Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

M／a—Si：H肖特基势垒参数的测量

介绍在中性区光电导调制下实现用高频Ｃ－Ｖ仪测量Ｍ／ａ－Ｓｉ：Ｈ肖特基势垒参数的方法，把所测结果与其他方法测量值作了比较，对Ａｌ／ａ－Ｓｉ：Ｈ势垒异常现象也进行了描述。     

Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究

利用Ｎｉ金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ,ＭＩＣ）的方法制备ｐ－Ｓｉ薄膜ＸＲＤ,Ｒａｍａｎ光谱研究结果表明,ａ－Ｓｉ／Ｎｉ经４４０℃２ｈ以上退火处理后,形成多晶相结构用ＳＥＭ,ＸＰＳ等分析手段对薄膜的结构进行分析,并对金属Ｎｉ诱导晶化的机理进行简要的探讨。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

Na3＋xLuxZr2—xSi2PO12钠快离子导体研究

Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２Ｐｏ１２系统的钠快离子导体，由Ｎａ２Ｃｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＺｒＯ２，ＳｉＯ２和ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４为原料经高温（１０００－１２００℃）固相反应２０－２８小时制得。一个具有Ｃ２／结构的Ｎａｓｉｃｏｎ相可在起始组成为ｘ＝０－０．８范围内发现，Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２ＰＯ１２系统的晶胞体积在Ｘ≤０．４时是随Ｘ增大而增大，当Ｘ〉０．４时则是随Ｘ增大而缩小，该系统的起始组成     

ABS表面化学镀Cu／Ni—P的电磁屏蔽功能

在ＡＢＳ塑料表面化学镀沉积Ｃｕ／Ｎｉ－Ｐ双镀层，并探讨其与其体结合程度、环境性、导电性及电磁屏蔽性能；以ＳＥＭ观察了镀层的微结构及表观形貌。形究结果表明，ＡＢＳ／Ｃｕ／Ｎｉ－Ｐ材料具有较高的电磁屏蔽效率，且经久耐用。     

固体超强酸SiO2／SO^2—4催化合成乙酸丁酯

本文介绍了固体超强酸ＳｉＯ２／ＳＯ＾２－４制备方法及其在合成乙酸丁酯中的催化作用。在ＳｉＯ２／ＳＯ＾２－４催化下乙酸丁酯产率可达９０％以上。     

直流PCVD方法制备α—Si：D／H薄膜

将Ａｒ（９５％）－ＳＨ４（２．５％）－Ｄ２（２．５％）混合气体等离子体直流正辉区用化学敢相沉淀（ＰＣＶＤ）方法制备α－Ｓｉ：Ｄ／Ｈ薄膜，采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数，红外照相方法测量了反应腔壁温度，结果表明，基片支架对反应腔的等离子体有干扰，反应腔壁温度分布不均匀；基片温度高的区域薄膜沉淀速度大；加大电源功率可提高薄膜沉淀速率。     

热历史对Sialon／SiC_（p）复合陶瓷的相稳定性及力学性能的影响

研究热处理对致密Ｌｎ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）复合陶瓷中α相稳定性的影响及由此引起的显微结构调控和力学性能变化，其中Ｌｎ＝Ｎｄ和Ｙｂ．Ｎｄ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中，α相热稳定性差，几乎全部相变为β相，而大量长柱状β晶粒的存在并未明显改善材料的断裂韧性（ＫＩＣ），原因在于长时间热处理导致晶粒相互聚集粗化．相对而言，Ｙｂ２Ｏ３可有效稳定α相，因此Ｙｂ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中含有许多等轴状α晶粒，高硬度是此种材料力学性能的显著特征．     

热历史对Sialon／SiC（p）复合陶瓷的相稳定性及力学的影响

研究热处理对致密Ｌｎ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）复合陶瓷中α相稳定性的影响及由此引起的显微结构调控和力学性能变化，其中Ｌｎ＝Ｎｄ和Ｙｂ．Ｎｄ－ＳＡｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中，α相热稳定性差异，几乎全部相变为β相，而大量长柱状β晶粒的存在并未明显改善材料的断裂韧性，原因在于长时间热处理导致晶粒相互聚集粗化。     

P—^13C弹性散射动量空间库仑作用的处理

半Ｃ．Ｍ．Ｖｉｎｃｅｎｔ和Ｓ．Ｃ．Ｐｈａｔａｋ以及Ｒ．Ｃｒｅｓｐｏ和Ｊ．Ａ．Ｔｏｓｔｅｖｉｎ分别提出的两种不同的方案，推广应用于自旋１／２◎１／２的散射，研究了Ｐ－＾１３Ｃ弹性散射动量空间为 作用的处理。     

氧化镁对C3S—C2S—C3A—C4AF系统的影响

本文在试验研究基础上探讨了氧化镁在Ｃ３Ｓ－Ｃ２Ｓ－Ｃ３Ａ－Ｃ４ＡＦ系统中的作用，以及方镁石的晶体尺寸地膨胀的影响。     

水热合成BaTiO3薄膜及其微观结构分析

利用水热反主尖，成功在地１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ。对比快速热退火前后薄膜的扩展电阻深度分布、ＳＥＭ形貌象和Ｘ射线衍射谱发现：薄膜呈多层结构，退火前为立为ＢａＴｉＯ３／非晶ＢａＴｉＯ３－ｘ／Ｔｉ／Ｓｉ，退火后变为四方ＢａＴｉＯ３／Ｔｉ／Ｓｉ。     

PS/溶剂体系气液平衡研究

采用气液色谱法测定了ＰＳ／溶剂在不同温度下无限稀溶剂活度系数和Ｆｌｏｒｙ－Ｈｕｇｇｉｎｓ相互作用参数。应用ＵＮＩＦＡＣ和ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型对ＰＳ／溶剂体系中无限稀溶剂活度系数进行了估算,结果表明,ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型能较好地预测ＰＳ／烃溶剂体系中无限稀溶剂活度系数,而ＵＮＩＦＡＣ模型则较差。     

非离子型微乳液对锌—2—[（5—溴—2—吡啶）偶氮]—5—二乙基氨基…

以Ｏ／Ｗ非离子型微乳液Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ－１００／Ｎ－Ｃ５Ｈ１１ＯＨ／ｎ－Ｃ９Ｈ２０／Ｈ２Ｏ为介质，进行Ｚｎ－５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ的光度法测定，结果表明，与以相同含量的ＴｒｉｔｏｎＸ－１００胶束体系的测定比较，灵敏度增加。显色剂５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ在微乳液中有较高的分配系数和较低的平均有效介电常数，这说明微乳液对显色剂５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ有更大的增溶量和较低的极性，因此微乳液比胶束的增敏作用更强。     

Sn—Pb／Cu润湿性测试分析研究

介绍了利用图象处理技术研究了Ｓｎ－Ｐｂ合金钱民铜润湿性的方法，提出了联机的图象特征提出算法和润湿参数求取算法，给出了Ｓｎ－Ｐｂ／Ｃｕ润湿特性在直流电影响下测试分析结果。     

异丙苯在不同硅含量SAPO—5分子筛上的裂化反应特征

在ＥＳＲ－ＧＣ－Ｃｏｍｐｕｔｅｒ联机的动态装置下，用固定床微型英催化反应器，研究不同硅含量ＳＡＰＯ－５（２２），ＳＡＰＯ－５（１９），ＳＡＰＯ－５（５）及ＡｌＰＯ４－５和ＨＹ分子筛是丙苯裂化反应的催化活性，ＥＳＲ幅值特征。     

机械通气治疗ALI/ARDS的研究

研究了旨在导找ＡＬＩ／ＡＲＤＳ最佳机械通气时机。将９４例ＡＬＩ／ＡＲＤＳ患者分为３组,Ａ组ＰａＯ２／ＦｉＯ２０１６０２６．６７ｋＰａ,Ｂ组２６．６７ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ２≤３３．３３ｋＰａ,Ｃ组３３．３３ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ≤４０．００ｋＰａ,分别予机械通气,比较３组间ＶＴ、ＰＥＥＰ、ＰＩＰ、Ｐｐｌａｔ、ＰａＯ２、ＰａＣＯ２、Ｐａ、ＨＲ、ＭＶ时间、存活出率、死亡率差异性。用Ｘ＾２、ｔ检验进     

一种新颖的高阶CMOS OTA—C高通滤波器的设计方法

提出了一种新颖的高阶ＯＴＡ－Ｃ高通滤波器的设计方法：使用ＯＴＡ－Ｃ积分器及ＯＴＡ加法器对高阶高通滤波器传递函数的结构框图进行综合。其中ＯＴＡ加法器中的电阻由ＤＯ－ＯＴＡ实现，整个电路仅由ＯＴＡ及接地电容构成，而ＯＴＡ由ＣＭＯＳ器件构成，所以文中电路便于集成且与ＶＬＳＩ工艺兼容。对三阶巴特沃思高通滤波器进行了设计举例，并给出了其计算机ＰＳＰＩＣＥ仿真结果及非理想特性分析。     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。