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临近空间单粒子效应的数值模型和电路模拟
引用本文:蔡理,杨晓阔,杨建军,卢虎,赵晓辉.临近空间单粒子效应的数值模型和电路模拟[J].空军工程大学学报,2011(2):76-80.
作者姓名:蔡理  杨晓阔  杨建军  卢虎  赵晓辉
作者单位:1.空军工程大学理学院,陕西西安710051;2.空军工程大学科研部,陕西西安710051
基金项目:空军工程大学科技创新计划资助项目(KGDCXJH0912)
摘    要:针对临近空间单粒子效应进行了数值模型仿真和特征尺寸为0.1 μm的反相器电路的脉冲注入模拟研究。数值仿真结果表明器件临界电荷随着工作电压的降低而减小,敏感横截面随着临界电荷的降低而逐渐增大。临近空间微电子器件的单粒子翻转概率随敏感横截面增大而上升,但其又随临近空间高度的增加而下降。此外,利用SPICE软件脉冲注入模拟观察到了反相器电路的单粒子翻转现象。所得结论有助于深入研究临近空间的单粒子效应并为器件抗辐射加固提供了理论依据。

关 键 词:临近空间  单粒子效应  临界电荷  电路模拟  反相器

Numerical and Circuit Simulations of Single Event Effects in Near Space
CAI Li,YANG Xiao-kuo,YANG Jian-jun,LU Hu,ZHAO Xiao-hui.Numerical and Circuit Simulations of Single Event Effects in Near Space[J].Journal of Air Force Engineering University(Natural Science Edition),2011(2):76-80.
Authors:CAI Li  YANG Xiao-kuo  YANG Jian-jun  LU Hu  ZHAO Xiao-hui
Abstract:
Keywords:near space  single event effect  critical charge  circuit simulation  inverter
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