锗锡薄膜的分子束外延生长及退火研究

无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料，适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而，由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系，基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制；最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响，提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结，通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度.     

液态烃泵机封故障分析与改造

以兰州石化公司24万t/a气分装置立式离心泵P1机封泄漏为例,深入分析引起故障发生的原因,并进行机封改造,取得了良好的效果。对影响其性能的参数进行了研究讨论,对密封结构进行了优化设计,为液态烃泵机封改造工作积累了宝贵经验。     

液态锗快速凝固过程中的分子动力学模拟

本文采用Stillinger-Weber势函数,对液态锗的快速凝固过程进行了分子动力学模拟,运用均方位移(mean square displacement,MSD),对相关函数(pair correlation function PCF),配位数(coordination number)和Wendt-Abraham关系...     

原子半径差对液态金属Cu的分子动力学模拟

运用分子动力学模拟方法,对Cu和CuCu＇（Cu＇的原子半径比Cu的大10%,两者的原子数比例为3∶1）两种金属体系进行了模拟研究.通过对径向分布函数的分析,发现CuCu＇的玻璃转变温度比Cu高;另外,在CuCu＇体系中铜原子周围的Cu＇原子数目的分布多于铜原子,CuCu＇体系的有序度高于Cu体系,说明合金中原子半径差...     

安全廉价的新型锂电池

英国利兹大学研究人员开发出一种性能与传统锂电池相当，却减小了起火等安全隐患，更为廉价的新型锂电池，有望广泛用于笔记本电脑、手机等电子产品。传统的锂电池使用液态电解质，并用一层聚合物薄膜隔开正负极，     

新知短信

智能电脑人问世英国最新研制一款智能聊天语言系统,可以赋予计算机类似人类的思维。该计算机系统能够让测试者无法辨识究竟是计算机还是人类,在印度古瓦哈提市召开的计算机科学节上,一款叫做智能机器人的软件     

Application of state flow of cement and fly ash slurry in the prevention and treatment bump

近年来,我国投入使用的高等级公路日益增加,随着行车速度的提高,“桥头跳车”已成为高速行车条件下的一个重大安全隐患.文章通过剖析“桥头跳车”产生的原因,提出了采用拌制的流态水泥粉煤灰混合料进行浇筑施工的方案,取得了良好的处置效果.     

仲钨酸铵对Ag-Sn合金粉末的氧化作用

本文采用氧化增重法(TGA),研究了添加少量仲钨酸铵(APT)对Ag-Sn合金粉末的氧化作用,用X射线衍射仪、电子探针和金相观察分析了粉末氧化前后相的转变、氧化物的分布、形貌。结果表明,Ag-Sn APT混合粉末的氧化规律服从Wagner理论;APT的分解产物及形成的新相Ag_2WO_4作为活性氧原子源,促进Sn的氧化;添加剂APT在0～2.26wt-％成分范围内和相同温度、相同氧化时间条件下,氧化速率随添加量增加而加快;随氧化温度的提高,氧化速率加大,如在800℃下的氧化速率大于700℃下的氧化速率。