人工神经网络预测高炉铁水硅含量

提出了BP神经网络预测高炉铁水硅含量的几种网络优化方法,指出了神经网络预测硅含量的可行性与局限性.     

核磁共振法表征磷改性斜发沸石骨架硅铝的变化

用固固相P—Al同晶取代的方法，采用焙烧和微波两种加热方式磷改性斜发沸石。并用^27Al、^29Si和^31P高分辨MASNMR表征磷改性前后斜发沸石骨架上的硅铝变化，结果表明，两种方法都能使沸石骨架Al脱除，形成八面体Al(H2O)^3 6，骨架硅铝比显著增大，微波法对斜发沸石骨架P—Al同晶取代效果比焙烧法好，同时，两种方法对磷改性斜发沸石的骨架结构影响也不同。     

硅表面双聚体空位附近原子沉积的理论研究

采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为，根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图，确定了沉积束缚点和一些鞍点，并研究其可能的扩散路径。     

水稻对硅、钾、钙、镁的吸收动力学研究

为了研究水稻对硅、钾、钙、镁的不同吸收效应，同时探索含钾硅酸盐矿物的肥料价值，本文采用了动力学研究方法．结果表明：水稻对硅、钾、钙、镁的吸收速率因肥料配比差异而不同；而施用多元复合物，水稻生长过程中对硅、钾、钙、镁的吸收速率明显增加；四个动力学方程对水稻吸收养分规律的拟合度都达到了极显著性或显著性水平；单从相关系数及其变异系数来看，四种养分的拟合情况均以Freybdkucg方程为最好．     

SiGe合金氧化层中的纳米结构

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构,并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟,计算且测量出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布,并且反馈控制加工过程,优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件.我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点和量子层结构,我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度的匹配公式和理论模型与实验结果拟合得很好.     

包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象

采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.     

配制高性能混凝土对原材料要求的探讨

高性能混凝土具有高流动性、高耐久性的特点，其组成原材料应满足各项性能的基本要求．胶凝材料用量较高，水灰比较低，最大骨料粒径较小，可采用普通水泥，但必须与高效减水剂有很好的相容性．     

非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨

利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式.     

硅压阻式传感器与AD7705芯片在压力测量中的应用

介绍一种新型测量压力的元件——硅半导体压阻式传感器，并以MPX2100压阻式传感器为例，配合AD7705芯片构成压力测量系统，阐述压力测量系统的工作原理，说明系统的软、硬件设计方法．     

难溶杂多酸盐催化合成乳酸正丁酯

合成了硅钨三乙醇胺盐和磷钨酸三乙醇胺盐，并以它们为催化剂，合成了乳酸正丁酯。并对硅钨酸三乙醇胺盐催化合成乳酸正丁的工艺条件进行了研究。该催化剂易回收，可重复使用5次以上。