过改变反应气体中硅烷体积分数,采用直流偏压辅助等离子体化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积本征氢化纳米硅薄膜.使用拉曼光谱仪、原子力学显微镜和紫外可见光透射仪对薄膜进行测试,研究不同硅烷体积分数对薄膜微结构和光学性能的影响.结果表明:当硅烷体积分数增加,晶粒尺寸增加,而晶态含量却随之下降.晶态含量的降低,使拉曼光谱中谱峰的强度降低,峰位发生蓝移,薄膜有序性随之降低;而且薄膜的光学禁带宽度随硅烷体积分数的增加而增加.当硅烷体积分数为1.3%时,沉积本征氢化纳米硅薄膜,薄膜中晶粒分布均匀,其生长存在取向性.此时晶态含量约为50%,晶粒尺寸约为2.6 nm;薄膜具有较大的光学禁带宽度,为1.702 eV,以及较高的电导率.     

γ-MnO2膜电极的电化学调制光谱

采用自制的 T- 1EMS电化学调制光谱仪研究了γ- Mn O2 膜电极在 1mol· L- 1 NH4Cl溶液中的电化学调制光谱 (EMRS)特性 .实验结果表明γ- Mn O2 膜电极的 EMRS有明锐的Franz- Keldysh振荡峰 ,显示了其半导体特性 .根据 Aspnes的“三点法”,由谱图计算出了γ-Mn O2 的禁带宽度 ;并根据γ- Mn O2 膜电极的 EMRS随直流偏置电位的变化 ,确定出其在 1mol·L- 1 NH4Cl溶液中的平带电位值 .这些参数为研究 γ- Mn O2 电极的半导体性质和界面结构提供了重要信息     

弹性波与周期介质相互作用及声子晶体研究现状

声子晶体是一种新型的声学功能材料,对声子晶体的研究引起了人们极大关注。介绍了国内外声子晶体的研究状况,分析了声子晶体研究中存在的问题,阐述了声子晶体的某些概念、特征和基本研究方法,强调了由于禁带和缺陷态的存在可以有效地控制周期介质中声波的传播,讨论了声子晶体研究的未来发展方向．     

第三代半导体引领生活新时尚——记北京大学宽禁带半导体研究中心张国义团队

继硅（Si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAS）引导的第二代半导体后，由Ⅲ族氮化物引领的第三代半导体闪亮资场并已逐渐发展壮大。与Si、GaAs等半导体不同，Ⅲ族氮化物所引领的第三代半导体对生活所体现出来的能力让人感到震惊，尤其在照明光源、激光器存储和功率微波器件等领域所造成的影响可以说是革命性的。     

紫外激光器的发展及应用

本文收集记录了随着光电子技术的发展中紫外激光器的革命过程以及最新激光仪器,不同的激光仪器各有千秋,避免了上代仪器的缺点,以高重复率激光器和高功率激光器为例,分别代表了两种不同的脉冲激光器产品。多年来紫外激光由气体激光器到固体激光器产生了一大飞跃,目前人们广泛使用的对宽禁带半导体进行打标的高重复率紫外激光器对半导体工业市场产生了巨大的影响。未来科学家将努力把纳米技术运用到微型光电器件的组成中。     

沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响

以硝酸锌溶液为电解液,采用电化学沉积方法,在导电玻璃(ITO)上制备ZnO薄膜.使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备的ZnO薄膜结构和形貌进行表征,并研究薄膜的光电性能.结果表明,通过该方法制备的ZnO具有标准的六方纤锌矿纳米柱状结构,沉积电位为-0.75、-0.80、-0.85 V时,制备的ZnO纳米柱的直径分别为250、400、500 nm,禁带宽度分别为3.12、3.27、3.29 eV,光电流密度分别为1.18、1.07、0.89μA.cm-2.     

基于数字微波复合基板的高效收发组件设计

文章将多层微波数字复合基板技术和宽禁带功率放大器同时应用于收发组件的设计,突破了传统收发组件效率低的弊端,提高了能源的利用效率,同时大大缩小了收发组件的体积,降低了质量。对该收发组件进行了测试,其发射功率大于10W,末级功放的漏极效率大于65%,对提高相控阵雷达的效率、降低能耗和缩小体积等具有重要意义。