一个强耦合系统的整体吸引子的存在性

考虑一个强耦合抛物系统的初边值问题,通过利用抛物方程解的先验估计的技巧以及微分-积分不等式,给出了这个系统解的整体吸引子的存在性.     

临近空间单粒子效应的数值模型和电路模拟

针对临近空间单粒子效应进行了数值模型仿真和特征尺寸为0.1 μm的反相器电路的脉冲注入模拟研究。数值仿真结果表明器件临界电荷随着工作电压的降低而减小,敏感横截面随着临界电荷的降低而逐渐增大。临近空间微电子器件的单粒子翻转概率随敏感横截面增大而上升,但其又随临近空间高度的增加而下降。此外,利用SPICE软件脉冲注入模拟观察到了反相器电路的单粒子翻转现象。所得结论有助于深入研究临近空间的单粒子效应并为器件抗辐射加固提供了理论依据。     

库所耦合网的T-不变量求解算法

首先定义了库所耦合网及相关概念,其次揭示了库所耦合网N中各个分支网的T-不变量同N的T-不变量之间的关系,然后给出了一个库所耦合网的T-不变量求解算法,最后将该算法实现并给出初步实验数据,以说明所提算法比现有算法节省计算时间和存储空间。     

绝缘栅双极晶体管研究与中试

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行，在国内的生产更是空白，国内的器件应用全靠进口。     

电荷掺杂和杂原子掺杂聚硅烷的比较性理论研究

本文利用GAUSSIAN 03程序包中的密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平下,对聚21硅烷、电荷掺杂的聚21硅烷以及杂原子(硼和磷)掺杂的聚21硅烷进行几何全优化,并对它们的几何结构和自旋密度进行了比较性理论研究.结果表明,电荷掺杂能使聚硅烷的Si—Si键长增长,其极子分布几乎遍及了聚21硅烷的整个链;而杂原子(B、P)的掺杂对聚硅烷的影响主要集中在与B、P原子相邻的Si原子上,极子分布仅局域在B、P原子附近的3~5个原子上.     

压电驱动自耦合射流流动和换热特性的实验研究

采用PIV、热线风速计和红外热像仪对狭缝喷口自耦合射流的流动特征和冲击靶板的对流换热特征进行了实验研究。结果表明     

煤矿工程出水预测主要方法探讨

随着煤矿生产逐渐向深部发展，煤矿水害事故对煤矿安全生产的威胁越来越严重。本文由简到繁地介绍了有效地预测煤矿涌水量的地下工程出水预测的考虑多场耦合的几种主要方法，包括考虑渗流与应力耦合的解析法、考虑渗流与应力耦合的经验解析法，考虑渗流与应力耦合的数值方法．考虑渗流-应力-温度耦合环境的数值方法和基于反演分析的考虑渗流-应力-温度耦合环境的数值方法。     

高频小信号放大器与高频功率放大器之对比学习

根据高频小信号放大器与高频功率放大器的工作原理，简单阐述两者的不同之处，以便于学生的全面掌握。     

发现带有1／4电荷的准粒子

以色列魏茨曼研究院物理学家首次证实了带有1／4电荷准粒子的存在。这一发现为制造出一种功能更强大、性能更稳定的异型量子计算机迈出了第一步。