钠掺杂式聚乙炔中孤子晶格的局域振动模

从包含电子-电子相互作用和外库仑势的SSH推广模型出发,计算了在各个掺杂浓度(杂质等距离分布)下反式聚乙炔中孤子晶格周围的局域振动模.计算结果表明:在掺杂浓度为1.67%时,反式聚乙炔存在10个局域模;在浓度为3.33%~10.00%时,存在8个局域模;而在浓度大于13.33%时,所有的局域模都消失变为扩展模.     

（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明，光吸收系数与阱宽和垒厚有关。     

a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。     

Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

Bi_2Sr_2CaCu_2Oy超导体无公度调制结构的研究

本文以Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ体系（Ｂｉ系）中的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ（Ｂｉ２２１２相）超导体为对象，讨论了Ｂｉ２２１２超导体的平均结构，以及其平均结构与（存在着无公度调制的）实际结构之间的区别。论述了Ｂｉ系（着重于Ｂｉ２２１２相）超导体的无公度调制结构的起因，认为Ｂｉ系调制结构的起因主要是由于ＢｉＯ双层和钙钛矿层之间的晶格失配，更为合理的解释是：晶格失配是调制结构的起因，而额外氧是晶格失配的结果。     

摄像与显像特性失配时的彩色重视误差及校色矩阵

当摄象民显像端的三基色特性和基准白示曾匹配时，电视系统的彩色将出现误差，讨论了彩色重现误差的计算方法，得到了校正误差的校色矩阵。     

用分子束外延技术按样定制半导体微观结构

在按样定制的半导体微观结构中，通过把异质结精确地植入晶体内即可定域地确定所期望的势能差。分子束外延技术用于以一个原子接一个原子的构建晶体薄膜，从而可以在微观惊工内精确地“裁剪”人工层状晶体。在ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶格中各组分的周期性调制产生了新颖的电子性质，它开辟了崭新的技术用途。     

碳纳米管中晶格波的研究

文章采用量子效应修正的库仑屏蔽势,研究了一维无限长(单壁或多壁)碳纳米管中的晶格波,给出了它们的色散关系。结果发现纵波具有声学波性质,横波具有高频光学波性质,并且其色散关系受外界约束的影响较大,当约束不太强时,纵波与横波是耦合的,当约束较强时,纵波与横波之间会出现能隙,能隙的大小与约束强度成正比。文中分析了系统稳定性,研究表明在特定的屏蔽参数区间系统会出现不稳定性,进而发生相变而融化,而在系统稳定的屏蔽参数区间,晶格波的色散关系依赖于屏蔽参数的大小。     

0．28 MeV Zn离子注入GaInP／GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究

对于GaAs衬底(100)面上用金属有机物气相淀积(MOCVD)技术外延生长的GaInP/GaInAsP 单量子阱,在室温下进行0.28 MeV的Zn 离子注入,选用的注量从1×1014～5×1014 cm-2.通过双晶X射线衍射光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明在所选用的注量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038,说明在这样的注入条件下,注入区的结晶态仍然保持地比较好.在较高注量下应变达到饱和,应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.