用蒙特卡罗方法研究双层重金属与有机半导体界面的X射线剂量增强

用蒙特卡罗方法计算不同几何结构的双层重金属对有机半导体界面产生的剂量增强系数, 结果表明, X射线在金-酞菁铜-金界面产生与金-酞菁铜界面相似但更大的剂量增强. 当半导体层-酞菁铜厚度相同（均为2 μm）时, 厚度为4 μm比厚度为2 μm的金产生更大的剂量增强; 当金的厚度相同（均为2 μm）时, 厚度为1 μm比厚度为2 μm的酞菁铜产生更大的剂量增强.      

铁磁/有机系统的自旋扩散漂移性质研究王

基于自旋扩散漂移方程和欧姆定律, 理论研究了电场对铁磁/有机半导体界面的电流自旋极化性质的影响. 考虑到有机半导体内特殊的载流子以及电场对其自旋扩散长度的影响, 计算了界面处的电流自旋极化率. 结果表明, 高电场可以使界面处的电流自旋极化率得到有效提高. 同时还进一步研究了电场下有机半导体中极化子比率、自旋相关界面电阻等因素对电流自旋极化的影响.     

铁磁/有机系统的自旋扩散漂移性质研究

基于自旋扩散漂移方程和欧姆定律,理论研究了电场对铁磁/有机半导体界面的电流自旋极化性质的影响.考虑到有机半导体内特殊的载流子以及电场对其自旋扩散长度的影响,计算了界面处的电流自旋极化率.结果表明,高电场可以使界面处的电流自旋极化率得到有效提高.同时还进一步研究了电场下有机半导体中极化子比率、自旋相关界面电阻等因素对电流自旋极化的影响.     

用蒙特卡罗方法研究不同厚度的金对X射线在金-酞菁铜界面附近剂量分布的影响

用蒙特卡罗方法计算不同厚度的金在金-酞菁铜界面的剂量增强系数.结果表明, 金的厚度影响界面附近的剂量增强效果.当金的厚度为0～8 μm时, 剂量增强系数随金厚度的增加而增大.     

化学所新型有机半导体材料研究取得系列进展

在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的大力支持下，中国科学院化学研究所有机固体院重点实验室的研究人员在n型和p型有机半导体材料的设计与合成中取得系列进展，研究成果发表在近期的《美国化学会志》（J．Am．them．Soc．）上。     

CuPc/H2PtCl6有机半导体毒气传感器的制备与性能

针对有毒有害气体的监测问题,采用有机合成工艺制备了CuPc有机半导体材料,并对其进行杂化处理和电极设计,形成了具有较佳性能的毒气传感器．以对甲基苯酚、4-硝基邻苯二晴为原材料,以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,在N\-2保护和碳酸钾的催化作用下合成酞菁分子碎片,再以共溶技术合成了4取代对甲苯氧基CuPc．然后,按照一定比例将CuPc和H\-2 PtCl\-6共溶在甲醇溶液中,杂化合成了有机半导体CuPc/H\-2PtCl\-6气敏材料．并采用多孔电极结构结合真空饺技术形成气敏薄膜型传感器．质谱和红外吸收光谱分析验证了合成工艺路线的正确性．电子扫描观察了多孔电极和气敏膜的微观形貌．气敏性能测试表明,CuPe/H\-2PtCl\-6对Cl\-2和H\-2S等有毒气体有较好的敏感性和选择性．     

铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究

采用Slonczewski的近自由电子模型, 利用转移矩阵的方法, 研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性. 计算了T=4 K和T=300 K时, 隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance, TMR)随偏压的变化关系, 同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系. 我们的计算结果较好地解释了有关的实验 结论.     

Au／C60—Polymer／P—Si结构C—V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬氏抛光面上淀积含Ｃ６０聚合薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｕ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构。     

有机半导体激发态的量子调控

有机半导体激发态具有多样性和独特性,这使得有机器件呈现出丰富而特有的物理现象.从根本来说,有机器件的功能过程与这些激发态的动力学演化密切相关,包括产生、弛豫、输运、复合及相互转化等.目前,多种有机器件虽已被研制成功,但其功能机制中仍有许多未解之谜,其中激发态研究是重中之重,是有机半导体物理及器件研究的重心.多年来,我们基于有机半导体激发态独特的性质、相互作用及界面过程,围绕其功能器件中的关键科学问题,通过实验和理论相结合的手段,对其内部激发态的量子效应和调控开展了多尺度的深入研究.本文将结合相关研究背景对我们在有机光伏效应和有机自旋效应两方面的一些典型工作做简要介绍.