VLSI标准单元阵列布局问题的一个高效遗传算法

研究可有效处理几万至百万个单元规模VLSI标准单元阵列布局问题的遗传算法,使之能在合理的时间内获得高质量的布局结果.为了提高布局质量,针对布局的二维特性设计了新型线网交叉算子和局部搜索技术,并提出了三阶段算法框架以协调算法的全局搜索和局部搜索.为了降低算法的时间和空间复杂度,使算法可处理大规模问题,采用了交叉算子局部化和小规模种群的思想,同时使用了多种保持种群多样性的策略以提高小规模种群的进化性能.对Peko suite3、4标准测试电路的实验结果表明,基于这些策略的遗传算法是有效的.     

标准单元测试环境的CAD二维图形自动判别技术研究

针对一种标准单元模式的CAD二维图形自动评判技术进行了研究,解决了批量CAD测试图形自动打开、图形数据自动采集、评判、记录、显示、储存、查询、输出等一系列复杂问题,为CAD技术人才培训和考核提供科学的测试系统。     

H型栅/源漏非对称结构CMOS在 PDSOI标准单元建库中的应用

基于0.35 μm SOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究.讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35 μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元库设计,并设计了标准单元测试芯片.     

数字集成电路课程设计改革与创新

以数字集成电路课程设计为例,将紧密结合学科前沿和实际工程的项目——带复位信号D触发器标准单元库设计引入课程设计.让学生综合应用先修课程所学的理论、EDA工具和实践经验,进行原理图设计、仿真和优化,版图设计与验证,标准单元表征和Lef文件提取等较全面工程设计训练,为他们未来接触实际工程奠定良好的基础.通过该课程设计,激发学生的设计兴趣和热情,培养了学生工程实践能力与创新能力,取得了很好的效果.     

可校准电源偏差并基于标准单元的温度传感器

提出了基于双电压点校准的温度传感器。所提出的传感器配合双电压点校准方法可以大幅度降低供电电压变化引起的温度测量误差, 且完全基于标准单元设计, 无需版图定制, 易于使用标准的数字 电路设计流程实现。实验表明, 相比之前提出的无双电压点校准的双环温度传感器, 0. 1 V 电源 电压偏差引起的误差可从90℃降低到28. 5℃。     

空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现

为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI(Silicon on Insulator)集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于33 V 035 μm PD（Partly） SOI CMOS(Complementary Metal-Semiconductor)工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库。标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证。实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300 krad (Si)。     

基于标准单元模块化放置的集成电路物理设计

在集成电路物理设计过程中,降低芯片制造成本,提高芯片性能是提高半导体产品市场竞争力最重要的因素。本文介绍了基于标准单元模块化放置的集成电路设计方法,从而减小芯片的面积,提高芯片的性能。以一款经过TSMC0.35um工艺流片验证的非接触式读卡芯片为例,对比不同方法进行芯片设计的面积、利用率、性能等,从而证明方法的可行性和有效性。     

数字块直接晶体管层次的布局

基于标准单元的设计研究方法主导了数字甚大规模集成电路布局的产生。为了获得好的逻辑合成结果，单元库必须是大的。如今最好的库由几千个单元变量组成，才足以支持多驱动强度、功率和速度。由于单元库具有巨大的惯性，它拒绝移植和客户化尺寸等，因此导致了巨大的库维持成本。     

基于适应性模拟退火的标准单元布局算法

提出了一种基于适应性模拟退火的标准单元布局算法，针对各布局电路的特性，在传统的模拟退火算法中引入适应性初始温度和适应性搜索区域的概念，并对标准单元布局中目标函数中的惩罚项做出相应改进。该算法用于对一组标竿电路进行测试，和传统模拟退火算法得出的结果相比，在布局效果上和时间性能上均显示出优越性。     

一般双线性有限元展开和外推剖分分析

考虑变系数问题，首先假定部分T^h为拟一致四边形部分，将T^h中任意单元e通过双线性变换映照到一个标准单元E，然后由E上的误差得到e上的误差展开，最后分析这些展开式，得到所有单元上误差展开有外推的充要条件。